检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2014年第14期63卷 389-394页

作者：辛艳辉刘红侠王树龙范小娇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 华北水利水电大学信息工程学院郑州450045

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致... 详细信息

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响,对该结构器件与单材料双栅结构器件的性能进行了对比研究.结果表明,该结构能进一步提高载流子的输运速率,更好地抑制漏致势垒降低效应.适当优化三材料栅的栅长比率,可以增强器件对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抑制能力.

关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管表面势阈值电压

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1．55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计

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半导体光电 2014年第1期35卷 39-42页

作者：王志燕贾护军毛周李泳锦成涛裴晓延孙哲霖西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室.西安710071

设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱... 详细信息

设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。

关键词：垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜谐振腔 -3 dB带宽

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基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

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西北大学学报（自然科学版） 2014年第1期44卷 41-45页

作者：吴晓鹏杨银堂董刚西安电子科技大学微电子学院/宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发G... 详细信息

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。

关键词：静电放电多叉指GGNMOS 自衬底触发动态衬底电阻

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X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

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电子器件 2014年第3期37卷 441-444页

作者：张霍马佩军罗卫军姜元祺刘新宇西安电子科技大学微电子学院西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的... 详细信息

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz^10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。

关键词：射频电路设计仿真数字移相器 X波段氮化镓单片微波集成电路

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(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

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电子器件 2014年第1期37卷 9-12页

作者：乔丽萍王聪华李淑萍李丽俞丽娟何磊西藏民族学院信息工程学院陕西咸阳712082 西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分... 详细信息

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。

关键词：应变张量简并度晶向张应力

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应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

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物理学报 2013年第12期62卷 430-436页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明宋建军周春宇李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解... 详细信息

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解器件不同工作状态下的电荷分布,建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型,探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响.与实验数据的对比结果表明,所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性,验证了模型的正确性.该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用,并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中,为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

关键词：应变 SiGe pMOSFET 栅电容特性台阶效应沟道掺杂

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应变Si NMOS积累区电容特性研究

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物理学报 2013年第5期62卷 369-374页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明舒斌周春宇李妤晨吕懿西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的... 详细信息

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.

关键词：应变Si NMOS 积累区电容台阶效应电荷分布

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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

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物理学报 2013年第10期62卷 434-439页

作者：许立军张鹤鸣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度... 详细信息

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

关键词：环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管二维泊松方程阈值电压模型漏致势垒降低

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前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究

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物理学报 2013年第3期62卷 367-373页

作者：张旭杰刘红侠范小娇樊继斌西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到18... 详细信息

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.

关键词：原子层淀积 Nd2O3 前驱体温度 X射线光电子能谱仪

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异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

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物理学报 2013年第21期62卷 452-459页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明宋建军周春宇李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了... 详细信息

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.

关键词：异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET 表面势沟道电流

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