检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2017年第7期66卷 389-395页

作者：席晓文柴常春刘阳杨银堂樊庆扬西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时... 详细信息

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.

关键词： GaAs赝高电子迁移率晶体管电磁脉冲外界条件损伤过程

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斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制

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物理学报 2023年第19期72卷 188-194页

作者：徐爽许晟瑞王心颢卢灏刘旭贠博祥张雅超张涛张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体国家工程研究中心宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

GaN材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率、直接带隙等优势被广泛应用于光电子器件、大功率器件以及高频微波器件等方面.由于GaN材料异质外延带来的大晶格失配和热失配问题,GaN在生长过程中会产生大量位错,降低了GaN材料晶体质量,导致... 详细信息

GaN材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率、直接带隙等优势被广泛应用于光电子器件、大功率器件以及高频微波器件等方面.由于GaN材料异质外延带来的大晶格失配和热失配问题,GaN在生长过程中会产生大量位错,降低了GaN材料晶体质量,导致器件性能难以进一步提升.为此,研究人员提出使用斜切衬底来降低位错密度,但是关于斜切衬底上外延层的位错湮灭机制的研究还不充分.所以,本文采用金属有机化合物化学气相淀积技术在不同角度的斜切蓝宝石衬底上生长了GaN薄膜,采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光测试、透射电子显微镜详细地分析了斜切衬底对GaN材料的影响.斜切衬底可以显著降低GaN材料的位错密度,但会导致其表面形貌发生退化.并且衬底斜切角度越大,样品的位错密度越低.通过透射电子显微镜观察到了斜切衬底上特殊的位错终止现象,这是斜切衬底降低位错密度的主要原因之一.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN生长模型,解释了斜切衬底提高GaN晶体质量的原因.

关键词：斜切蓝宝石衬底 GaN 位错终止透射电子显微镜

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一种数字集成电路链状频繁子电路提取算法(英文)

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计算物理 2011年第1期28卷 138-144页

作者：潘伟涛谢元斌郝跃西安电子科技大学ISN国家重点实验室陕西西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

基于数据挖掘思想,提出一种链状结构模板的规律性提取算法,解决集成电路规律性提取算法复杂度过高的问题.通过对边权值进行编码,将复杂子电路的同构搜索转化为边权值序列的匹配问题.模板扩展过程利用剪枝策略删除非频繁子电路,提高了规... 详细信息

基于数据挖掘思想,提出一种链状结构模板的规律性提取算法,解决集成电路规律性提取算法复杂度过高的问题.通过对边权值进行编码,将复杂子电路的同构搜索转化为边权值序列的匹配问题.模板扩展过程利用剪枝策略删除非频繁子电路,提高了规律性提取效率.将模板的产生与子电路的同构搜索过程合并,简化规律性提取流程.解决大规模集成电路中规则性提取复杂度过高的问题.结果表明,算法比SPOG与TREE算法更能充分提取电路的规律性,得到较好的电路覆盖.

关键词：规律性提取频繁子电路数据挖掘规则性系数

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金红石TiO_2中本征缺陷扩散性质的第一性原理计算

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物理学报 2018年第17期67卷 198-205页

作者：刘汝霖方粮郝跃池雅庆国防科技大学高性能计算国家重点实验室长沙410073 国防科技大学计算机学院长沙410073 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,... 详细信息

基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.505 eV和0.859 eV;氧空位和钛空位的势垒最小的扩散路径分别沿[110]方向和[111]方向,激活能分别为0.735 eV和2.375 eV.

关键词：金红石本征缺陷扩散第一性原理

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高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

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人工晶体学报 2020年第11期49卷 2194-2199页

作者：张晋胡壮壮穆文祥田旭升冯倩贾志泰张进成陶绪堂郝跃山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体... 详细信息

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV。此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm^2,展示了优异性能。

关键词：氧化镓单晶导模法 n型掺杂肖特基二极管

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An Ultra-Low Specific On-Resistance VDMOS with a Step Oxide-Bypassed Trench Structure

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 677-681页

作者：段宝兴杨银堂张波李肇基西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

A novel Step Oxide-Bypassed （SOB） trench VDMOS structure is designed based on the Oxide-Bypassed concept proposed by Liang Y C. This structure is suitable for breakdown voltage below 300V to obtain ultra-low specific on-resistance. The main feature of this structure is the various thicknesses of sidewall oxide,which modulate electric field distribution in the drift region and the charge compensation effect. As a result, the breakdown voltage is increased no less than 20% due to the more uniform electric field of the drift region,while the specific on-resistance was reduced by 40%-60% for the step oxide bypassed compared with the oxide-bypassed structure.

关键词： step oxide-bypassed VDMOS breakdown voltage specific on-resistance

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究

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物理学报 2020年第7期69卷 288-296页

作者：董世剑郭红霞马武英吕玲潘霄宇雷志锋岳少忠郝蕊静琚安安钟向丽欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 西北核技术研究所西安710024 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,... 详细信息

本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,受到辐照诱生氧化物缺陷电荷与界面态的影响,当辐照总剂量达到1 Mrad(Si)时,零偏条件下AlGaN/GaN HEMT器件的电学参数退化得最大,其中,饱和漏电流减小36.28%,最高跨导降低52.94%;基于McWhorter模型提取了AlGaN/GaN HEMT器件辐照前后的缺陷密度,零偏条件下辐照前后缺陷密度变化最大,分别为4.080 × 1017和6.621 × 1017 cm–3·eV–1.其损伤机理是在氧化物层内诱生缺陷电荷和界面态,使AlGaN/GaN HEMT器件的平带电压噪声功率谱密度增加.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管总剂量 1/f低频噪声

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

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物理学报 2020年第20期69卷 302-309页

作者：郝蕊静郭红霞潘霄宇吕玲雷志锋李波钟向丽欧阳晓平董世剑湘潭大学材料与工程学院湘潭411105 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 西北核技术研究院西安710024 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐... 详细信息

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×1012 cm^-3·eV^-1增大到了1.66×10^14 cm^-3·eV^-1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.

关键词： AlGaN/GaN 中子辐照位移损伤 1/f噪声

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GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理

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现代应用物理 2022年第3期13卷 141-149页

作者：安琪柴常春李福星吴涵杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室西安710071

利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁... 详细信息

利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁机理。进一步讨论了不同信号参数和端口外接电阻对器件损伤效应的影响。结果表明,电流焦耳热累积导致低噪声放大器电路中晶体管栅极下方偏漏极一侧发生烧毁,烧毁时间随注入信号功率的增大而减小,随注入信号频率的增大而增大;此外,晶体管端口外接电阻会减弱传入器件内部的能量,进而减缓器件的损伤进程,提高电路对电磁脉冲的耐受性,与漏极相比,源极外接电阻对损伤进程的减缓效果更强。

关键词： GaAs赝配高电子迁移率晶体管高功率微波电磁脉冲低噪声放大器损伤效应

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利用试验设计方法表征微电路工艺设备

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微电子学 2005年第4期35卷 382-385页

作者：游海龙贾新章徐岚陈光炳西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案,实现了对实际氧化工艺特定设备... 详细信息

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案,实现了对实际氧化工艺特定设备的表征,建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型,可进一步用于工艺条件的优化设计。

关键词：试验设计微电路工艺工艺模型

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