检索结果-内蒙古大学图书馆

科学通报 2011年第11期56卷 822-827页

作者：刘莉杨银堂马晓华西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西安电子科技大学技术物理学院西安710071

采用原子层淀积（ALD）方法在4H-SiC（0001）8°N-/N＋外延层上制备了超薄（~4nm）Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,... 详细信息

采用原子层淀积（ALD）方法在4H-SiC（0001）8°N-/N＋外延层上制备了超薄（~4nm）Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,Al2O3薄膜的击穿电场为25MV/cm,并且在可以接受的界面态密度（2×1013cm-2）下具有较小的栅泄漏电流（8MV/cm电场下漏电流密度为1×10-3A/cm-2）.电流-电压测试分析表明,在FN隧穿条件下,SiC/Al2O3之间的势垒高度为1.4eV,已达到制作SiCMISFET器件的要求.同时,在整个栅压区域也受Frenkel-Poole和Schottky机制的共同影响.

关键词： Al2O3 SiC MIS电容栅泄漏电流 C-V特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于正交信道的双M-ary扩频通信方案

引用

系统仿真学报 2011年第5期23卷 984-986页

作者：曾志斌庄奕琪向新姚引娣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室西安710071 西安邮电学院通信工程系西安710061

针对传统系统中伪码资源缺乏以及同步实现较困难等方面的问题,提出一种新的双M-ary扩频通信系统方案,该系统采用两条正交支路传输信息,其中在同相支路上采用M-ary双正交扩频调制,在正交支路上采用CPSK扩频调制。该方案能够利用信息自身... 详细信息

针对传统系统中伪码资源缺乏以及同步实现较困难等方面的问题,提出一种新的双M-ary扩频通信系统方案,该系统采用两条正交支路传输信息,其中在同相支路上采用M-ary双正交扩频调制,在正交支路上采用CPSK扩频调制。该方案能够利用信息自身扩频调制准确实现同步,不需要额外提供同步资源。仿真结果表明,它与传统M-ary扩频方案性能相一致,但在传输比特信息时,它只需约四分之一的传统M-ary扩频的条数,有效地节省了扩频码资源。

关键词：扩频通信正交信道同步 CPSK扩频 M-ary双正交

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无源RFID应答器的改进电荷泵设计

引用

固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 522-526页

作者：乔丽萍靳钊西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西藏民族学院信息工程学院陕西咸阳712082 长安大学信息工程学院西安710064

提出了一种适用于ISO/IEC 18000-6C标准的无源RFID(射频识别)应答器的改进电荷泵。该设计基于导通角的概念分析能量转化效率。整个结构包含主电荷泵和偏置电路,通过二极管连接的MOS管抑制负载来提升偏置电压,并调节偏置电压有效抑制反... 详细信息

提出了一种适用于ISO/IEC 18000-6C标准的无源RFID(射频识别)应答器的改进电荷泵。该设计基于导通角的概念分析能量转化效率。整个结构包含主电荷泵和偏置电路,通过二极管连接的MOS管抑制负载来提升偏置电压,并调节偏置电压有效抑制反向漏电流,消除了传统电荷泵中的阈值损失。该电荷泵采用0.35μm CMOS工艺流片,实测结果表明,在距离读写器4.2 m处,负载电阻100 kΩ情况下,电荷泵输出可以达到1.5 V,能量转换效率最高可达26.2%,满足RFID系统设计要求。

关键词：射频识别电荷泵导通角能量转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无源超高频射频识别标签中嵌入式温度传感器设计

引用

电子测量与仪器学报 2011年第5期25卷 468-473页

作者：刘伟峰庄奕琪齐增卫唐龙飞西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

提出了一种集成在无源超高频射频识别(UHF RFID)标签中的嵌入式温度传感器的设计方法。采用双振荡器结构,利用标准时钟对受温度影响的时钟形成的信号进行采样并计数,根据计数值与温度的线性关系获得温度的测量值。振荡器采用对称结构,... 详细信息

