检索结果-内蒙古大学图书馆

电路与系统学报 2013年第1期18卷 408-411页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输... 详细信息

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz^2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。

关键词：低噪声放大器噪声抵消增益噪声系数

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一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法

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电路与系统学报 2013年第2期18卷 223-227页

作者：杨小峰郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计... 详细信息

本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计的收发开关,模拟结果表明谐振频率工作点的插入损耗为1.03dB,收发端隔离39.277dB,输入1dB压缩点(P1dB)功率26.28dBm。

关键词： CMOS 收发开关 LC谐振插入损耗隔离度

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半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

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微电子学 2013年第4期43卷 558-563,571页

作者：罗俊向培胜赵胜雷王毅刘涛陈光炳中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军代室重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加... 详细信息

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件。

关键词：半导体器件长期贮存失效机理加速应力模型

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SOI SiGe HBT电学性能研究

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物理学报 2012年第23期61卷 535-543页

作者：张滨杨银堂李跃进徐小波西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入使SOI SiGe HBT成为四端器件,重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响.最后仿... 详细信息

研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入使SOI SiGe HBT成为四端器件,重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响.最后仿真实现材料物理参数和几何物理参数对频率特性的改变.结果表明SOI SiGeHBT与常规器件相比具有更大的设计自由度.SOI SiGe HBT的系统分析为毫米波SOI SiGe BiCMOS电路的设计提供了有价值的参考.

关键词： SiGe HBT,SOI 电学性能

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单轴、双轴应变Si拉曼谱应力模型

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物理学报 2012年第4期61卷 407-413页

作者：王程王冠宇张鹤鸣宋建军杨晨东毛逸飞李永茂胡辉勇宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料拉曼谱峰与... 详细信息

本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料拉曼谱峰与应力的理论关系模型.该模型建立过程详细、系统,所得结果全面、量化,可为应变Si材料应力的测试分析提供重要理论参考.

关键词：应变Si 拉曼应力

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Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究

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物理学报 2012年第10期61卷 376-383页

作者：胡辉勇雷帅张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌王斌西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

基于对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅功函数的分析,通过求解Poisson方程,获得了Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应器件(NMOSFET)垂直电势与电场分布模型.在此基础上,建立了考虑栅耗尽的Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变Si NMOSFET的阈值电压模型和栅耗尽宽度及其归一化模型,并利用该模型,对器件几何结构参数、物理参数尤其是Ge组分对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅耗尽层宽度的影响,以及栅耗尽层宽度对器件阈值电压的影响进行了模拟分析.结果表明:多晶耗尽随Ge组分和栅掺杂浓度的增加而减弱,随衬底掺杂浓度的增加而增强;此外,多晶耗尽程度的增强使得器件阈值电压增大.所得结论能够为应变Si器件的设计提供理论依据.

关键词： Poly-Si_1-xGe_x 应变Si 栅耗尽阈值电压

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NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析

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物理学报 2012年第21期61卷 491-497页

作者：卓青青刘红侠郝跃西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒... 详细信息

通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化.研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.

关键词：单粒子瞬态脉冲电荷收集机制注入位置漏极偏压

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考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究

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物理学报 2012年第24期61卷 470-475页

作者：曹磊刘红侠西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的... 详细信息

本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析.结果表明:随着纵向电场的增加,量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重,造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动.采用高k栅介质材料,可以减小阈值电压,抑制DIBL效应.较快的运算速度保证了模拟分析的效率,计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高.

关键词：量子化效应高k材料 SOI MOSFET,阈值电压

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量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型

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物理学报 2012年第16期61卷 348-354页

作者：李立刘红侠杨兆年西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了G... 详细信息

Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了Ge组分、缓冲层厚度、Si帽层厚度和衬底掺杂对阈值电压的影响.由于SiGe沟道层较薄,计算中考虑了该层价带势阱中的量子化效应.当栅电压绝对值过大时,由于能带弯曲和能级分裂造成SiGe沟道层中的空穴会越过势垒到达Si/SiO2界面,从而引起器件性能的退化.建立了量子阱SiGe PMOSFET沟道层的空穴面密度模型,提出了最大工作栅电压的概念,对由栅电压引起的沟道饱和进行了计算和分析.研究结果表明,器件的阈值电压和最大工作栅压与SiGe层Ge组分关系密切,Ge组分的适当提高可以使器件工作栅电压范围有效增大.

关键词： SiGe P型场效应管阈值电压量子阱空穴面密度

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双极晶体管微波损伤效应与机理

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物理学报 2012年第7期61卷 511-517页

作者：马振洋柴常春任兴荣杨银堂陈斌西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信... 详细信息

结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化,研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理.结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周,在正半周时器件峰值温度略有下降,与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤,其易损部位是B-E结.对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明,初相为π的信号更容易损伤器件,而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.

关键词：双极晶体管高功率微波损伤机理

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