检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2025年第3期54卷 361-370页

作者：孙汝军张晶辉李一帆郝跃张进成西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室西安710071 西安电子科技大学集成电路学部西安710071

氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N... 详细信息

氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co等,其中,Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶,以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂,首先对Mg掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述;接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度,以及在热处理中Mg扩散等关键问题;最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究,并对其未来进行了展望。

关键词：氧化镓 Mg掺杂半绝缘衬底电流阻挡层电学性能

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基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 1-15页

作者：刘洋何云龙陈谷然陆小力郑雪峰马晓华郝跃西安电子科技大学集成电路学部宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室宽禁带半导体国家工程研究中心西安710071 南京电子器件研究所宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室南京210016

β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其... 详细信息

β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势,成为未来β-Ga_(2)O_(3)走向产业化的潜在方法,并已被广泛应用于β-Ga_(2)O_(3)的外延生长研究。本文对几种常见晶向的β-Ga_(2)O_(3) MOCVD同质外延生长的研究成果进行了概述,并在此基础上介绍了极具潜力的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的MOCVD外延生长研究现状。最后,总结了基于MOCVD技术的β-Ga_(2)O_(3)同质外延生长以及β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)生长过程中面临的主要问题,并对未来的发展进行了展望。

关键词： β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)

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Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延

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电子学报 2024年第12期52卷 3907-3913页

作者：许钪许晟瑞陶鸿昌苏华科高源杨赫安瑕黄俊张进成郝跃西安电子科技大学集成电路学部陕西西安710071 宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室陕西西安710071 湖北九峰山实验室湖北武汉430074

氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶... 详细信息

氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶体质量决定着GaN基器件的性能,但Si基GaN的晶体质量较差,为此研究人员提出了多种方法来提高GaN的晶体质量,但都存在工艺复杂或成本高昂等问题.因此,本研究提出一种工艺简单且成本低的诱导成核技术来获取高质量的Si基GaN材料.对Si衬底完成相同剂量的N离子注入后进行不同时间的快速热退火处理,使用金属有机化学气相沉积法进行外延生长.结果表明,退火时间为6 min的样品具有最好的晶体质量,表面形貌和光学性能,与对照样品相比,螺位错密度降低14.7%,刃位错密度降低34.4%,总位错密度降低26.1%,并且提高了AlGaN/GaN异质结界面处的二维电子气面密度和电子迁移率,提高了AlGaN/GaN异质结的电学性能.

关键词：氮化镓诱导成核快速热退火金属有机化学气相沉积位错密度光学性能电学性能

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面向聚变中子探测的宽禁带半导体探测器关键问题与研究挑战

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电子学报 2024年第8期52卷 2933-2938页

作者：苏凯张金风张逸韵蒋树庆郭辉张进成郝跃西安电子科技大学集成电路学部宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心陕西西安710071 中国科学院半导体研究所北京100083 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900

近年来国际聚变反应研究获得重大进展,选择抗位移能力强的宽禁带半导体探测器是推动聚变研究的关键技术之一.金刚石超宽禁带半导体具备卓越抗辐照和时间响应等特性,是聚变诊断特别是高能中子诊断的理想材料,碳化硅宽禁带半导体也可测量... 详细信息

近年来国际聚变反应研究获得重大进展,选择抗位移能力强的宽禁带半导体探测器是推动聚变研究的关键技术之一.金刚石超宽禁带半导体具备卓越抗辐照和时间响应等特性,是聚变诊断特别是高能中子诊断的理想材料,碳化硅宽禁带半导体也可测量中子,且大尺寸外延技术更成熟,可覆盖聚变研究装置上的大规模应用.通过这两种宽禁带半导体辐射探测器的研究并实现自主可控的高性能器件制备,将显著提高我国核聚变反应测量系统的性能,支持我国在未来的全球能源革命中处于领先优势.本文将对这两种宽禁带半导体探测器在聚变中子探测应用场景下研制的关键问题和研究挑战进行探讨,助力我国聚变能源开发和应用.

关键词：中子探测器金刚石碳化硅能量分辨脉冲响应

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