检索结果-内蒙古大学图书馆

原子与分子物理学报 2025年 73-77页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-x... 详细信息

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-xBix材料中Ga、Bi原子团簇共淀积制备的工艺仍存在争议.为此,基于分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE）技术对Ga和Bi共淀积的工艺进行了研究.通过原子力显微镜（Atomic force microscope, AFM）对样品进行表征后发现,先淀积Bi后淀积Ga会导致已形成的Bi原子团簇发生脱附现象,因此该方案不可行;同时淀积Ga和Bi时,Bi原子作为表面活性剂会增加Ga原子团簇的高度,该方案可行,但团簇的整体高度会增加;先淀积Ga后淀积Bi时,Ga原子团簇在二次退火过程中高度会略有降低,因此在Ga和Bi原子团簇的共淀积制备过程中,该方案最佳.研究结果为可控制备GaAs1-xBix量子点（Quantum dots, QDs）提供了重要的实验基础.

关键词： MBE Ga Bi 原子团簇共淀积

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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第2期42卷 79-84页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 详细信息

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备.

关键词：分子束外延 Bi原子团簇生长温度沉积时长经典成核理论晶体生长动力学

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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 77-84页

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 详细信息

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.

关键词： MBE Ga原子团簇 Ga源温度沉积时长退火时长

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一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器

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半导体技术 2025年第3期50卷 273-281,312页

作者：冯仕豪余德水马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管... 详细信息

基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏,设计了过温指示及热关断模块,在139~164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示,该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。

关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入功率运放高转换速率低失调过温保护

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基于平面相控阵的轨道角动量涡旋电磁波扫描特性

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物理学报 2021年第23期70卷 344-350页

作者：蒋基恒余世星寇娜丁召张正平贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州大学半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

轨道角动量涡旋电磁波可以在物理层面为信息的调制提供新的维度,这在无线通信和雷达成像领域中拥有很大的应用前景.将相控阵波束扫描技术应用于涡旋电磁波,可用于增加涡旋电磁通信的覆盖范围,也可用于扩大涡旋雷达的探测空域.首先,本文... 详细信息

轨道角动量涡旋电磁波可以在物理层面为信息的调制提供新的维度,这在无线通信和雷达成像领域中拥有很大的应用前景.将相控阵波束扫描技术应用于涡旋电磁波,可用于增加涡旋电磁通信的覆盖范围,也可用于扩大涡旋雷达的探测空域.首先,本文讨论了涡旋电磁波束偏转的实现原理,并给出了实现波束扫描时平面相控阵口径上所需的相位分布公式.其次,考虑到相控阵天线在波束扫描以及轨道角动量模式可重构方面的独特优势,设计并制作了一款阵面规模为8×8的平面相控阵,并在10 GHz频率下实验验证了轨道角动量涡旋电磁波的波束扫描和模式可重构效果.最后,本文讨论并分析了涡旋电磁波束偏转后的性能变化.仿真和实验结果显示,平面相控阵在大角度波束扫描时会发生方向图畸变的问题.同时,本文还研究了涡旋电磁波的模式纯度关于波束偏转角度和模式数的变化情况.本文的研究结果表明,使用平面相控阵天线在一定空域内可以有效地实现涡旋电磁波束扫描,并可为涡旋电磁波通信和涡旋雷达提供参考借鉴.

关键词：轨道角动量涡旋电磁波波束扫描平面相控阵

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THz波在不同角度磁化的非均匀磁化等离子体中的传输特性分析

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物理学报 2021年第7期70卷 215-222页

作者：李郝杨鑫张正平贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

为利用太赫兹波解决飞行器再入过程遇到的“黑障”问题,以散射矩阵方法为基础,分别以非均匀磁化等离子体的磁化方向、电子密度、外加磁场强度和碰撞频率为变量,研究了垂直入射情形下它们对太赫兹波传输行为的影响.结果表明:这些参数对... 详细信息

为利用太赫兹波解决飞行器再入过程遇到的“黑障”问题,以散射矩阵方法为基础,分别以非均匀磁化等离子体的磁化方向、电子密度、外加磁场强度和碰撞频率为变量,研究了垂直入射情形下它们对太赫兹波传输行为的影响.结果表明:这些参数对太赫兹波传输性能影响明显,例如按某一方向改变磁化角度对左极化和右极化太赫兹波的传输功率有相反的影响;降低磁化强度能一定程度地避开等离子体对右极化波的吸收;而降低碰撞频率能缩小等离子体对右极化波的吸收频带.通过调整这些参数,有望在一定程度上缓解黑障现象.

