检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机工程 2010年第14期36卷 212-214页

作者：武颖奇李康马佩军关娜史江义西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

设计一种基于网络处理的多核共享SDRAM控制器,提出分层优先级仲裁算法以提高多核访问共享内存的效率,针对IP包处理特点,给出一种基于指令控制的块数据传输机制来缩短IP包的读写延迟。在FPGA平台上进行验证,结果表明,当处理长度为64Byte... 详细信息

设计一种基于网络处理的多核共享SDRAM控制器,提出分层优先级仲裁算法以提高多核访问共享内存的效率,针对IP包处理特点,给出一种基于指令控制的块数据传输机制来缩短IP包的读写延迟。在FPGA平台上进行验证,结果表明,当处理长度为64Byte的IP包时,SDRAM控制器的读写效率能提高55%以上。

关键词：分层优先级仲裁块数据传输 SDRAM控制器

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多核网络处理器的高速数据交换控制结构

引用

计算机工程 2010年第14期36卷 215-217页

作者：刘宇李康马佩军史江义西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

提出一种用于多核网络处理器数据通道处理的高速MAC接口数据交换控制结构。利用主动请求机制控制数据包的接收,通过多线程分配策略实现对接收数据的并行处理,维护数据包的到达顺序,实现高速数据传输。仿真与验证结果表明,接收控制器模... 详细信息

提出一种用于多核网络处理器数据通道处理的高速MAC接口数据交换控制结构。利用主动请求机制控制数据包的接收,通过多线程分配策略实现对接收数据的并行处理,维护数据包的到达顺序,实现高速数据传输。仿真与验证结果表明,接收控制器模块能在85MHz工作时钟下达到2.56Gb/s的数据吞吐率,满足网络处理器OC-48的线速处理要求。

关键词：数据交换接口网络处理器多核片上系统千兆端口

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纳米MOSFET栅氧化层中吸引型陷阱的参数提取方法

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中国科学：物理学、力学、天文学 2010年第4期40卷 395-399页

作者：张鹏庄奕琪马中发吴勇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅电流存在显著的RTS噪声,而且该栅电流RTS噪声俘获时间随栅压增大而增大,发射时间随栅压增大而减小的特点,... 详细信息

通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅电流存在显著的RTS噪声,而且该栅电流RTS噪声俘获时间随栅压增大而增大,发射时间随栅压增大而减小的特点,复合陷阱为库伦吸引型陷阱的特点.根据栅电流RTS噪声的时常数随栅压及漏压的变化关系,提取了吸引型氧化层陷阱的深度、在沟道中的横向位置和陷阱能级等信息.

关键词： RTS噪声参数提取吸引型陷阱

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一种缩短共享存储访问时延的优化仲裁技术

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计算机应用研究 2010年第4期27卷 1391-1393,1399页

作者：关娜李康马佩军武颖奇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

提出一种提高访问性能的优先级仲裁策略,按照不同类型的内存访问优先级进行分层仲裁,并通过隐藏bank预充电时延提高了内存访问效率。本方法应用于网络处理器(XD-NP)的可配置SDRAM控制器的设计中,并在FPGA平台上进行了验证,结果表明,采... 详细信息

提出一种提高访问性能的优先级仲裁策略,按照不同类型的内存访问优先级进行分层仲裁,并通过隐藏bank预充电时延提高了内存访问效率。本方法应用于网络处理器(XD-NP)的可配置SDRAM控制器的设计中,并在FPGA平台上进行了验证,结果表明,采用延时隐藏策略的SDRAM控制器性能提升最大可达40%以上,改善明显。

关键词：多处理器片上系统优先级仲裁内存访问时延隐藏

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基于PWM的低温度依赖基准电压电路设计

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中南大学学报（自然科学版） 2010年第6期41卷 2269-2273页

作者：吴铁峰张鹤鸣胡辉勇李敏西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071 佳木斯大学信息电子技术学院黑龙江佳木斯154007

为了给脉宽调制（PWM）控制器提供稳定的工作电压,基于齐纳二极管的正温度系数和三极管B-E结的负温度系数之间的温度补偿原理,设计1个结构简单、性能优越的高精度基准电压电路,并应用华越SB45双极工艺在Candence中进行仿真。研究结果表... 详细信息

为了给脉宽调制（PWM）控制器提供稳定的工作电压,基于齐纳二极管的正温度系数和三极管B-E结的负温度系数之间的温度补偿原理,设计1个结构简单、性能优越的高精度基准电压电路,并应用华越SB45双极工艺在Candence中进行仿真。研究结果表明：该电路能够提供多路稳定的基准工作电压,而且具有较高的电源电压抑制比,对温度依赖程度很小;在-55~125℃范围内,该电路的温度系数为1.2×10-6/℃;当电源电压为8~30 V时,线性调整率约为0.4 mV/V,电源电压抑制比为77.54 dB,能够满足PWM控制器的工作需求。

