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作者

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语言

  • 476 篇 中文
检索条件"机构=西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料和器件重点实验室"
476 条 记 录,以下是421-430 订阅
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SiGe HBT大信号等效电路模型
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物理学报 2006年 第1期55卷 403-408页
作者: 胡辉勇 张鹤鸣 吕懿 戴显英 侯慧 区健锋 王伟 王喜嫒 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程... 详细信息
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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型
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物理学报 2006年 第7期55卷 3622-3628页
作者: 郝跃 韩新伟 张进城 张金凤 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响... 详细信息
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适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型
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物理学报 2006年 第11期55卷 5878-5884页
作者: 朱志炜 郝跃 张金凤 方建平 刘红侠 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法... 详细信息
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超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理
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物理学报 2006年 第2期55卷 820-824页
作者: 李忠贺 刘红侠 郝跃 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应... 详细信息
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试验设计与仿真相结合构造集成电路元模型的方法研究
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电子学 2006年 第6期34卷 1159-1162页
作者: 游海龙 贾新章 张小波 董萍 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
集成电路的设计与优化常需要指标与参数简单、直接的模型,即电路的元模型.本文将试验设计与计算机仿真相结合构造集成电路的元模型.讨论了构造元模型中使用的4种试验设计类型与3种模型.结合低功耗集成运算放大器性能指标静态功耗元模型... 详细信息
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一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计
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电子器件 2006年 第1期29卷 33-36页
作者: 张宝君 杨银堂 朱樟明 张海军 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电... 详细信息
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SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
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电子器件 2006年 第1期29卷 82-84,87页
作者: 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 李立 姜涛 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础... 详细信息
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4H-SiC钒离子注入层的特性
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Journal of Semiconductors 2006年 第Z1期27卷 120-123页
作者: 王超 张玉明 张义门 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×... 详细信息
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A Novel Algorithm to Extract Weighted Critical Area
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Journal of Semiconductors 2006年 第1期27卷 24-29页
作者: 王俊平 郝跃 张会宁 张晓菊 任春丽 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
inductive fault analysis is a technique for enumerating likely bridges that is limited by the weighted critical area computation. Based on the rectangle model of a real defect and mathematical morphology, an efficient... 详细信息
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Study of Electron Mobility in 4H-SiC Buried-Channel MOSFETs
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 283-289页
作者: 郜锦侠 张义门 张玉明 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel (BC) MOSFETs are studied,A simple model that gives a quantitative analysis of series resistance effects on the effective mobility and field-effect ... 详细信息
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