提出了一种集成在无源超高频射频识别(UHF RFID)标签中的嵌入式温度传感器的设计方法。采用双振荡器结构,利用标准时钟对受温度影响的时钟形成的信号进行采样并计数,根据计数值与温度的线性关系获得温度的测量值。振荡器采用对称结构,消除了由于工艺影响造成的线性度的偏离。提出的温度传感器部分电路面积102.0μm×19.8μm,采用TSMC 0.18μm Mix-signal/RF CMOS工艺进行流片,测试结果显示,在工作电压1.0 V时,电路最大功耗为1.32μW,在?40℃^+55℃温度范围内,测量误差不超过2℃。

关键词：超高频射频识别温度传感器设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

界面陷阱对高κ栅MOS器件C-V特性影响的定量研究

引用

新型工业化 2011年第12期 91-96页

作者：刘红侠刘世宏西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071

本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特性。研究结果表明，受主界面陷阱和中性电子界面陷阱导致MOS器件的平带电压向右移动，而施主界面陷阱和中... 详细信息

本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特性。研究结果表明，受主界面陷阱和中性电子界面陷阱导致MOS器件的平带电压向右移动，而施主界面陷阱和中性空穴界面陷阱会导致平带电压左移;能量分布在禁带中央的界面陷阱比靠近导带或价带的界面陷阱对C-V曲线的影响大。上述研究结果对定量研究不同类型的界面陷阱对高κ栅MOS器件电特性的影响有重要意义。

关键词： MOS器件界面陷阱高κ栅 C-V特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于太阳电池的氮化硅减反射特性研究

应用于太阳电池的氮化硅减反射特性研究

引用

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：朱峰舒斌张鹤鸣王斌耿金文宋朝阳邸绍岩西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 10071

提高太阳能电池表面的氮化硅薄膜材料的折射率是提高太阳能电池转换效率的有效途径。通过分析氮化硅薄膜材料的折射率与PECVD工艺条件的关系，研究了氮化硅薄膜材料的减反射特性。在优化的PECVD工艺条件下，制备出了高折射率的氮化硅薄... 详细信息

提高太阳能电池表面的氮化硅薄膜材料的折射率是提高太阳能电池转换效率的有效途径。通过分析氮化硅薄膜材料的折射率与PECVD工艺条件的关系，研究了氮化硅薄膜材料的减反射特性。在优化的PECVD工艺条件下，制备出了高折射率的氮化硅薄膜材料，该材料用作太阳电池的减反射层将有效提高其转换效率。

关键词：太阳能电池氮化硅薄膜化学气相沉积减反射特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

喇曼光谱应变Si透射深度实验研究

喇曼光谱应变Si透射深度实验研究

引用

2011 International Conference on Future Computer Science and Application(FCSA 2011)

作者：宋建军毛逸飞单恒升杨晨东李永茂张鹤鸣胡辉勇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室

应变Si材料性能增强源于应力的引入,对其应力的量化表征可通过喇曼光谱分析实现。本文基于不同层结构应变Si/Si0.8Ge0.2样品,重点分析喇曼光谱仪不同光源波数在应变Si材料中的透射深度,并获得了有实用价值的相关结论,可为硅基应变材料... 详细信息

应变Si材料性能增强源于应力的引入,对其应力的量化表征可通过喇曼光谱分析实现。本文基于不同层结构应变Si/Si0.8Ge0.2样品,重点分析喇曼光谱仪不同光源波数在应变Si材料中的透射深度,并获得了有实用价值的相关结论,可为硅基应变材料应力的测试分析提供重要参考。

关键词：喇曼应力应变

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

引用

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬底Ge组份、衬底... 详细信息

在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬底Ge组份、衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度等因素的影响较大;而对于500衄以上的沟道长度，可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。

关键词：金属-氧化物-半导体场效应管短沟道效应阈值电压锗沟道漏致势垒降低效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应变Ge价带色散模型研究

应变Ge价带色散模型研究

引用

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：戴显英宁静付毅初王宗伟宋建军张鹤呜郝跃王琳王晓晨查冬李志西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge，通过该模型可获得任意K方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量。

关键词：半导体材料应变锗价带结构 kp微扰理论色散关系模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiGe RPCVD流体动力学模拟

SiGe RPCVD流体动力学模拟

引用

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：戴显英竹毅初邵晨峰吉瑶郭静静宁静郝跃张鹤鸣王晓晨李志王琳查冬西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数。

关键词：锗硅异质结材料减压化学汽相淀积计算流体动力学模拟仿真工艺优化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：