检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2010年第1期39卷 226-231页

作者：李志明郝跃张进成许晟瑞毕志伟周小伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,... 详细信息

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性。

关键词： GaN生长 MOCVD 数值仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度

引用

光谱学与光谱分析 2010年第7期30卷 1995-1997页

作者：贾仁需张玉明张义门郭辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。... 详细信息

对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试,采用不同晶面衍射峰,计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因,并提出了相应的解决办法。

关键词： 4H-SiC 同质外延生长 X射线衍射位错密度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响

引用

物理学报 2010年第11期59卷 8063-8070页

作者：张冰柴常春杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMO... 详细信息

基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMOS)ESD保护电路3D模型,对所建模型中漏接触孔到栅距离(drain contact togate spacing,DCGS)与源接触孔到栅距离(source contact to gate spacing,SCGS)对保护电路鲁棒性指标--开启电压、击穿电压、自热峰值等参数的影响进行了系统研究.仿真结果表明,DCGS和SCGS的改变对保护电路的开启电压和热平衡没有影响,而DCGS比起SCGS对保护电路的击穿电压和器件的自热峰值敏感度更高,但持续增大DCGS和SCGS并不能单调提升保护电路的击穿电压值以及降低器件的自热峰值,因此不宜单一通过增大DCGS和SCGS的方式来改善ESD保护电路的鲁棒性.仿真结果与0.5μm和0.6μm CMOS工艺流片的传输线脉冲(transmission line pulse,TLP)测试结果对比显示,本文建立模型的仿真结果较好地反映了保护电路在ESD条件下的电、热特性趋势,其结论与测试结果符合.本文的研究结果为次亚微米ggNMOS ESD保护电路版图设计中的参数选取提供了依据.

关键词：栅接地NMOS 静电放电漏接触孔到栅的距离源接触孔到栅的距离

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

小规模频繁子电路的规律性预提取算法

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2010年第2期22卷 226-233页

作者：潘伟涛郝跃谢元斌史江一西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成... 详细信息

针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成时根节点组合爆炸的问题.实验结果表明,该算法能够降低根节点的数量,使支持度高的候选子电路得到优先提取,并显著地减少了规律性提取的时间.

关键词：子电路同构候选子电路频繁子电路规则性指数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

引用

物理学报 2010年第12期59卷 8877-8882页

作者：刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET... 详细信息

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

关键词：应变硅绝缘层上硅锗 p型金属氧化物场效应晶体管阈值电压解析模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

引用

人工晶体学报 2010年第4期39卷 1072-1077页

作者：李志明郝跃张进成陈炽薛军帅常永明许晟瑞毕志伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时... 详细信息

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量。

关键词： MOCVD 感应加热热分析基座

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

引用

物理学报 2010年第11期59卷 8131-8136页

作者：李劲刘红侠李斌曹磊袁博西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的G... 详细信息

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(short channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.

关键词：应变Si 高k栅短沟道效应漏致势垒降低

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

引用

物理学报 2010年第11期59卷 8118-8124页

作者：柴常春席晓文任兴荣杨银堂马振洋西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不... 详细信息

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.

关键词：双极晶体管强电磁脉冲器件损伤损伤功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

引用

物理学报 2010年第5期59卷 3542-3546页

作者：程萍张玉明张义门王悦湖郭辉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10min和30min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火... 详细信息

采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10min和30min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.

关键词：高温退火本征缺陷电子顺磁共振谱光致发光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究

引用

物理学报 2010年第3期59卷 1890-1894页

作者：吴振宇杨银堂汪家友西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

建立了表面波驱动等离子体天线装置,提出了一种等离子体天线表面电流指数分布模型,并利用该表面电流分布模型计算了天线的辐射方向图.研究结果表明,等离子体密度随轴向距离的增大呈指数衰减趋势.正常工作状态下表面波波矢虚部随等离子... 详细信息

建立了表面波驱动等离子体天线装置,提出了一种等离子体天线表面电流指数分布模型,并利用该表面电流分布模型计算了天线的辐射方向图.研究结果表明,等离子体密度随轴向距离的增大呈指数衰减趋势.正常工作状态下表面波波矢虚部随等离子体密度的增大而下降,遵循与等离子体密度类似的指数衰减规律,但其实部则基本保持不变.等离子体天线的表面电流呈振幅指数衰减行波模式.利用该表面电流分布模型计算得到的辐射方向图呈现典型的8字形分布,与实验测量结果良好符合.当射频功率减小,等离子体天线辐射方向图宽化.

关键词：等离子体天线表面电流分布方向图

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：