检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2008年第5期31卷 1704-1708页

作者：潘伟涛郭晋亮谢元斌史江一西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文基于最新的MMC4.1协议,设计了一款基于AHB总线的低功耗MMC卡控制器。设计采用了高性能改进异步FIFO。针对MMC卡常用于便携式产品中的低功耗需求,采用了动态功耗管理和门控时钟技术,可降低功耗约60%;探讨了一种基于SoC高性能接口控... 详细信息

本文基于最新的MMC4.1协议,设计了一款基于AHB总线的低功耗MMC卡控制器。设计采用了高性能改进异步FIFO。针对MMC卡常用于便携式产品中的低功耗需求,采用了动态功耗管理和门控时钟技术,可降低功耗约60%;探讨了一种基于SoC高性能接口控制器电路通用体系架构,已成功应用到多种接口控制器的设计中。设计通过了仿真(NC-Veril-og)、综合(DC)以及FPGA验证,嵌入到单板系统中,实现了与MMC存储卡之间的数据传输。

关键词： MMC 动态功耗管理异步FIFO MMCC

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掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

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电子器件 2008年第5期31卷 1529-1532页

作者：宋久旭杨银堂刘红霞石立春宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能... 详细信息

为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。

关键词：掺硼电子结构单壁碳纳米管第一性原理

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CAM卡中解扰模块的设计实现与验证

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计算机与数字工程 2008年第1期36卷 120-122,127页

作者：贾大中张鹤鸣戴显英胡辉勇张静波西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

依据CSA算法,对CAM卡中的解扰模块进行设计。采用verilog HDL语言设计。利用modelsim对其设计结果进行仿真验证。并在Xilinx上实现FPGA综合。设计结果可靠有效。具有很高的实用价值和市场价值。

关键词： CAM卡 CSA算法解扰模块流解密块解密

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基于SoC可配置CF/CF+卡控制器的设计

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电子器件 2008年第4期31卷 1288-1292页

作者：潘伟涛谢元斌史江一西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于最新的CF/CF+3.0协议,设计了一款基于AHB总线的可配置的CF/CF+卡控制器。设计采用了高性能乒乓操作方式的改进异步FIFO。针对CF/CF+卡实际使用时往往只需要其某一两种模式的特点,采用了一种可定制可裁剪CF/CF+控制器电路的设计思路... 详细信息

基于最新的CF/CF+3.0协议,设计了一款基于AHB总线的可配置的CF/CF+卡控制器。设计采用了高性能乒乓操作方式的改进异步FIFO。针对CF/CF+卡实际使用时往往只需要其某一两种模式的特点,采用了一种可定制可裁剪CF/CF+控制器电路的设计思路,极大地提高设计效率;探讨了一种基于SoC高性能接口控制器电路通用体系架构,已成功应用到多种接口控制器的设计中。设计通过了仿真(NC-Verilog)、综合(DC)以及FPGA验证,嵌入到单板系统中,实现了与CF存储卡之间的数据传输。

关键词： CF AMBA 异步FIFO CFHC

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非完整样本容量对工序能力影响分析

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工业工程与管理 2008年第2期13卷 60-63页

作者：王少熙贾新章西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

根据非线性最小二乘拟合方法,针对元器件厂家进行工序能力指数Cpk计算时,在不能获得全部数据的情况下无法使用传统方法完成Cpk的正确评估,采用Levenberg-Marquarat算法解决Gauss-Newton算法中的Hessian矩阵病态问题,引入阻尼因子调整取... 详细信息

根据非线性最小二乘拟合方法,针对元器件厂家进行工序能力指数Cpk计算时,在不能获得全部数据的情况下无法使用传统方法完成Cpk的正确评估,采用Levenberg-Marquarat算法解决Gauss-Newton算法中的Hessian矩阵病态问题,引入阻尼因子调整取值点的迭代方向,以数学期望公式表征累积分布函数值,建立数据非线性优化拟合模型。以实例检验此数学模型并得出常用数据值。

关键词：非线性最小二乘法工序能力指数正态分布标准偏差样本容量

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4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

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现代电子技术 2008年第10期31卷 24-26页

作者：任学峰杨银堂贾护军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-... 详细信息

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。

关键词： 4H-SiC射频功率MESFET I-V特性解析模型

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应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFE纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随SiG... 详细信息

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFE纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

关键词：应变硅阈值电压反型层弛豫衬底

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60Co γ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

60Co γ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：段超谷文萍郝跃张进城西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

主要研究了0.2 MradCoγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG... 详细信息

主要研究了0.2 MradCoγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成了器件的退化。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐照退化

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力V=20 V,V=0 V后发现SiN钝化使得应力产生的I、退化从36%减少到了30%。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEM的高场退化问题。作者认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件表面态势垒层陷阱高场应力

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钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)

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电子器件 2008年第3期31卷 770-775页

作者：王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 深圳市科技和信息局广东深圳518027

对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品... 详细信息

对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。

关键词：半绝缘碳化硅钒离子注入退火碳保护膜扩散

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