检索结果-内蒙古大学图书馆

基于权重系数的多变量工序能力指数计算模型

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微电子学 2007年第4期37卷 504-506,510页

作者：王少熙贾新章张玲西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在因子分析模型的基础上,使用主成分分析方法计算载荷矩阵,选取全部公共因子,并考虑对应因子的贡献率,建立基于权重系数的多变量工序能力指数计算模型。该模型能克服多变量个数的限制问题。实例分析表明,计算结果能有效地反映工艺水平... 详细信息

在因子分析模型的基础上,使用主成分分析方法计算载荷矩阵,选取全部公共因子,并考虑对应因子的贡献率,建立基于权重系数的多变量工序能力指数计算模型。该模型能克服多变量个数的限制问题。实例分析表明,计算结果能有效地反映工艺水平的变化。

关键词：工序能力指数权重系数多变量质量特性

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超高频RFID标签的数字电路设计

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半导体技术 2007年第10期32卷 886-890页

作者：苑少娜刘红侠吴洪江廖斌西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

在研究读写器和射频标签通信过程的基础上,结合EPC C1G2协议以及ISO/IEC18000-6协议,采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路。对电路的系统结构和模块具体实现方法进行了描述。基于0.18μm CMOS工艺标准单元库,采用ED... 详细信息

在研究读写器和射频标签通信过程的基础上,结合EPC C1G2协议以及ISO/IEC18000-6协议,采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路。对电路的系统结构和模块具体实现方法进行了描述。基于0.18μm CMOS工艺标准单元库,采用EDA工具对电路进行了前端综合和后端物理实现。给出的仿真结果表明该电路符合协议要求,综合后的电路规模约为11000门,功耗约为35μW。该电路可应用于超高频段的各种RFID标签的数字部分。

关键词： EPCC1G2协议 ISO/IEC18000-6协议射频标签超高频数字电路

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一种自适应降低计算复杂度的视频解码方法

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电子器件 2007年第5期30卷 1670-1672,1676页

作者：刘伟峰庄奕琪郭锋西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料和器件重点实验室西安710071

在研究了离散余弦变换的频域分辨率与时域分辨率的转换关系的基础上,提出了一种基于自适应降阶IDCT的低复杂度视频解码方法.根据DCT系数块中非零系数的个数,对DCT系数进行自适应降采样.对降采样后的DCT系数块进行降阶的IDCT变换,再对变... 详细信息

在研究了离散余弦变换的频域分辨率与时域分辨率的转换关系的基础上,提出了一种基于自适应降阶IDCT的低复杂度视频解码方法.根据DCT系数块中非零系数的个数,对DCT系数进行自适应降采样.对降采样后的DCT系数块进行降阶的IDCT变换,再对变换后的块在时域中进行线性插值,最终实现解码.降阶IDCT处理降低的解码时间弥补了插值耗费的时间,还使解码的整体复杂度降低.测试结果表明,该方法解码时间可以节省60%-80%,而PSNR损失仅为0.3～0.7dB.

关键词：视频解码自适应降阶 IDCT 计算复杂度

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利用BCH纠错编码实现对蓝牙广播性能的改善

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电子器件 2007年第5期30卷 1662-1665,1669页

作者：徐飞庄奕琪郭锋西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为减少重传次数、提高蓝牙在噪声环境下的广播数据传输性能,提出了对蓝牙广播数据分组采用BCH码进行纠错编码的方法.根据蓝牙广播分组重传概率与平均接收信噪比的关系,分别提出了采用BCH纠错编码的广播数据分组和蓝牙原有的广播数据分... 详细信息

为减少重传次数、提高蓝牙在噪声环境下的广播数据传输性能,提出了对蓝牙广播数据分组采用BCH码进行纠错编码的方法.根据蓝牙广播分组重传概率与平均接收信噪比的关系,分别提出了采用BCH纠错编码的广播数据分组和蓝牙原有的广播数据分组在加性高斯白噪声信道下的自适应分组选择策略,即通过在不同的信噪比情况下选择不同的分组类型进行传输以得到最少的广播重传次数和最大的传输吞吐量.比较结果表明采用BCH纠错编码方法的广播性能要明显优于蓝牙原有的广播性能.

关键词：蓝牙广播信噪比 BCH编码数据传输吞吐量

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一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

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电子器件 2007年第4期30卷 1159-1163页

作者：朱志炜郝跃马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;... 详细信息

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.

