检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2024年第19期73卷 244-250页

作者：余森许晟瑞 †陶鸿昌王海涛安瑕杨赫许钪张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室宽禁带半导体国家工程研究中心西安710071 西安电子科技大学广州研究院广州510555 陕西省大功率半导体照明工程技术中心西安710071

超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺... 详细信息

超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺复杂且成本高昂.因此,本文提出了诱导成核的新方法来获得高质量的AlN材料.首先,对纳米图案化的蓝宝石衬底注入不同剂量的N离子进行预处理,随后基于该衬底用金属有机化学气相沉积法外延AlN基板,并在其上生长多量子阱结构,最后基于此多量子阱结构制备紫外发光二极管.研究结果表明,在注入N离子剂量为1×10^(13) cm^(-2)的衬底上外延获得的AlN基板,其表面粗糙度最小且位错密度最低.由此可见,适当剂量的N离子注入促进了AlN异质外延过程中的横向生长与合并过程;这可能是因为N离子的注入,抑制了初期成核过程中形成的扭曲的镶嵌结构,有效地降低了AlN的螺位错以及刃位错密度.此外,基于该基板制备的多量子阱结构,其残余应力最小,光致发光强度提高到无注入样品的152%.此外,紫外发光二极管的光电性能大幅提高,当注入电流为100 mA时,光输出功率和电光转换效率分别提高了63.8%和61.7%.

关键词：氮化铝离子注入金属有机化学气相淀积发光二极管

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单手性半导体碳纳米管的分离及其在电子学中的应用研究进展

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固体电子学研究与进展 2024年第6期44卷 519-546页

作者：孙雅楠雷毅敏祝杰杰魏宇翔张鹏朱青李培咸马晓华西安电子科技大学先进材料与纳米技术学院西安710126 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体器件与集成技术国家重点实验室西安710071

半导体性单壁碳纳米管(Semiconducting single-walled carbon nanotubes,s-SWCNTs)以其高载流子迁移率和弹道运输等优异的电学特性,成为后摩尔时代新型半导体材料的有力竞争者。经过20多年的发展,碳基电子技术在s-SWCNTs的材料提纯、基... 详细信息

半导体性单壁碳纳米管(Semiconducting single-walled carbon nanotubes,s-SWCNTs)以其高载流子迁移率和弹道运输等优异的电学特性,成为后摩尔时代新型半导体材料的有力竞争者。经过20多年的发展,碳基电子技术在s-SWCNTs的材料提纯、基于s-SWCNTs的场效应晶体管(CNT FETs)的制备,以及基于CNT FETs的器件物理等基础问题上已经取得显著进展。然而s-SWCNTs的手性多样性引发的CNT FETs电学性能波动等问题,限制了s-SWCNTs在具有先进制程和卓越性能的高端集成电路(Integrated circuit,IC)中的应用。单手性的s-SWCNTs不仅展现出优异的电学性能,还具有可控的结构和稳定的性能,这些特性对其在高端IC中的应用至关重要。尽管如此,在提高单手性s-SWCNTs的分离纯度和产量,以及优化单手性CNT FETs方面,仍面临诸多挑战。本文综述了碳纳米管手性分选的方法,并重点讨论了共轭聚合物后处理方法的研究进展。然后总结了单手性CNT FETs的研究进展,并分析了未来的发展方向。最后对单手性s-SWCNTs的应用前景进行了展望,分析了未来将要面临的挑战和机遇。

关键词：半导体性碳纳米管单手性共轭聚合物包裹场效应晶体管

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X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

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电子器件 2014年第3期37卷 441-444页

作者：张霍马佩军罗卫军姜元祺刘新宇西安电子科技大学微电子学院西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的... 详细信息

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz^10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。

关键词：射频电路设计仿真数字移相器 X波段氮化镓单片微波集成电路

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