检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第8期28卷 1325-1329页

作者：游海龙贾新章王少熙西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基... 详细信息

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.

关键词：模拟集成电路 Kriging元模型最优化遗传算法

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钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第1期28卷 73-77页

作者：马香柏张进城郭亮良冯倩郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以... 详细信息

由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.

关键词：电流崩塌钝化场板结构

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硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究

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Journal of Semiconductors 2007年第5期28卷 778-782页

作者：娄利飞杨银堂李跃进张萍西安电子科技大学微电子学所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细... 详细信息

对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础.

关键词：锆钛酸铅压电薄膜微传感器湿法化学刻蚀

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硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作

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功能材料与器件学报 2007年第6期13卷 609-614页

作者：娄利飞杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学所/宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最... 详细信息

对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜做开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础。

关键词：锆钛酸铅(PZT) 压电薄膜微开关多孔硅

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基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究

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半导体技术 2007年第5期32卷 397-401页

作者：舒斌张鹤鸣任冬玲王伟西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而... 详细信息

提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高。

关键词：异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管应变Si 应变SiGe 垂直层叠

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基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析

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微电子学 2007年第6期37卷 830-832,841页

作者：邵科曹全军张义门张玉明孙明西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明... 详细信息

在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显。

关键词： 4H-SiC MESFET 陷阱跨导漏电导频散

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延续摩尔定律的新材料——应变Si

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半导体技术 2007年第8期32卷 650-652页

作者：任冬玲张鹤鸣舒斌户秋瑾宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应... 详细信息

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。

关键词：应变Si 应力引入衬底致双轴应变工艺致单轴应变

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基于分组网络结构NoC的BIST串扰测试方法

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微电子学 2007年第6期37卷 852-856页

作者：何世超蔡觉平郝跃宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

针对大规模NoC芯片设计中BIST测试时间长和消耗面积大的问题,提出一种测试NoC内switch间互连线串扰的BIST方法。对于互连线工作在1 GHz以下的大规模NoC,电容耦合是影响串扰的主要因素。通过并行测试结构,同时对几条受害线进行测试,有效... 详细信息

针对大规模NoC芯片设计中BIST测试时间长和消耗面积大的问题,提出一种测试NoC内switch间互连线串扰的BIST方法。对于互连线工作在1 GHz以下的大规模NoC,电容耦合是影响串扰的主要因素。通过并行测试结构,同时对几条受害线进行测试,有效减小了测试时间和电路面积。从理论角度对所提方法的测试时间和功率损耗进行了分析,以3×3 mesh结构的NoC为例,验证了所提方案和理论分析的正确性。

关键词：内建自测试 NoC 串扰测试向量

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一种VLSI热载流子退化的嵌入式实时预测方法

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微电子学 2007年第2期37卷 180-184页

作者：赵俊晖庄奕琪李小明宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

提出了一种VLSI热载流子退化的嵌入式实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预测电路设计。当VLSI热载流子退化引起的瞬态性能退化超过预设的界限时,预测电路会发出一个报警信号。它只占用很小的芯片面积,同时它几乎不与... 详细信息

提出了一种VLSI热载流子退化的嵌入式实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预测电路设计。当VLSI热载流子退化引起的瞬态性能退化超过预设的界限时,预测电路会发出一个报警信号。它只占用很小的芯片面积,同时它几乎不与被测电路共用信号(除上电复位信号和电源信号外),从而不会给被测试系统带来任何干扰。

关键词：热载流子实时预测可靠性 VLSI

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应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响

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微电子学 2007年第1期37卷 5-8页

作者：马香柏张进城郝跃冯倩宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物... 详细信息

电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态。

关键词： GaN HEMT 电流崩塌热电子应力大电场应力

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