检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2006年第10期27卷 1818-1822页

作者：池雅庆郝跃冯辉方粮国防科技大学计算机学院微电子研究所长沙410073 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击... 详细信息

分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.

关键词： LDMOS RESURF 漏区边界曲率半径击穿电压导通电阻

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一种基于衬底驱动技术的0.8V高性能CMOS OTA

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电子器件 2006年第2期29卷 344-347页

作者：张海军朱樟明杨银堂张宝君西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0．8V COMS跨导运算放大器（OTA），在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0．4v的电源电压下，其直流开环增益... 详细信息

基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0．8V COMS跨导运算放大器（OTA），在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0．4v的电源电压下，其直流开环增益为73．8dB，单位增益带宽为16．4MHz，相位裕度为53°，功耗为125．4μW，输出电压范围为-0．337～0．370V。

关键词：衬底驱动超低压跨导运算放大器 CMOS 低功耗

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一种8 Bit 10 GHz SiGe BiCMOS比较器

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电子器件 2006年第2期29卷 339-343页

作者：潘杰杨银堂朱樟明西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

SiGeBiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70GHz,β>120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用。本文基于SiGeBiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成。采用3... 详细信息

SiGeBiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70GHz,β>120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用。本文基于SiGeBiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成。采用3.3V单电压源,比较时钟超过10GHz,差模信号电压输入量程为0.8V,输出差模电压为0.4V,输入失调电压约2.5mV,用于8位两步闪烁式A/D转换器。

关键词： SiGe BiCMOS 异质结晶体管全差分超高速比较器

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6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究

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电子器件 2006年第4期29卷 1019-1022页

作者：张林张义门张玉明汤晓燕西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室西安710071

给出了一种新型SiC MOSFET———6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点。文中分析了该器件的电流... 详细信息

给出了一种新型SiC MOSFET———6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点。文中分析了该器件的电流输运机制,并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟,给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参数的关系。

关键词：碳化硅异质结接触 MOSFET 多晶硅

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混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应

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现代电子技术 2006年第8期29卷 118-122页

作者：吴晓鹏杨银堂朱樟明西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等... 详细信息

衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等不同层次衬底噪声耦合效应的抑制方法与技术,同时对将来衬底噪声研究的发展方向以及新思路进行分析与讨论。

关键词：混合信号村底噪声建模方法 EEACC 2550X 2570A

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LDMOS全漂移区电势与电场二维分布解析模型

LDMOS全漂移区电势与电场二维分布解析模型

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第14届全国信息存储技术学术会议

作者：池雅庆方粮冯辉郝跃许晟瑞国防科技大学计算机学院微电子研究所长沙410073 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了... 详细信息

为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

关键词： LDMOS RESURF 泊松方程解析模型二维电场分布

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n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型

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物理学报 2005年第5期54卷 2118-2122页

作者：包军林庄奕琪杜磊李伟华万长兴张萍宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子研究所西安710071

对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反... 详细信息

对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .

关键词：噪声幅值氧化层陷阱有效栅压半导体载流子

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光电耦合器件闪烁噪声模型

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光子学报 2005年第9期34卷 1359-1362页

作者：包军林庄奕琪杜磊马仲发胡瑾周江宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子研究所西安710071

对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f... 详细信息

对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f噪声幅值增大了约7倍.理论分析表明,小电流时该器件的1/f噪声为扩散1/f噪声,大电流时为复合1/f噪声,应力在器件有源区诱生的陷阱是1/f噪声增大的根本原因.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制,建立了一个光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,实验结果和模型符合良好.

关键词： 1/f噪声光电耦合器件涨落陷阱

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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

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光子学报 2005年第6期34卷 857-860页

作者：包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子研究所西安710071

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪... 详细信息

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.

关键词： 1/f噪声 g-r噪声光电耦合器件深能级

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硅基PZT压电驱动微开关的设计和优化

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压电与声光 2005年第4期27卷 445-448页

作者：娄利飞杨银堂李跃进张军琴西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析... 详细信息

采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析,探讨了结构参数与微悬臂梁运动特性的关系及影响压电薄膜微开关性能的因素,进一步模拟了0.3 V工作电压下微开关的位移。结果表明,经优化后的压电薄膜微开关可进一步应用到集成化芯片系统中。

关键词：压电薄膜有限元分析微开关

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