检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2014年第3期37卷 441-444页

作者：张霍马佩军罗卫军姜元祺刘新宇西安电子科技大学微电子学院西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的... 详细信息

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz^10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。

关键词：射频电路设计仿真数字移相器 X波段氮化镓单片微波集成电路

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(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

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电子器件 2014年第1期37卷 9-12页

作者：乔丽萍王聪华李淑萍李丽俞丽娟何磊西藏民族学院信息工程学院陕西咸阳712082 西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分... 详细信息

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。

关键词：应变张量简并度晶向张应力

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应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

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物理学报 2013年第12期62卷 430-436页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明宋建军周春宇李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解... 详细信息

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解器件不同工作状态下的电荷分布,建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型,探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响.与实验数据的对比结果表明,所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性,验证了模型的正确性.该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用,并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中,为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

关键词：应变 SiGe pMOSFET 栅电容特性台阶效应沟道掺杂

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应变Si NMOS积累区电容特性研究

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物理学报 2013年第5期62卷 369-374页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明舒斌周春宇李妤晨吕懿西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的... 详细信息

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.

关键词：应变Si NMOS 积累区电容台阶效应电荷分布

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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

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物理学报 2013年第10期62卷 434-439页

作者：许立军张鹤鸣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度... 详细信息

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

关键词：环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管二维泊松方程阈值电压模型漏致势垒降低

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前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究

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物理学报 2013年第3期62卷 367-373页

作者：张旭杰刘红侠范小娇樊继斌西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到18... 详细信息

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.

关键词：原子层淀积 Nd2O3 前驱体温度 X射线光电子能谱仪

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应变Si NMOSFET漏电流解析模型

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物理学报 2013年第23期62卷 300-307页

作者：周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪吕懿王斌李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度... 详细信息

基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响,进一步提高了模型精度.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考.

关键词：应变Si NMOSFET 漏电流解析模型

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异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

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物理学报 2013年第21期62卷 452-459页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明宋建军周春宇李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了... 详细信息

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.

关键词：异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET 表面势沟道电流

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AlGaN/GaN HEMT有源区隔离泄漏电流研究

AlGaN/GaN HEMT有源区隔离泄漏电流研究

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：钟仁骏王冲张进成马晓华郝跃宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院西安 710071

AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.实验研究了不同的反应离子刻蚀(RIE)功率对HEMT有源区间泄漏电流的影响,研究发现:干法隔离过程中较大的... 详细信息

AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.实验研究了不同的反应离子刻蚀(RIE)功率对HEMT有源区间泄漏电流的影响,研究发现:干法隔离过程中较大的刻蚀功率会产生异质结材料的GaN缓冲层表面刻蚀损伤,GaN材料表面刻蚀损伤层在SiN表面钝化后会产生漏电界面层,从而恶化了器件关态泄漏电流.采用低损伤刻蚀修复工艺后,器件关态泄漏电流降低一个数量级以上,并且器件关态漏电圆片分布均匀性明显改善.

关键词：场效应晶体管氮化镓氮化铝镓干法刻蚀隔离工艺刻蚀损伤泄漏电流

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K波段宽调谐低相噪LC压控振荡器的设计

K波段宽调谐低相噪LC压控振荡器的设计

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：严婷张玉明张义门吕红亮武岳西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室陕西西安710071

本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款23GHz的交叉耦合压控振荡器.该差分压控振荡器采用共射极组态和交叉耦合结构,利用ADS仿真软件和cadence在1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺下完成了仿真与版图设计.仿真结果表明:中心... 详细信息

本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款23GHz的交叉耦合压控振荡器.该差分压控振荡器采用共射极组态和交叉耦合结构,利用ADS仿真软件和cadence在1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺下完成了仿真与版图设计.仿真结果表明:中心频率处的相位噪声为-104.7dBc/Hz@1MHz,单端最大输出功率为10.179dBm,调谐范围为22GHz～23.89 GHz,综合性能指数为-176.5dBc/Hz.版图面积为0.7mm×0.7mm.

关键词：压控振荡器电路设计交叉耦合结构相位噪声砷化镓异质结双极晶体管

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