关键词：静电放电片内ESD保护电路混合模式仿真能量驰豫时间非本地输运

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芯片剪切强度的工序能力分析

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电子器件 2007年第3期30卷 787-789,793页

作者：王少熙贾新章西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

确定了芯片剪切强度的三种工艺规范区域:分别是芯片面积小于0.32mm2、大于4.13mm2和在两者之间的三种规范区域;并使用工序能力指数Cpk对芯片剪切强度进行了分析,根据分析结果,指出在6σ设计要求下,可以从IC设计水平方面、生产工艺调整... 详细信息

确定了芯片剪切强度的三种工艺规范区域:分别是芯片面积小于0.32mm2、大于4.13mm2和在两者之间的三种规范区域;并使用工序能力指数Cpk对芯片剪切强度进行了分析,根据分析结果,指出在6σ设计要求下,可以从IC设计水平方面、生产工艺调整以及粘结材料的改变三方面改进芯片的剪切强度,提高工序能力水平和工艺成品率.

关键词：工艺规范剪切强度工序能力指数工艺成品率

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钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究

钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：王超张义门张玉明郝建民王悦湖西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

工作在微波频率下的 SiC 和 GaN 电子器件需要高质量的高阻 SiC 衬底。然而,对 SiC 而言很难生长出高纯度的高阻材料。由于高温生长时很难避免系统环境中氮元素和硼元素的掺入,生长出的大部分 SiC 晶片都呈现出施主或受主导电类型。在 S... 详细信息

工作在微波频率下的 SiC 和 GaN 电子器件需要高质量的高阻 SiC 衬底。然而,对 SiC 而言很难生长出高纯度的高阻材料。由于高温生长时很难避免系统环境中氮元素和硼元素的掺入,生长出的大部分 SiC 晶片都呈现出施主或受主导电类型。在 SiC 中掺入杂质钒可以形成两性的深能级,补偿

关键词：碳化硅半绝缘生长钒掺杂特性

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自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研究

自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研...

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：徐大庆张义门张玉明汤晓燕王超西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

有效地的自旋极化注入是构造自旋电子器件的关键,目前,主要是以磁性半导体和铁磁金属作为自旋极化的注入源,而绝大部分磁性半导体的居里温度都低于室温,因此室温下主要是以铁磁金属(FM) 作为注入源,但由于直接从 FM 向非磁性半导体(NS)... 详细信息

有效地的自旋极化注入是构造自旋电子器件的关键,目前,主要是以磁性半导体和铁磁金属作为自旋极化的注入源,而绝大部分磁性半导体的居里温度都低于室温,因此室温下主要是以铁磁金属(FM) 作为注入源,但由于直接从 FM 向非磁性半导体(NS)进行自旋注入的效率很低,因此如何高效率的从铁磁金属(FM)向非磁性半导体进行自旋注入一直是人们关注的焦点。利用隧穿模型和漂移扩散模型对自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化率与势垒区宽度以及所加偏压的关系进

关键词：自旋极化电子自旋极化注入肖特基势垒隧穿

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4H-SiC同质外延膜的研究

4H-SiC同质外延膜的研究

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：王悦湖张玉明张义门贾仁需张书霞西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

4H-SiC(Eg=3.26ev)作为宽禁带半导体材料的代表之一,具有高击穿电场(3 MV/cm),,高热导率 (4.9 W/cm K),,高载流子饱和漂移速度等优良特性,因此 SiC 电子器件在高温,高频,高功率等极端环境条件下使用具有很大的优势,是未来电子器件的理... 详细信息

4H-SiC(Eg=3.26ev)作为宽禁带半导体材料的代表之一,具有高击穿电场(3 MV/cm),,高热导率 (4.9 W/cm K),,高载流子饱和漂移速度等优良特性,因此 SiC 电子器件在高温,高频,高功率等极端环境条件下使用具有很大的优势,是未来电子器件的理想材料之一。

关键词：同质外延外延膜 SIC SiC

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K-H共掺p-ZnO薄膜的制备及其特征(英文)

K-H共掺p-ZnO薄膜的制备及其特征(英文)

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第五届国际材料与热加工物理模拟及数值模拟学术会议

作者：武军杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

为研究掺入I族元素制备p-ZnO的可行性,本文选用钾元素为掺杂剂,通过射频磁控溅射技术在Si(100)上沉积ZnO薄膜。利用霍尔、XRD、AFM和XPS等测试手段对样品的结构和电性能进行了分析。结果表明,典型K-H(H为非故意掺杂)共掺的ZnO薄膜呈现p... 详细信息

为研究掺入I族元素制备p-ZnO的可行性,本文选用钾元素为掺杂剂,通过射频磁控溅射技术在Si(100)上沉积ZnO薄膜。利用霍尔、XRD、AFM和XPS等测试手段对样品的结构和电性能进行了分析。结果表明,典型K-H(H为非故意掺杂)共掺的ZnO薄膜呈现p型导电,载流子浓度、电阻率和迁移率分别为5.45×1017cm-3,5.9?.cm和1.96cm2/V.s;结晶的薄膜表面均匀、致密,并可观察到明显的(002)择优生长特性,晶粒大小为纳米级,平均粒径15.30nm。最后对K-H共掺的ZnO薄膜呈p型电导的原因进行了讨论。

关键词： zinc oxide, p type, doping, potassium, RF magnetron sputtering.

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