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    • 1 篇 教育学
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    • 1 篇 管理科学与工程(可...
  • 1 篇 艺术学
    • 1 篇 设计学(可授艺术学...

主题

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  • 3 篇 第一性原理计算
  • 3 篇 in液滴
  • 3 篇 gaas
  • 3 篇 衬底温度

机构

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  • 1 篇 教育部半导体功率...

作者

  • 43 篇 丁召
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语言

  • 89 篇 中文
检索条件"机构=贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室"
89 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的第一性原理研究
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功能材料 2024年 第2期55卷 2155-2160,2167页
作者: 姜冠戈 江玉琪 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂... 详细信息
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基于第一性原理研究缺陷对单层WSe_(2)结构的光电性质的影响
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功能材料 2024年 第5期55卷 5079-5085页
作者: 廖展旺 江玉琪 郭祥 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
二硒化钨(WSe_(2))具有许多优异的性能,在自旋电子和光电子学的应用中具有极好的潜力,研究缺陷WSe_(2)的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义。基于密度泛函理论,研究了五种缺陷对WSe_(2... 详细信息
来源: 评论
GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
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人工晶体学报 2024年 第1期53卷 25-37页
作者: 马玉麟 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 详细信息
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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
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人工晶体学报 2024年 第8期53卷 1352-1360页
作者: 钟琼丽 王绪 马奎 杨发顺 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 详细信息
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基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究
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原子与分子物理学报 2025年 73-77页
作者: 马玉麟 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2~20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-x... 详细信息
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基于电荷泵的倍增/反向双输出电压转换设计与实现
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固体电子学研究与进展 2024年 第1期44卷 59-64页
作者: 张广璋 马奎 杨发顺 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025
为了解决目前基于电荷泵的开关电容电压转换芯片功能较为单一的问题,基于Dickson经典电荷泵结构,匹配四路双极型晶体管开关同时实现对输入电压的倍增输出以及倍增后的电压反向。四路二极管充作开关来使用,在降低开关器件导通电压的同时... 详细信息
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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
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原子与分子物理学报 2025年 第2期42卷 79-84页
作者: 马玉麟 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 详细信息
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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
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原子与分子物理学报 2025年 第3期42卷 77-84页
作者: 马玉麟 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 详细信息
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具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
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电子元件与材料 2024年 第9期43卷 1071-1080页
作者: 吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵州贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵州贵阳550025
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压... 详细信息
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过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi_(2)N_(4)的第一性原理计算
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原子与分子物理学报 2024年 第6期41卷 147-154页
作者: 姚登浪 黄泽琛 郭祥 丁召 王一 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025 贵州大学半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 贵阳550025 贵州省微纳与软件技术重点实验室 贵阳550025
本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了W、Mn、V、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的几何结构、电子结构以及光学性质的变化.电子结构分析表明W、Mn、W、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的禁带宽度分别为1.806 e V、1.003 e V、1.2... 详细信息
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