检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2022年第3期51卷 434-440页

作者：宋志成杨露张春福刘大伟倪玉凤张婷魏凯峰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司西安710000

本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅... 详细信息

本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。

关键词： TOPCon太阳能电池多晶硅掺杂离子注入钝化接触寄生吸收光电转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

异质互连通孔等效电路模型及其特性分析

引用

固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 413-418页

作者：赵冉冉张玉明吕红亮程伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所南京210016

考虑了三维异质集成系统中不同衬底层对通孔产生的寄生效应,分别提出了应用于单个和一对差分异质互连通孔的宽频带等效电路模型。在所提出的模型中,Csub和Gsub分别表征衬底耦合效应,Lm、Cm和Gm分别表征两个通孔之间的耦合效应。通过验证... 详细信息

考虑了三维异质集成系统中不同衬底层对通孔产生的寄生效应,分别提出了应用于单个和一对差分异质互连通孔的宽频带等效电路模型。在所提出的模型中,Csub和Gsub分别表征衬底耦合效应,Lm、Cm和Gm分别表征两个通孔之间的耦合效应。通过验证,模型在150 GHz频带范围内都具有较高的精度。基于所提出的模型,对单个和一对差分互连通孔影响其电特性的结构参数进行了深入分析,为三维异质集成电路的设计提供了依据。

关键词：三维集成电路互连通孔等效电路模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理

引用

现代应用物理 2022年第3期13卷 141-149页

作者：安琪柴常春李福星吴涵杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071

利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁... 详细信息

利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁机理。进一步讨论了不同信号参数和端口外接电阻对器件损伤效应的影响。结果表明,电流焦耳热累积导致低噪声放大器电路中晶体管栅极下方偏漏极一侧发生烧毁,烧毁时间随注入信号功率的增大而减小,随注入信号频率的增大而增大;此外,晶体管端口外接电阻会减弱传入器件内部的能量,进而减缓器件的损伤进程,提高电路对电磁脉冲的耐受性,与漏极相比,源极外接电阻对损伤进程的减缓效果更强。

关键词： GaAs赝配高电子迁移率晶体管高功率微波电磁脉冲低噪声放大器损伤效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

水溶剂辅助的通用喷涂技术实现高性能碳基全无机钙钛矿太阳电池可拓展制备

水溶剂辅助的通用喷涂技术实现高性能碳基全无机钙钛矿太阳电池可...

引用

第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：张泽阳朱卫东张春福郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

近年来,由于全无机钙钛矿材料（CsPbX3, X=I, Br, Cl或其混合物）在高温、高湿或者持续光照等条件下表现出的优良稳定性,且在太阳电池、发光二极管、X射线探测器等领域的应用发展迅速,成为了光伏领域新兴的研究热点。然而,不同材料的无... 详细信息

近年来,由于全无机钙钛矿材料（CsPbX3, X=I, Br, Cl或其混合物）在高温、高湿或者持续光照等条件下表现出的优良稳定性,且在太阳电池、发光二极管、X射线探测器等领域的应用发展迅速,成为了光伏领域新兴的研究热点。然而,不同材料的无机钙钛矿薄膜的制备技术差异很大且复杂度高,尚未形成一种简易的通用工艺。针对此问题,本文提出了水溶剂辅助沉积薄膜的通用喷涂技术,用于实现高效钙钛矿太阳电池（PSCs）的可拓展制备。即以水作为卤化铯的溶剂,通过高压气体驱动的喷枪笔将卤化铯水溶液均匀地喷涂沉积在卤化铅薄膜上,然后进行热退火。以CsPbBr为例,该策略可制得覆盖完全、表面均匀、结晶度高、晶粒尺寸大的纯相钙钛矿薄膜,这主要得益于对CsBr负载量的精准控制和水溶剂的使用。研究发现水溶剂对底层的PbBr有形貌重构的作用,使得其与后续沉积的CsBr的之间的反应不受PbBr薄膜微观结构的影响。因此,小面积（0.09 cm）和大面积（1.00 cm）碳基CsPbBr PSCs的能量转换效率（PCE）可达到10.22%和8.21%,且在运行稳定性方面表现优异。研究表明,此技术亦适用于制备CsPbCl、CsPbIBr和CsPbIBr薄膜,其碳基PSCs的PCE分别为1.27%、10.44%和13.30%。这表明了该技术作为一种制备方法在全无机钙钛矿光伏器件领域的可拓展性。因此,本工作为推动钙钛矿光伏器件商业化提供了新的思路。

关键词：通用策略水溶剂喷涂沉积高效率全无机钙钛矿太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究

引用

物理学报 2020年第7期69卷 288-296页

作者：董世剑郭红霞马武英吕玲潘霄宇雷志锋岳少忠郝蕊静琚安安钟向丽欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 西北核技术研究所西安710024 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,... 详细信息

