检索结果-内蒙古大学图书馆

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

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微电子学 2014年第4期44卷 523-526页

作者：罗俊王健安郝跃代天君晏开华李金龙黄姣英中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院北京100191

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应... 详细信息

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。

关键词：半导体器件加速退化试验可靠性寿命评估

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基于改善InGaP/GaAs自热效应的复合管设计

基于改善InGaP/GaAs自热效应的复合管设计

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：禹雷吕红亮张玉明张义门张金灿刘敏西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文中根据负反馈补偿原理,针对InGaP/GaAs HBT的自热效应,设计了改善其自热效应的复合管结构.仿真结果表明,InGaP/GaAs HBT复合管的自热效应得到了有效的抑制,改善了晶体管输出的非线性,稳定了直流工作点,简化了RF和微波电路的直流偏置设计.

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟镓砷化镓结构设计自热效应

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总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应

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物理学报 2013年第3期62卷 244-249页

作者：卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变... 详细信息

研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.

关键词：总剂量效应 kink效应碰撞电离背栅异常跨导

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中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究

中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：赵东东刘红侠西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

应用Geant4对具有一定能量分布的中子和γ射线在硅材料中的输运过程进行了模拟分析.通过提取初级离位原子的能量和坐标,得到其能量分布和空间分布.根据得到的能量分布和空间分布,计算了具有特定能量值的初级离位原子在级联碰撞过程中产... 详细信息

应用Geant4对具有一定能量分布的中子和γ射线在硅材料中的输运过程进行了模拟分析.通过提取初级离位原子的能量和坐标,得到其能量分布和空间分布.根据得到的能量分布和空间分布,计算了具有特定能量值的初级离位原子在级联碰撞过程中产生的次级离位原子数目,获得了离位原子总数的空间分布情况.这些结果对后续的辐照损伤研究具有重要意义.

关键词：硅材料辐照损伤中子 γ射线

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19.4-GHz InGaP/GaAs HBT推推式结构VCO设计

19.4-GHz InGaP/GaAs HBT推推式结构VCO设计

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：禹雷吕红亮张玉明张义门叶桂平张金灿西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间,导致了2次谐波的产生.经测试,在5V电压供电下,此MMIC VCO直... 详细信息

文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间,导致了2次谐波的产生.经测试,在5V电压供电下,此MMIC VCO直流电流为21mA,输出功率为-14.46dBm,19.4GHz振荡频率下的调谐范围为1.03％,1MHz频偏处相位噪声为-80.67dBc/Hz.

关键词：压控振荡器电路设计推推结构异质结双极晶体管

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基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究

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物理学报 2013年第21期62卷 332-337页

作者：陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺... 详细信息

文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.

关键词：共振隧穿二极管 GaN 陷阱中心电离率

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不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理

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物理学报 2013年第12期62卷 495-501页

作者：马振洋柴常春任兴荣杨银堂乔丽萍史春蕾西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三... 详细信息

结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三种高功率微波信号注入下器件的损伤部位都是发射结,在频率和信号幅值相同的情况下方波脉冲信号更容易使器件损伤;位移电流密度和烧毁时间随信号幅值的增大而增大,而位移电流在总电流所占的比例随信号幅值的增大而减小;相比于因信号变化率而引起的位移电流,信号注入功率在高幅值信号注入损伤过程中占主要作用.利用数据分析软件,分别得到了三种信号作用下器件烧毁时间和信号频率的变化关系式.结果表明,器件烧毁时间随信号频率的增加而增加,烧毁时间和频率都符合t=afb的关系式.

关键词：双极晶体管高功率微波损伤机理信号样式

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三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

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物理学报 2013年第17期62卷 380-385页

作者：卓青青刘红侠王志西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用... 详细信息

本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用该模型,仿真研究了处于截止态(VD=5 V)的H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.结果表明:随着总剂量水平的增加,器件在同等条件的重离子注入下,产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大,但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.

关键词：单粒子脉冲电流漏极收集电荷总剂量效应

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非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型

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物理学报 2013年第15期62卷 520-526页

作者：辛艳辉刘红侠范小娇卓青青西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构,栅极由不同功函数的两种材料组成.考虑新器件结构特点和应变的影响,修正了平带电压和内建电势.为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型.模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响,考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响.研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力,抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应,为新器件物理参数设计提供了重要参考.

关键词：非对称Halo 异质栅应变Si 短沟道效应

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基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理

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物理学报 2013年第6期62卷 464-469页

作者：任兴荣柴常春马振洋杨银堂乔丽萍史春蕾西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧... 详细信息

建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.

关键词：双极晶体管强电磁脉冲烧毁点位置损伤能量

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