检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2009年第11期58卷 7947-7951页

作者：宋建军张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001),(101)和(111)面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex(x≤0.5)的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分(x)的函数变化关系,该量化数据对器... 详细信息

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001),(101)和(111)面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex(x≤0.5)的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分(x)的函数变化关系,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

关键词：应变Si1-xGex K.P法能带结构

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LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

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物理学报 2009年第6期58卷 4214-4218页

作者：程萍张玉明郭辉张义门廖宇龙西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR... 详细信息

利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.

关键词：低压化学气相沉积高纯半绝缘4H-SiC 电子自旋共振本征缺陷

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有丢失物缺陷的铜互连线中位寿命的定量研究

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物理学报 2009年第11期58卷 7716-7721页

作者：周文刘红侠西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071

本文研究了六层互连线上的丢失物缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,提出了各层互连线缺陷处的温度模型和缺陷在不同互连层的中位寿命模型,能够定量地计算缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,给出了提高互连线中位寿命的方法.研究结果表明:... 详细信息

本文研究了六层互连线上的丢失物缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,提出了各层互连线缺陷处的温度模型和缺陷在不同互连层的中位寿命模型,能够定量地计算缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,给出了提高互连线中位寿命的方法.研究结果表明:互连线宽度与缺陷处互连线有效宽度的比值越大,互连线寿命越短;缺陷处的温度越高,互连线寿命越短.在互连线参数变化明显的层与层之间,互连线寿命受比值和温度的双重影响,寿命急剧下降.根据该物理模型可以准确计算出互连线具体的温度和寿命数据,可以直接指导集成电路的设计和工艺制造.

关键词：丢失物缺陷中位寿命可靠性铜互连

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高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

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物理学报 2009年第1期58卷 511-517页

作者：谷文萍郝跃张进城王冲冯倩马晓华西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的... 详细信息

采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的增加和应力时间的累积而增大;对于不同的栅应力,相对来说,脉冲栅应力和开态栅应力下器件特性的退化比关态栅应力下的退化大.对不同应力前后器件饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压的分析表明,AlGaN势垒层陷阱俘获沟道热电子以及栅极电子在栅漏间电场的作用下填充虚栅中的表面态是这些不同应力下器件退化的主要原因.同时,不同栅应力下器件的退化表明,钝化只是把短时间的电流崩塌问题转化成了长时间的退化问题,它并不能从根本上完全解决AlGaN/GaN HEMT的可靠性问题.

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件表面态(虚栅) 势垒层陷阱应力

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^(60)Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

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物理学报 2009年第2期58卷 1161-1165页

作者：谷文萍张进城王冲冯倩马晓华郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变... 详细信息

采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小.对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaNHEMT器件电特性退化的主要原因之一.

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐射表面态

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应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性

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物理学报 2009年第7期58卷 4958-4961页

作者：宋建军张鹤鸣宣荣喜胡辉勇戴显英西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)Si1-xGex材料价带带边(重空穴带)、亚带边(轻空穴带)空穴有效质量在某些k矢方向变化显著,各向异性更加明... 详细信息

基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)Si1-xGex材料价带带边(重空穴带)、亚带边(轻空穴带)空穴有效质量在某些k矢方向变化显著,各向异性更加明显.价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成果为Si基应变PMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据.

关键词：应变Si 价带空穴有效质量

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Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响

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物理学报 2009年第10期58卷 7211-7215页

作者：毕志伟冯倩郝跃岳远征张忠芬毛维杨丽媛胡贵州西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果.

关键词： Al2O3 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管介质层厚度钝化

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金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究

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物理学报 2009年第8期58卷 5705-5708页

作者：许晟瑞张进城李志明周小伟许志豪赵广才朱庆伟张金凤毛维郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺... 详细信息

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(110)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.

关键词： GaN 原子力显微镜高分辨X射线衍射仪非极性

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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

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物理学报 2009年第1期58卷 494-497页

作者：汤晓燕张义门张玉明宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,... 详细信息

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.

关键词：碳化硅肖特基接触阈值电压

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应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

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物理学报 2009年第7期58卷 4948-4952页

作者：张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的... 详细信息

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.

关键词：应变硅阈值电压电势分布反型层

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