检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：杜大超林志宇马俊彩张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,... 详细信息

采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的体电子浓度。室温PL谱测量结果证明,尽管成核层温度不同。N面GaN的带边峰均出现红移,且低温氮化镓外延薄膜的红移较小,对应于较低的张应力。此外,从AFM图像上可以看到,外延薄膜表面形貌对成核层温度是极其敏感的。对此,我们基于以上实验结果,从的角度出发,讨论了不同温度下N面GaN的生长行为对外延薄膜质量及形貌的影响。

关键词： N面GaN 成核层晶体质量表面形貌生长机理

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双沟道AlGaN/GaN异质结构

双沟道AlGaN/GaN异质结构

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：付小凡王昊林志宇马俊彩刘子扬张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为2×10... 详细信息

采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为2×1018cm-3;样品C在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为3×1019cm-3。霍尔效应测量结果三样品方块电阻分别是:样品A为336Ω/口:样品B为225Ω/口;样品C为145Ω/口,表明采用势垒层掺杂的多沟道结构可有效降低AlGaN/GaN HEMT方块电阻。

关键词： AlGaN/GaN 多沟道异质结构

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新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备

新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛军帅郝跃欧新秀史林玉张进成马晓华王冲西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V... 详细信息

作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V.s,此结果显示了该方法在高质量InAlN薄膜生长中的显著优势.同时制备的InAlN/CaN HEMT器件表现出优越的性能,最大跨导为320mS/mm,最大漏极饱和电流为1A/mm。

关键词： InAlN CaN HEMTs 化合物半导体

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薄势垒增强型器件的制备与特性分析

薄势垒增强型器件的制备与特性分析

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于惠游杨丽媛全思马晓华王冲张进城郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5μm,源漏间距4μm,器件在150W 100s的F等离子体处理的条件下,... 详细信息

研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5μm,源漏间距4μm,器件在150W 100s的F等离子体处理的条件下,阈值达到1.3V。退火可以有效恢复等离子体处理诱导的损伤提高二维电子气的迁移率。器件在N2气氛中300℃2min退火后饱和电流达到300mA/mm,最大跨导177 mS/mm。C—V测试表明等离子体处理可以减少器件栅下势垒层的厚度,降低二维电子气浓度,增加栅控,从而提高器件阈值电压。

关键词：高电子迁移率晶体管薄势垒增强型器件 F等离子体处理阈值电压

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无源超高频RFID时钟不敏感基带设计与实现

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西安邮电学院学报 2010年第6期15卷 108-112,120页

作者：张小平刘伟峰陕西省物联网实验研究中心陕西西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071

为提高无源超高频RFID电子标签的性能,针对通信过程中标签解码对时钟精度要求严格以及反向散射编码需实现多通信速率的特点,提出一种对时钟精度相对不敏感的基带设计方法。通过区间分段的分频控制方法实现多通信速率的控制,采用相对比... 详细信息

为提高无源超高频RFID电子标签的性能,针对通信过程中标签解码对时钟精度要求严格以及反向散射编码需实现多通信速率的特点,提出一种对时钟精度相对不敏感的基带设计方法。通过区间分段的分频控制方法实现多通信速率的控制,采用相对比值解码的方法解决对基带时钟精度要求严格的问题。该设计实现了通信速率从40KHz到640KHz的动态覆盖,满足ISO/IEC18000-6C协议中对反向链路频率的规定,同时整个基带对系统时钟的偏差不敏感,可以工作在一个动态系统时钟下,为进一步降低系统时钟进而降低功耗奠定了基础。该设计最终采用TSMC 180nm CMOS工艺实现流片,测试结果与设计结果相吻合,具有良好的性能。

关键词：超高频射频识别时钟多通信速率基带

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应变Si PMOSFET电流特性研究

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电子器件 2010年第4期33卷 438-441页

作者：胡辉勇崔晓英张鹤鸣宋建军戴显英宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 中国电子科技集团第五研究所分析中心广州510610

生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学... 详细信息

生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具。

关键词：应变Si PMOSFET 阈值电压 I-V特性

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F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：全思于惠游郝跃马晓华张进城西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影... 详细信息

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影响,对不同功率F处理的器件施加漏台阶应力。结果显示F等离子体处理的器件应力后阈值电压均有负漂,F处理功率越大t阈值电压漂移量越小。同时,F等离子体处理的栅漏二极管电应力可靠性比未进行F等离子体处理的栅漏二极管可靠性高,且处理功率越大,可靠性越好。因此,F等离子体处理功率应折中选择,功率过小,器件可靠性差,功率过大,器件直流特性差。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 光刻技术 F等离子体处理功率

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一种电流模式多输入可控PWM比较器设计

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电子器件 2010年第1期33卷 81-84页

作者：吴铁峰张鹤鸣胡辉勇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 佳木斯大学信息电子技术学院黑龙江佳木斯154007

提出了一种用于PWM(Pulse Width Modulation)控制器的比较器输出电路的设计,该电路基于电流模式控制,能够同时对三路输入信号进行比较输出并对输出信号进行锁存。为了在PWM控制电路启动的时候让输出脉冲占空比从小到大逐渐变化,比较器... 详细信息

提出了一种用于PWM(Pulse Width Modulation)控制器的比较器输出电路的设计,该电路基于电流模式控制,能够同时对三路输入信号进行比较输出并对输出信号进行锁存。为了在PWM控制电路启动的时候让输出脉冲占空比从小到大逐渐变化,比较器电路设计采用了一个反相输入端,两个同相输入端,其中一个同相输入端控制PWM比较器是否产生输出信号,从而可以降低开关频率,对PWM控制电路起到保护作用。仿真和测试结果显示该比较器能有效地控制PWM输出,并且占空比范围宽、延迟时间短。

关键词：电流模式脉宽调制多输入可控比较器

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GaN基异质结缓冲层漏电分析

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物理学报 2009年第3期58卷 1959-1965页

作者：张进城董作典秦雪雪郑鹏天刘林杰郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载... 详细信息

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.

关键词： AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层漏电成核层

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高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响

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物理学报 2009年第7期58卷 4925-4930页

作者：倪金玉郝跃张进成段焕涛张金风西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小.增加的... 详细信息

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小.增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场,提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)面密度,另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消.同时,这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的晶格失配,改善了AlGaN/GaN异质结界面特性,有利于减弱界面粗糙度散射,提高2DEG迁移率.利用这种插入层结构的AlGaN/GaN异质结材料研制了栅长为1μm的HEMTs器件,其最大漏电流和最大跨导比常规HEMTs器件分别提高了42%和20%.

关键词：高温AlN插入层 AlGaN/GaN异质结二维电子气应力

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