关键词：太赫兹波非均匀磁化等离子体散射矩阵法磁化角度

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基于改进Inception卷积神经网络的手写体数字识别

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计算机应用与软件 2019年第12期36卷 143-149页

作者：余圣新夏成蹊唐泽恬丁召杨晨贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

手写体数字识别风格变化大,而传统手写体数字识别的准确率又严重依赖于人工特征设计,一旦提取的特征不理想,识别效果就会收到非常大的影响。针对手写体识别正确率无法满足高精度的问题,设计一种高精度的手写体数字分类网络。首先使用连... 详细信息

手写体数字识别风格变化大,而传统手写体数字识别的准确率又严重依赖于人工特征设计,一旦提取的特征不理想,识别效果就会收到非常大的影响。针对手写体识别正确率无法满足高精度的问题,设计一种高精度的手写体数字分类网络。首先使用连续非对称卷积提取图像的初步特征同时减少计算所需参数,其次使用深度可分离卷积改进Inception结构,并结合残差网络以防止梯度弥散,最后进行softmax分类。通过MNIST数据集实验,得到99.45%的识别率。为进一步提高网络识别率,在分类层使用支持向量机(SVM)代替传统卷积神经网络(CNN)的全连接层与softmax层,经交叉验证得到99.78%的识别率。结果表明,改进Inception结构能够获得更大的网络宽度,同时SVM对于CNN提取的特征的分类能力也有较好效果。

关键词：手写体数字识别卷积神经网络 Inception结构深度可分离卷积支持向量机

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低温下InAs纳米结构在GaAs(001)表面形成机制的研究

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物理学报 2021年第19期70卷 59-65页

作者：王一丁召杨晨罗子江王继红李军丽郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州大学半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

改变生长工艺、控制并调整液滴中原子扩散机制是对复杂纳米结构制备的关键途径,并且对基于液滴外延方法研究半导体纳米结构十分重要.本文在不同衬底温度,不同As压下在GaAs(001)上沉积相同沉积量(5 monolayer)的In液滴并观察其表面形貌... 详细信息

改变生长工艺、控制并调整液滴中原子扩散机制是对复杂纳米结构制备的关键途径,并且对基于液滴外延方法研究半导体纳米结构十分重要.本文在不同衬底温度,不同As压下在GaAs(001)上沉积相同沉积量(5 monolayer)的In液滴并观察其表面形貌的变化.原子力显微镜图像显示,液滴晶化后所形成的扩散"盘"且呈现一定的对称性.随着衬底温度的增高,圆盘半径逐渐扩大,扩散圆盘中心出现了坑.而随着As压的增高,所形成的液滴密度增加,以液滴为中心所形成的扩散圆盘宽度逐渐减小.基于经典的成核扩散理论对实验数据拟合得到:GaAs(001))表面In原子在[110]和[110]晶向上的扩散激活能分别为(0.62±0.01)eV和(1.37±0.01)eV,且扩散系数D_0为1.2×10^(-2)cm^(2)/s.对比其他研究小组的结果证实了理论的正确性.实验中得到的In原子的扩散激活能以及In液滴在GaAs(001)上扩散机理,可以为InAs纳米结构特性的调制提供实验指导.

关键词： InAs纳米结构表面扩散液滴外延

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Ga液滴沉积速率对GaAs/GaAs(001)量子双环形貌的影响

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物理学报 2019年第18期68卷 120-125页

作者：李志宏丁召汤佳伟王一罗子江马明明黄延彬张振东郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备同心量子双环(concentric quantum double rings,CQDRs),利用原子力显微镜表征其表面形貌,并研究Ga液滴沉积速率对CQDRs的影响.研究结果发现,随着Ga液滴沉积速率的增加,CQDRs的密度增加,内外环半径... 详细信息

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备同心量子双环(concentric quantum double rings,CQDRs),利用原子力显微镜表征其表面形貌,并研究Ga液滴沉积速率对CQDRs的影响.研究结果发现,随着Ga液滴沉积速率的增加,CQDRs的密度增加,内外环半径均降低.根据成核理论中最大团簇密度和Ga液滴沉积速率之间的关系拟合出临界成核原子数目为5,表明在Ga液滴形成阶段时稳定的Ga原子晶核至少包含5个Ga原子;根据成核理论和拟合结果绘制成核过程状态转化图以深入理解Ga液滴形成过程.相关研究结果对液滴外延法制备密度可控的GaAs同心量子双环具有一定的指导意义.

关键词：同心量子双环团簇扩散动力学原子力显微镜

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生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸的影响

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原子与分子物理学报 2019年第1期36卷 103-108页

作者：马明明杨晓珊郭祥王一汤佳伟张之桓许筱晓丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025

采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostw... 详细信息

采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.

关键词： MBE In0.5Ga0.5As/GaAs量子点 S-K Ostwald

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