检索结果-内蒙古大学图书馆

一个应用于探测生理信号SoC中的CMOS全集成高线性度低噪声上变频器设计

电子学报 2013年第4期41卷 821-827页

作者：梁元张弘西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合curren-t bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-bo... 详细信息

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合curren-t bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-boost结构),使得带内变频损失小于5dB而IIP3介于22.3dBm到39.8dBm,而且双边带噪声指数小于8.2dB.应用全差分结构和感性源极钝化,再次抑制了二阶以及三阶失真.全部上变频器在1.2V供电条件下总功耗为8.4mW.

关键词：雷达感应芯片上变频混频器非线性失真线性化技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种高速低功耗的NoC时钟网络设计

引用

西安电子科技大学学报 2013年第3期40卷 115-120页

作者：刘毅陈博杨银堂刘刚西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

为了实现高速低功耗的片上网络时钟网络,针对MESH型片上网络,用金属-绝缘质-金属电容替代MOS电容作为发送端驱动电容和接收端耦合电容,设计了一种基于改进的电容驱动型低摆幅收发器的瀑布型时钟网络.Spectre仿真结果表明,在0.13μm CMO... 详细信息

为了实现高速低功耗的片上网络时钟网络,针对MESH型片上网络,用金属-绝缘质-金属电容替代MOS电容作为发送端驱动电容和接收端耦合电容,设计了一种基于改进的电容驱动型低摆幅收发器的瀑布型时钟网络.Spectre仿真结果表明,在0.13μm CMOS工艺条件下,该时钟网络的时钟频率可达5GHz,功耗和延时仅为传统时钟网络的49%和55%,并具有更好的噪声抑制能力.

关键词：片上网络时钟网络低功耗低摆幅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型

引用

物理学报 2013年第5期62卷 515-521页

作者：靳钊乔丽萍郭晨王江安刘策长安大学信息工程学院西安710064 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 University of Houston HoustonTexasUSA

单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应... 详细信息

单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schrdinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应变Si(001)任意晶向电子电导率有效质量与应力强度和应力类型的关系模型.本文的研究结果表明:1)单轴应力致电子迁移率增强的应力类型应选择张应力.2)单轴张应力情况下,仅从电子电导有效质量角度考虑,[110]/(001)晶向与[100]/(001)晶向均可.但考虑到态密度有效质量的因素,应选择[110]/(001)晶向.3)沿(001)晶面上[110]晶向施加单轴张应力时,若想进一步提高电子迁移率,应选取[100]晶向为器件沟道方向.以上结论可为应变SinMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供重要理论依据.

关键词：单轴应变 E-k关系电导有效质量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

引用

物理学报 2013年第7期62卷 377-384页

作者：周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪舒斌王斌王冠宇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院葫芦岛125105

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通... 详细信息

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.

关键词：应变Si NMOSFET 阈值电压集约物理模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

引用

人工晶体学报 2013年第6期42卷 1098-1103页

作者：宋久旭杨银堂王平郭立新西安电子科技大学理学院西安710071 西安石油大学电子工程学院西安710065 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究。SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷;这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米... 详细信息

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究。SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷;这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导;导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势。这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值。

关键词：碳化硅纳米管反位缺陷电子结构光学性质

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

引用

兰州大学学报（自然科学版） 2013年第2期49卷 270-275页

作者：吴晓鹏杨银堂董刚西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到... 详细信息

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.

关键词：栅接地NMOS 静电放电衬底电阻传输线脉冲

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基半导体集成电路失效分析研究

硅基半导体集成电路失效分析研究

引用

第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：黄炜付晓君罗俊刘凡刘伦才中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆 400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆 400060 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

本文结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.文章首先从理论角度介绍了硅基半导体集成电路的常见失效机理,并对其分析失效原因进行了分析.最后,结合... 详细信息

本文结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.文章首先从理论角度介绍了硅基半导体集成电路的常见失效机理,并对其分析失效原因进行了分析.最后,结合典型失效案例,对应用中出现的失效情况进行分析并提出相应改进措施：对于闩锁效应，通过在老化板外围加滤波电容减小电源噪声的影响来解决，而且对于多电源系统，上电顺序不当很容易引发门锁，因此必须控制各电源的建立和稳定时间，保证低电压的建立要早于高电压，在老化过程中应避免各组电源延迟对电路的影响;EOS失效和ESD失效是由于周围环境存在的静电及使用过程中操作不当引入的过压或者过流应力等，均会导致器件失效。因此器件测试和应用过程须保证在安全范围内，避免误操作导致的失效，设计中尽量采用完善的保护器件，减小外界应力对器件的损伤。

关键词：硅基半导体集成电路闩锁效应过电应力失效静电应力失效

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

集成温度传感器的无源超高频标签芯片设计

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 336-342页

作者：刘伟峰庄奕琪齐增卫唐龙飞杜永乾西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

设计了一种集成温度传感器的无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片。通过采用阈值补偿及分级供电的方式,有效的提高了能量转化电路的效率;通过采用正负两种温度系数电流求和的电路结构,得到近似零温度系数的参考电流。采用固定频率时... 详细信息

设计了一种集成温度传感器的无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片。通过采用阈值补偿及分级供电的方式,有效的提高了能量转化电路的效率;通过采用正负两种温度系数电流求和的电路结构,得到近似零温度系数的参考电流。采用固定频率时钟驱动的计数器对源自振荡周期随温度变化时钟的信号采样计数的方式计算测量环境温度,由于两个振荡器电路完全对称,从而避免了工艺因素的影响。芯片在TSMC 0.18μm Mix-signal/RFCMOS工艺进行流片,测试结果显示,芯片最远识读距离达到7.5米,在-40℃^+55℃温度范围内,温度测量误差最大不超过2℃。

关键词：超高频射频识别标签芯片温度传感器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.18μm CMOS X波段接收机射频前端设计

引用

电路与系统学报 2013年第2期18卷 217-222页

作者：龙强庄奕琪阴玥李振荣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071

本文给出了一个采用TSMC 0.18 m CMOS工艺应用于X波段SAR(合成孔径雷达)的单片接收机射频前端的设计。接收机前端由低噪声放大器和混频器组成,低噪声放大器工作在9 GHz^11GHz,混频器将10GHz的射频信号转换到2GHz中频,本振信号由片外提... 详细信息

本文给出了一个采用TSMC 0.18 m CMOS工艺应用于X波段SAR(合成孔径雷达)的单片接收机射频前端的设计。接收机前端由低噪声放大器和混频器组成,低噪声放大器工作在9 GHz^11GHz,混频器将10GHz的射频信号转换到2GHz中频,本振信号由片外提供。在X波段频率下,尽管CMOS 0.18μm工艺特征频率比较低,工作仍然实现了低噪声系数,提高了集成度。测试结果表明,本设计在300MHz的带宽上实现了20dB的转换增益,噪声系数达到2.7Db,输入1dB压缩点达到-19.2dBm,在1.8V的电源电压下前端消耗26.6mA电流,芯片面积为1.3×0.97mm2。

关键词： X波段低噪声放大器混频器合成孔径雷达噪声系数转换增益

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用噪声抵消技术设计低噪声放大器

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 408-411页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输... 详细信息

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz^2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。

关键词：低噪声放大器噪声抵消增益噪声系数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：