结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信...
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结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化,研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理.结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周,在正半周时器件峰值温度略有下降,与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤,其易损部位是B-E结.对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明,初相为π的信号更容易损伤器件,而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.
本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了...
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本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道,使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合,有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性.
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,...
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本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,引起的漏极泄漏电流越大.对于漏偏置为5V的器件,当栅电压大于阈值电压时,前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大,体电极的电流曲线呈现倒立的钟形.
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