检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2016年第5期46卷 711-715页

作者：管婕翟阳闫大为罗俊肖少庆顾晓峰江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表... 详细信息

利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。

关键词： InGaN/GaN发光二极管组份渐变电子阻挡层空穴注入效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究

引用

半导体技术 2015年第8期40卷 585-591页

作者：李妤晨沈路张鹤鸣刘树林西安科技大学电气与控制工程学院西安710054 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方... 详细信息

n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性。研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限。该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值。

关键词：双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET) 带带隧穿亚阈值摆幅阈值电压纳米非对称结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

引用

微电子学 2015年第3期45卷 387-390页

作者：罗俊代天君刘华辉杨勇张振宇杨少华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命... 详细信息

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。

关键词：半导体器件加速寿命试验多贮存应力贮存可靠性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种非均匀线型的互连线能量分布模型

引用

计算物理 2014年第1期31卷 109-114页

作者：张岩董刚杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

基于互连线信号传输微分方程,推导非均匀互连线的电压和电流分布表达式,根据实际情况,考虑非理性激励提出包括前端驱动和后端负载的二端口非均匀互连电路各部分能量分布表达式.基于65 nm CMOS工艺参数,对方法进行计算仿真验证,计算结果... 详细信息

基于互连线信号传输微分方程,推导非均匀互连线的电压和电流分布表达式,根据实际情况,考虑非理性激励提出包括前端驱动和后端负载的二端口非均匀互连电路各部分能量分布表达式.基于65 nm CMOS工艺参数,对方法进行计算仿真验证,计算结果与Hspice仿真结果比较误差小于5%,具有很高的精度.该方法适用于高性能全局互连的前端优化设计分析.

关键词：超大规模集成电路分布式互连非均匀互连指数型阶跃激励能量分布

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑自热效应的互连线功耗优化模型

引用

物理学报 2013年第1期62卷 349-355页

作者：张岩董刚杨银堂王宁王凤娟刘晓贤西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于互连线的分布式功耗模型,考虑自热效应的同时采用非均匀互连线结构,提出了一种基于延时、带宽、面积、最小线宽和最小线间距约束的互连动态功耗优化模型.分别在90和65nm互补金属氧化物半导体工艺节点下验证了功耗优化模型的有效性,... 详细信息

基于互连线的分布式功耗模型,考虑自热效应的同时采用非均匀互连线结构,提出了一种基于延时、带宽、面积、最小线宽和最小线间距约束的互连动态功耗优化模型.分别在90和65nm互补金属氧化物半导体工艺节点下验证了功耗优化模型的有效性,在工艺约束下同时不牺牲延时、带宽和面积所提模型能够降低高达35%互连线功耗.该模型适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.

关键词：分布式互连功耗优化模型自热效应非均匀互连线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑通孔横向热传输效应的三维集成电路热分析

引用

计算物理 2013年第5期30卷 753-758页

作者：张岩董刚杨银堂王宁西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

考虑横向热传输效应,构造一种包含通孔结构的叠层芯片三维热传输模型.在具体的工艺参数下验证叠层芯片层数、通孔密度、通孔直径和后端线互连层厚度对三维集成电路热传输的影响.结果显示,采用该模型仿真得到的各层芯片温升要低于不考虑... 详细信息

考虑横向热传输效应,构造一种包含通孔结构的叠层芯片三维热传输模型.在具体的工艺参数下验证叠层芯片层数、通孔密度、通孔直径和后端线互连层厚度对三维集成电路热传输的影响.结果显示,采用该模型仿真得到的各层芯片温升要低于不考虑横向热传输时所得到的温升,差异最大可达10%以上,并且集成度要求越高,其横向热传输效应的影响越明显.该模型更符合实际情况,能够更准确地分析三维集成电路的各层芯片温度.

关键词：三维集成电路热分析硅通孔横向热传输

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑通孔和边缘效应的互连网络热电分析

引用

计算物理 2012年第1期29卷 108-114页

作者：王宁董刚杨银堂王增王凤娟丁灿西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

考虑互连通孔和边缘效应,建立互连层间、层内、通孔热阻模型,利用热电二元性,提出一种考虑温度效应对热流影响的热电耦合仿真方法,利用热电之间的反馈关系,修正建模后的温度分布对节点网络热流的影响.并对以聚合物和硅氧化物为介质的多... 详细信息

考虑互连通孔和边缘效应,建立互连层间、层内、通孔热阻模型,利用热电二元性,提出一种考虑温度效应对热流影响的热电耦合仿真方法,利用热电之间的反馈关系,修正建模后的温度分布对节点网络热流的影响.并对以聚合物和硅氧化物为介质的多层互连进行分析,以有限元建模结果为参照,与已有模型相比,互连热分布结果的相对标准差分别降低了71.2%、12.9%.考虑通孔效应和边缘效应后,该方法在不同纳米级工艺中所得峰值温升,较已有模型均有一定程度的降低.

关键词：热阻温度分布热电仿真通孔效应边缘效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑晶粒尺寸效应的超薄(10-50 nm)Cu电阻率模型研究

引用

物理学报 2012年第1期61卷 365-372页

作者：王宁董刚杨银堂陈斌王凤娟张岩西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

结合Marom模型与实验数据,给出了晶粒尺寸与金属薄膜厚度的关系式.基于已有的理论模型,针对厚度为10-50 nm Cu薄膜,考虑到表面散射与晶界散射以及电阻率晶粒尺寸效应,提出一种简化电阻率解析模型.结果表明,在10-20 nm薄膜厚度范围内,考... 详细信息

结合Marom模型与实验数据,给出了晶粒尺寸与金属薄膜厚度的关系式.基于已有的理论模型,针对厚度为10-50 nm Cu薄膜,考虑到表面散射与晶界散射以及电阻率晶粒尺寸效应,提出一种简化电阻率解析模型.结果表明,在10-20 nm薄膜厚度范围内,考虑晶粒尺寸效应后的简化模型与现有实验数据符合得更好.相对于Lim,Wang与Marom模型,所提模型的相对标准差分别降低74.24%,54.85%,78.29%.

关键词：表面散射晶界散射晶粒尺寸效应平均自由程

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

引用

物理学报 2011年第4期60卷 502-509页

作者：董刚刘嘉薛萌杨银堂西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于双电源电压和双阈值电压技术,提出了一种优化全局互连性能的新方法.文中首先定义了一个包含互连延时、带宽和功耗等因素的品质因子用以描述全局互连特性,然后在给定延时牺牲的前提下,通过最大化品质因子求得优化的双电压数值用以节... 详细信息

基于双电源电压和双阈值电压技术,提出了一种优化全局互连性能的新方法.文中首先定义了一个包含互连延时、带宽和功耗等因素的品质因子用以描述全局互连特性,然后在给定延时牺牲的前提下,通过最大化品质因子求得优化的双电压数值用以节省功耗.仿真结果显示,在65nm工艺下,针对5%,10%和20%的允许牺牲延时,所提方法相较于单电压方法可分别获得27.8%,40.3%和56.9%的功耗节省.同时发现,随着工艺进步,功耗节省更加明显.该方法可用于高性能全局互连的优化和设计.

关键词：全局互连双电源电压双阈值电压功耗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑工艺波动的RC互连树统计功耗

引用

物理学报 2011年第3期60卷 486-493页

作者：董刚薛萌李建伟杨银堂西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本... 详细信息

为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本文方法得到的RC互连功耗均值误差小于4.36%,标准差误差则小于6.68%.结果显示,本文方法在确保精度的前提下大大缩短了仿真时间.

关键词：工艺波动 RC互连统计功耗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：