本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,受到辐照诱生氧化物缺陷电荷与界面态的影响,当辐照总剂量达到1 Mrad(Si)时,零偏条件下AlGaN/GaN HEMT器件的电学参数退化得最大,其中,饱和漏电流减小36.28%,最高跨导降低52.94%;基于McWhorter模型提取了AlGaN/GaN HEMT器件辐照前后的缺陷密度,零偏条件下辐照前后缺陷密度变化最大,分别为4.080 × 1017和6.621 × 1017 cm–3·eV–1.其损伤机理是在氧化物层内诱生缺陷电荷和界面态,使AlGaN/GaN HEMT器件的平带电压噪声功率谱密度增加.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管总剂量 1/f低频噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

引用

人工晶体学报 2020年第11期49卷 2194-2199页

作者：张晋胡壮壮穆文祥田旭升冯倩贾志泰张进成陶绪堂郝跃山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体... 详细信息

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV。此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm^2,展示了优异性能。

关键词：氧化镓单晶导模法 n型掺杂肖特基二极管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

引用

物理学报 2020年第20期69卷 302-309页

作者：郝蕊静郭红霞潘霄宇吕玲雷志锋李波钟向丽欧阳晓平董世剑湘潭大学材料与工程学院湘潭411105 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 西北核技术研究院西安710024 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐... 详细信息

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×1012 cm^-3·eV^-1增大到了1.66×10^14 cm^-3·eV^-1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.

关键词： AlGaN/GaN 中子辐照位移损伤 1/f噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

p型TBC电池发射极制备工艺

引用

人工晶体学报 2025年第5期54卷 857-863页

作者：宋志成张博张春福屈小勇倪玉凤高嘉庆西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室青海黄河上游水电开发有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司

将隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）结构引入背接触太阳电池结构，制备得到隧穿氧化层钝化接触背接触（TBC）太阳电池，能够有效抑制电子、空穴的复合，提高光电转换效率。本文重点关注p型TBC太阳电池的发射极制备工艺，深入研究了p型硅片... 详细信息

将隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）结构引入背接触太阳电池结构，制备得到隧穿氧化层钝化接触背接触（TBC）太阳电池，能够有效抑制电子、空穴的复合，提高光电转换效率。本文重点关注p型TBC太阳电池的发射极制备工艺，深入研究了p型硅片上n型隧穿氧化钝化接触结构（n-TOPCon）的制备工艺和钝化性能，通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧化时间对氧化层厚度的影响，并研究不同厚度的隧穿氧化层对发射极n-TOPCon结构钝化性能的影响。实验结果表明，在氧化温度为600℃，氧化时间1 200 s时，隧穿氧化层厚度达到1.52 nm，可以获得最佳的钝化性能，此时隐开路电压达到733 mV，对应的暗饱和电流密度J0为4.41 fA/cm2。之后研究了不同磷扩散温度和不同磷源流量下发射极n-TOPCon的掺杂分布曲线和钝化性能。当扩散温度达到870℃时，n-TOPCon结构的隐开路电压可提升至736 mV，随着扩散温度的继续增加，n-TOPCon结构的隐开路电压开始降低。最后研究了在扩散温度相同的情况下，n-TOPCon结构钝化性能与N2-POCl3流量的关系，通过实验发现，随着扩散N2-POCl3流量的增加，n-TOPCon结构钝化性能出现先提升后下降的情况，根据测试结果，当N2-POCl3流量为3 000 sccm时，n-TOPCon结构的隐开路电压可提升至740 mV。

关键词： p型TBC电池磷扩散 LPCVD 掺杂钝化性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基单片式复合晶体管的结构参数对高功率微波损伤效应的影响（英文）

引用

强激光与粒子束 2019年第10期31卷 112-120页

作者：靳文轩柴长春刘彧千吴涵杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别... 详细信息

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻R e,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。

关键词：单片式复合晶体管高功率微波器件结构外加元件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

机载线缆的强电磁脉冲耦合效应

引用

现代应用物理 2020年第2期11卷 15-21页

作者：姬壮壮柴常春史春蕾刘彧千杨银堂西安电子科技大学微电子学院西安710071 教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

建立了4种典型的机载线缆模型,使用CST软件对强电磁脉冲(EMP)辐照环境下线缆的耦合情况进行研究。首先,研究了机载线缆在理想环境中的耦合规律;其次,对舱室内部线缆的耦合进行仿真分析;最后,研究了浪涌保护器件对EMP的防护作用。仿真结... 详细信息

建立了4种典型的机载线缆模型,使用CST软件对强电磁脉冲(EMP)辐照环境下线缆的耦合情况进行研究。首先,研究了机载线缆在理想环境中的耦合规律;其次,对舱室内部线缆的耦合进行仿真分析;最后,研究了浪涌保护器件对EMP的防护作用。仿真结果表明:线缆的屏蔽层能明显地抑制强电磁脉冲在线缆上形成的耦合电压;耦合电压随着线缆长度或离地高度的增加而增加;使用屏蔽玻璃可以有效地对挡风玻璃及舷窗等开孔部位进行电磁加固,使舱内电场强度降低,线缆的耦合电压减小;瞬态抑制二极管能够很好地抑制强电磁脉冲形成的瞬态过电压,避免过电压对机载设备的破坏。

关键词：线缆电磁脉冲电磁耦合浪涌防护瞬态电压抑制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：