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  • 476 篇 中文
检索条件"机构=西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料和器件重点实验室"
476 条 记 录,以下是411-420 订阅
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同质非有意掺杂4H-SiC外延研究
同质非有意掺杂4H-SiC外延研究
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 韩征 张玉明 张义门 王悦湖 贾仁需 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法,在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷,C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型,其浓度为1.2×1015c... 详细信息
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4H-SiC同质外延薄膜中表面研究
4H-SiC同质外延薄膜中表面研究
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 刘杰 张玉明 张义门 王悦湖 贾仁需 郭辉 韩征 曹卿 西安电子科技大学 微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在偏向晶向8°n型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应进行同质外延生长。利用原子力显微镜(AFM),观察外延晶片表面的中心、边缘以及边缘附近三处位置的表面形态。观察结果显示,中心处表面比边... 详细信息
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高性能PWM芯片输出控制T触发器的研究设计
高性能PWM芯片输出控制T触发器的研究设计
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 王天军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071
研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构,而通过内部电平控制实现对信号的锁存。芯片设计采用双极器件工艺,而非BiCMOS工艺,工艺实现简单。与TTL电路相比,该触发器所需晶体管少,且陛... 详细信息
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新型氮化镓MISFET栅介质材料
新型氮化镓MISFET栅介质材料
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 田靖 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071
采用溶胶凝胶法,制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构,测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上,得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN基MIS结构强反型电压为-3.4V。相对于传统的介质材料,BZN... 详细信息
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钒掺杂半绝缘6H-SiC的电子顺磁共振和吸收光谱研究
钒掺杂半绝缘6H-SiC的电子顺磁共振和吸收光谱研究
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 王超 张义门 张玉明 王悦湖 徐大庆 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071
对掺钒生长半绝缘6H-SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果表明,氮是SiC中主要存在的浅施主杂质,掺入的钒杂质通过束缚氮施主上的自由电子完成补偿作用,形成深的钒受主能级,得到具有半绝缘特性的SiC单晶。通... 详细信息
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利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层
利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 郭辉 张义门 张玉明 西安电子科技大学微电子学院 教育部宽禁带半导体材料重点实验室
利用中间层在欧姆接触界面形成梯度势垒,即把原来的一个高势垒通过中间层的存在分成两个或者更多的势垒。除了采用合金化退火的方法来形成中间合金相,还可以通过在 SiC 表面淀积能和金属形成良好欧姆接触的窄带半导体(如 InN)来形成中间... 详细信息
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n+多晶硅/N-SiC异质结欧姆接触的理论与实验研究
n+多晶硅/N-SiC异质结欧姆接触的理论与实验研究
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 郭辉 张义门 张玉明 曹全君 汤晓燕 西安电子科技大学 微电子学院 西安 710071 教育部宽禁带半导体材料重点实验室西安 710071
从理论和实验的角度,研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触。在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的N阱。使用LPCVD淀积多晶硅,并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□。得到的n+多晶硅/N-SiC欧姆... 详细信息
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高性能嵌入式UART IP核的设计
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电子器件 2007年 第4期30卷 1275-1278页
作者: 刘伟峰 庄奕琪 刘锋 何威 王英力 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071 北京大学计算机学院 北京100871
利用有限状态自动机理论[1]进行了可嵌入式UART的设计.支持AMBA 2.0 APB总线接口.采用了改进的异步FIFO,在提高传输速率的同时能够更加准确的判断出FIFO的空满状态.提出了一种新的小数分频的处理方法,操作简单,便于实现.设计通过了FPGA... 详细信息
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基于局部蒙特卡罗算法对电源/地线网络的快速瞬态分析
基于局部蒙特卡罗算法对电源/地线网络的快速瞬态分析
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 苏浩航 张义门 张玉明 满进财 张书霞 西安电子科技大学 微电子学院:宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071 西安武警工程学院 通信系 无线教研室 西安 710086
在传统随机游走算法的基础上,提出一种新的应用于电源,地线(P/G)网络瞬态分析的改进算法。该算法对线网按照实际的物理结构进行划分,分块计算,解决了层次化分析方法中的线网划分问题;在分块后的区域中采用部分随机游走的方法,并在... 详细信息
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同质外延生长SiC外延层及表面形貌分析
同质外延生长SiC外延层及表面形貌分析
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 王悦湖 张书霞 张义门 张玉明 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安电子科技大学微电子学院 西安 710071 西安武警工程学院 通信工程系无线教研室 西安 710086
在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层,生长温度为1580℃,压力为100mbar,采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD),得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。... 详细信息
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