检索结果-内蒙古大学图书馆

科学通报 2009年第9期54卷 1214-1217页

作者：倪金玉郝跃张进成杨林安西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

研究了生长压力对金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的生长速率、表面形貌和结晶质量的影响.研究结果表明,随着反应室压力由2500Pa增加到20000Pa,GaN薄膜表面逐渐粗化,生长速率逐渐下降.粗糙的表面形貌与初始高温... 详细信息

研究了生长压力对金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的生长速率、表面形貌和结晶质量的影响.研究结果表明,随着反应室压力由2500Pa增加到20000Pa,GaN薄膜表面逐渐粗化,生长速率逐渐下降.粗糙的表面形貌与初始高温GaN成核岛的特征密切相关.初始高温GaN生长阶段采用高压条件,因低的吸附原子表面扩散率而容易形成低密度、大尺寸的GaN岛.这些GaN岛推迟了二维生长过程的出现,降低了薄膜的生长速率.同时,这些低密度、大尺寸的GaN岛在此后生长合并过程中产生较少的线位错,从而降低了GaN薄膜X射线摇摆曲线的半高宽.

关键词：氮化镓反应室压力生长速率表面形貌结晶质量

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利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

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物理学报 2009年第10期58卷 7114-7118页

作者：段宝兴杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建... 详细信息

利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029 cm-1,与文献实验结果480.0 cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态.

关键词： Keating模型拉曼光谱 Si(1-χ)Geχ 非晶硅

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6H-SiC体材料在SF6/O2混合气体中的ICP刻蚀

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 343-346页

作者：丁瑞雪杨银堂韩茹西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西北工业大学航空微电子中心西安710072

采用SF6/O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了ICP功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,刻蚀表面质... 详细信息

采用SF6/O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了ICP功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,刻蚀表面质量随偏置电压及O2的含量的增大而降低,而ICP功率的变化对刻蚀质量影响不大。混合气体中O2含量为20%时刻蚀速率达到最大值,同时加入氧气后形成易于充电的SiFxOy中间层,从而促进了微沟槽的形成。

关键词：碳化硅感应耦合等离子体刻蚀速率微沟槽

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异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响

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材料导报 2009年第4期23卷 1-5页

作者：高志远郝跃张金凤西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应... 详细信息

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法。

关键词： GaN 缺陷结构表面形貌生长机理

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高温层的横向生长对异质外延GaN结构性质的影响

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中国科学（E辑） 2009年第1期39卷 124-128页

作者：高志远郝跃李培咸张进城西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离... 详细信息

通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离c轴,弯向晶粒内部,且弯曲的位置越靠近缓冲层,但位错密度并不随横向生长的加速而单调变化.提出了一个关于GaN生长动力学过程和位错弯曲机制的模型以解释横向生长与GaN结构的对应关系.

关键词： GaN 横向生长位错 V/III

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基于AlN基板的不同Al组分的AlGaN材料生长

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功能材料与器件学报 2009年第6期15卷 575-580页

作者：周小伟李培咸郝跃西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜... 详细信息

采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜在生长合并过程中产生的张应力也增大。在Al组分为0.67时,发现这两种应力处于一种平衡的状态,此时的AlGaN薄膜有最优的结晶质量。

关键词：脉冲MOCVD法 AlGaN材料薄膜应力

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微带线碳化硅E类功率放大器设计

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微电子学 2009年第6期39卷 765-768页

作者：徐志超吕红亮张玉明张义门西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%... 详细信息

SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%,漏极效率可达80%,功率增益约为10 dB。

关键词： E类功率放大器 SiC MESFET 微带线谐波抑制

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低功耗测试向量产生技术的研究

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微电子学与计算机 2009年第1期26卷 213-216页

作者：高海霞张弘西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

测试功耗问题是当今深亚微米芯片设计领域研究的热点,低功耗测试向量产生技术能够产生低功耗测试向量,且不需要对设计进行内在修改.文中分析了低功耗测试的重要性及现有低功耗测试向量产生方法,从外部测试、内建自测试和测试数据压缩技... 详细信息

测试功耗问题是当今深亚微米芯片设计领域研究的热点,低功耗测试向量产生技术能够产生低功耗测试向量,且不需要对设计进行内在修改.文中分析了低功耗测试的重要性及现有低功耗测试向量产生方法,从外部测试、内建自测试和测试数据压缩技术三方面分析了低功耗测试向量产生技术的基本思路、研究现状及其优缺点,提出连续测试向量间的相关性是低功耗测试向量产生技术的关键问题.

关键词：低功耗测试测试向量产生

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改善蓝牙匹克网数据传输的MSK方法

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计算机科学 2009年第9期36卷 86-88,109页

作者：张超庄奕琪徐飞吕天然西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 河南大学计算机与信息工程学院开封475004

蓝牙协议规定的调制方式需要在较高的传输信噪比下才能有效地进行数据传输。MSK调制解调方法能有效提高低信噪比情况下的无线通信的可靠性。建立了蓝牙数据传输系统的数学模型,推导了蓝牙数据分组传输吞吐率和平均接收信噪比之间的函数... 详细信息

蓝牙协议规定的调制方式需要在较高的传输信噪比下才能有效地进行数据传输。MSK调制解调方法能有效提高低信噪比情况下的无线通信的可靠性。建立了蓝牙数据传输系统的数学模型,推导了蓝牙数据分组传输吞吐率和平均接收信噪比之间的函数表达式;分析了几种调制方式在高斯加性白噪声信道中的数据传输性能,证明了使用MSK方法可以有效提高蓝牙匹克网在噪声信道中的数据传输性能。仿真结果支持了前面的结论,对于改善蓝牙匹克网在噪声信道中数据传输性能的研究提供了参考。

关键词：蓝牙数据传输数据吞吐量 MSK

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利用分步试验设计表征/优化工艺空间均匀性

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微电子学 2009年第2期39卷 285-288页

作者：游海龙贾新章徐岚陈亚兰西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

半导体制造工艺成品率对空间差异越来越敏感,需要表征与优化工艺空间均匀性。利用两步试验设计方法,针对六输入变量的热氧化工艺,仅需31次试验,便建立了表征工艺目标和空间均匀性响应曲面模型。利用该模型优化工艺,得到了满足其他工艺... 详细信息

半导体制造工艺成品率对空间差异越来越敏感,需要表征与优化工艺空间均匀性。利用两步试验设计方法,针对六输入变量的热氧化工艺,仅需31次试验,便建立了表征工艺目标和空间均匀性响应曲面模型。利用该模型优化工艺,得到了满足其他工艺指标下工艺空间均匀性最优的工艺设置。片间非均匀性从1.44%减小到0.77%,片内非均匀性从0.2%减小到0.12%。

关键词：半导体工艺工艺空间均匀性分步试验设计响应曲面模型

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