关键词：电压基准脉宽调制控制器温度系数温度补偿双极工艺模拟电路

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基于安全与纠错算法的增强型蓝牙基带研究与实现

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计算机科学 2010年第8期37卷 107-110,151页

作者：李振荣庄奕琪张博牛玉峰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于蓝牙在安全、纠错和抗干扰方面的不足,分析和改进了蓝牙协议数据链路层的跳频和纠错算法。分析了基于高级加密标准(AES)迭代型分组密码算法构造的新型跳频序列的性能,仿真结果表明该序列具有良好的安全性、均匀性和相关性。针对蓝... 详细信息

基于蓝牙在安全、纠错和抗干扰方面的不足,分析和改进了蓝牙协议数据链路层的跳频和纠错算法。分析了基于高级加密标准(AES)迭代型分组密码算法构造的新型跳频序列的性能,仿真结果表明该序列具有良好的安全性、均匀性和相关性。针对蓝牙DM分组,采用了融合交织编码和前向纠错的增强型纠错机制,并基于Gillbert-Elliott信道模型进行了仿真。结果表明该增强型纠错机制大大提高了数据传输的抗干扰能力。提出了基于AES的跳频序列发生器和融合交织编码的增强型纠错机制的ASIC实现结构,并运用低功耗和资源优化技术,给出了VLSI实现结果。基于改进算法IP,实现了高安全、强纠错的增强型蓝牙基带,并结合标准蓝牙基带进行了性能分析。最后,采用基于平台的设计方法,搭建了蓝牙SoC系统平台,并进行了实测。

关键词：蓝牙基带安全性纠错性专用集成电路设计片上系统平台

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GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化

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中国科学：信息科学 2010年第11期40卷 1537-1542页

作者：张进成李志明郝跃王昊李培咸西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

首先采用有限元分析法对自主设计的感应加热MOCVD反应室的电磁场分布进行了数值模拟,得到了反应室内磁场强度的分布和石墨基座焦耳热的分布.然后以石墨基座焦耳热分布作为温度模拟的载荷,基于热传导和热辐射模型,模拟得到了MOCVD反应室... 详细信息

首先采用有限元分析法对自主设计的感应加热MOCVD反应室的电磁场分布进行了数值模拟,得到了反应室内磁场强度的分布和石墨基座焦耳热的分布.然后以石墨基座焦耳热分布作为温度模拟的载荷,基于热传导和热辐射模型,模拟得到了MOCVD反应室和石墨基座的温度分布.为了提高石墨基座表面温度分布的均匀性,通过将常规的石墨基座同心放置调整为偏心放置,有效地改善了温度分布均匀性,同时提高了感应加热的效率.

关键词： MOCVD 感应加热电磁场温度场有限元分析

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一种抑制总线串扰的自适应时空编码方法

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电路与系统学报 2010年第6期15卷 52-56页

作者：刘毅焦亚冬杨银堂文博西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

片上总线互连线间逐步增强的线间耦合效应加剧了总线信号串扰。本文根据互连线串扰模型,提出先传送奇数位信息,再传送偶数位信息,双时钟周期发送恶性串扰总线数据的自适应时间编码方法。在消除恶性串扰的同时,减小了总线自翻转能耗。并... 详细信息

片上总线互连线间逐步增强的线间耦合效应加剧了总线信号串扰。本文根据互连线串扰模型,提出先传送奇数位信息,再传送偶数位信息,双时钟周期发送恶性串扰总线数据的自适应时间编码方法。在消除恶性串扰的同时,减小了总线自翻转能耗。并结合码本编码,获得一种自适应时空编码方法。仿真结果显示该方法的时间节省率达到30%以上,能耗节省率为4%～38%。对于32位数据总线,该方法仅需6根冗余线。

关键词：总线编码串扰自适应时空编码

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新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方法

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中国科学：信息科学 2010年第6期40卷 892-898页

作者：刘红侠匡潜玮栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 美国应用材料公司

本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄... 详细信息

本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数.

关键词：高k栅介质二氧化铪频率色散等效电路模型双频C-V法参数提取

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GaN基MFS结构C-V特性研究

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电子器件 2010年第6期33卷 684-686页

作者：胡辉勇张鹤鸣崔敏戴显英宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为... 详细信息

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压。

关键词： PZT铁电薄膜溶胶—凝胶法 MFS结构 C-V特性阈值电压

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