检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2009年第3期32卷 583-585,591页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇刘宁宁西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

设计了一款高增益、宽带宽、输出摆幅可控制的新型误差放大器。通过新增A2、A3两个比较器器模块,误差放大器的输出摆幅可以随着控制端输入电压Vr的不同进行调整,增加了电路应用的灵活性。经过CHMC SB45工艺验证,所设计的误差放大器输出... 详细信息

设计了一款高增益、宽带宽、输出摆幅可控制的新型误差放大器。通过新增A2、A3两个比较器器模块,误差放大器的输出摆幅可以随着控制端输入电压Vr的不同进行调整,增加了电路应用的灵活性。经过CHMC SB45工艺验证,所设计的误差放大器输出低电平为Vr,高电平为Vr+2v,开环增益为80dB,单位增益带宽为11.9MHz。该误差放大器已经应用到了PWM芯片中,使得PWM最大、最小占空比可调,大幅提升了芯片系统的整体性能。

关键词： PWM 误差放大器输出摆幅宽带宽占空比

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n型4H-SiC晶体缺陷的无损表征

n型4H-SiC晶体缺陷的无损表征

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第十七届全国半导体物理学术会议

作者：苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材料的堆垛层错的无损表征，对于SiC材料的多种缺陷利用一种方法同时进行表征的还未见报道。本文利用... 详细信息

目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材料的堆垛层错的无损表征，对于SiC材料的多种缺陷利用一种方法同时进行表征的还未见报道。本文利用阴极荧光联合分析系统对偏8°的4H-SiC外延材料缺陷进行无损测试，从材料的表面以及深层对缺陷进行观测，同时得到了多种缺陷形貌，为4H-5iC材料与器件的研究工作提供有价值的信息。

关键词：晶体缺陷外延材料无损测试阴极荧光

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一种基于90nm工艺的10位电荷再分配型逐次逼近模数转换器IP

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电子器件 2009年第3期32卷 596-600页

作者：徐峰陈杉李小珍杨银堂秉亮科技苏州有限公司江苏苏州215021 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计。该转换器采用UMC 90nm SP-RVT CMOS工艺。该转换器IP的特点是采用了一种利用边缘效应的边缘电容器来代替代价昂贵的PIP和MIM电... 详细信息

在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计。该转换器采用UMC 90nm SP-RVT CMOS工艺。该转换器IP的特点是采用了一种利用边缘效应的边缘电容器来代替代价昂贵的PIP和MIM电容器,提高了该IP的工艺兼容性,降低了成本。后仿真结果显示,此A/D转换器在1Msam-ple/S的速度下,有效位数可达9.6bit,功耗仅为500μW。

关键词： IP 电荷再分配 A/D转换器 CMOS 边缘电容器

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一种新的测量放大器的共模抑制比计算模型

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电子器件 2009年第3期32卷 601-603,607页

作者：吴铁峰张鹤鸣胡辉勇王斌西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 佳木斯大学信息电子技术学院黑龙江佳木斯154007

研究分析了用于放大微弱信号的三运放构成的测量放大器的共模抑制比,根据影响其共模抑制比的因素,在考虑有噪声干扰、非理想运放、电阻匹配及其应用条件的情况下,提出一种新的计算共模抑制比的模型。最后用构建的三运放测量放大器电路... 详细信息

研究分析了用于放大微弱信号的三运放构成的测量放大器的共模抑制比,根据影响其共模抑制比的因素,在考虑有噪声干扰、非理想运放、电阻匹配及其应用条件的情况下,提出一种新的计算共模抑制比的模型。最后用构建的三运放测量放大器电路的实际共模抑制比测量值与本文所提出模型的理论计算值相比较,其结果证明了本文所提出的计算模型提高了三运放测量放大器的计算精度、扩展了应用范围,并且是有效合理的。

关键词：测量放大器共模抑制比噪声电阻匹配非理想运放

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一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型

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科技信息 2009年第29期 50-51页

作者：高春燕李德昌张玉明汤晓燕苗瑞霞西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071 陕西青年职业学院数字信息技术系陕西西安710068 西安电子科技大学理学院陕西西安710071

本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及... 详细信息

本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节。

关键词： 4H-SiC 缺陷模型第一性原理计算

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AlGaN／GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

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物理学报 2008年第4期57卷 2456-2461页

作者：魏巍郝跃冯倩张进城张金凤西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之... 详细信息

对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.

关键词： AlGaN/GaN 击穿电压场板长度

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SiC外延层表面化学态的研究

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物理学报 2008年第7期57卷 4119-4124页

作者：马格林张玉明张义门马仲发宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:***外延... 详细信息

用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:***外延层表面的化学态结构为Si(CH2)4,SiO(CH2)3,SiO2(CH3)2,SiO3(CH3),Si—Si,游离H2O,缔合OH,Si—OH,O和O2.根据化学态结构和元素电负性确定了化学态的各原子芯电子束缚能顺序,并与XPS窄扫描谱拟合结果相对比,建立了化学态与其束缚能的对应关系,进而用Si(CH2)4的实际C1s束缚能值进行校正,确定了各化学态的束缚能.结果发现,除了SiCxOy(x=1,2,3,4,x+y=4)的Si2p束缚能彼此不同外,其C1s和O1s彼此也不相同,其中SiO2(CH3)2和SiO3(CH3)的C1s束缚能与CHm和C—O中C1s的相近,对此从化学态结构,元素电负性和邻位效应进行了解释.

关键词： SiC 化学态 XPS FTIR

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高κ介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型

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物理学报 2008年第6期57卷 3807-3812页

作者：栾苏珍刘红侠贾仁需蔡乃琼西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的J影响... 详细信息

为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的J影响,栅金属长度及其功函数变化的影响,不同漏电压对短沟道效应的影响.结果表明,沟道表面势中引入了阶梯分布,因此源端电场较强;同时漏电压引起的电势变化可以被屏蔽,抑制短沟道效应.栅介电常数增大,也可以较好的抑制短沟道效应.解析模型与数值模拟软件ISE所得结果高度吻合.

关键词：异质栅绝缘衬底上的硅阈值电压解析模型

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N型4H-SiC同质外延生长

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物理学报 2008年第10期57卷 6649-6653页

作者：贾仁需张义门张玉明王悦湖西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

利用水平式低压热壁CVD(LP-HW-CVD)生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiCSi(0001)晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率... 详细信息

利用水平式低压热壁CVD(LP-HW-CVD)生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiCSi(0001)晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%,1.99%和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.

关键词： 4H-SiC 同质外延生长水平热壁CVD 均匀性

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通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响

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物理学报 2008年第6期57卷 3730-3734页

作者：吴振宇杨银堂柴常春李跃进汪家友刘彬西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术研究了通孔直径分别为500和350nm的铜互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机理,并分析了... 详细信息

在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术研究了通孔直径分别为500和350nm的铜互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机理,并分析了通孔尺寸对铜互连应力迁移的影响.结果表明,M1互连应力和应力梯度在通孔底部边缘处达到极大值.应力梯度在应力诱生空洞成核过程中起主导作用,由张应力产生的过剩空位在应力梯度作用下沿CuM1/SiN界面作扩散运动并在应力梯度极大值处成核生长成空洞.由于M1互连应力沿横向方向变化较快,因此应力诱生空洞的横向生长速率较大.当通孔直径增大时,互连应力和应力梯度值增大,并导致应力诱生空洞的生长速率上升.

关键词：铜互连应力迁移应力诱生空洞失效

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