SiC 材料在高温强辐射的航天环境中有着广阔的前景,高能质子和电子是空间中主要的辐照粒子,会对空间工作的半导体器件产生永久的位移损伤,从而造成电学性能的逐渐退化乃至失效。本文采用 TRIM 程序和 C++语言对不同晶型和不同掺杂水平的...
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SiC 材料在高温强辐射的航天环境中有着广阔的前景,高能质子和电子是空间中主要的辐照粒子,会对空间工作的半导体器件产生永久的位移损伤,从而造成电学性能的逐渐退化乃至失效。本文采用 TRIM 程序和 C++语言对不同晶型和不同掺杂水平的 n 型 SiC 材料,在不同辐照粒子和剂量下的电学性能退化进行了仿真研究。TRIM 计算结果表明,粒子的能量越高,在 SiC 材料内的射程越大,
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
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