检索结果-内蒙古大学图书馆

激光与光电子学进展 2021年第4期58卷 167-173页

作者：王昱皓唐泽恬钟岷哲王阳赵广文丁才富杨晨贵州大学大数据与信息工程学院半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025

尺度不变特征变换(SIFT)算法在图像匹配领域得到广泛应用,为降低其计算复杂度,提出了一种基于掩模(Mask)搜索的SIFT快速图像匹配算法。首先,分析图像的纹理信息,使用Harris算法的角点响应函数(CRF)对图像进行分区,将纹理复杂度较高的区... 详细信息

尺度不变特征变换(SIFT)算法在图像匹配领域得到广泛应用,为降低其计算复杂度,提出了一种基于掩模(Mask)搜索的SIFT快速图像匹配算法。首先,分析图像的纹理信息,使用Harris算法的角点响应函数(CRF)对图像进行分区,将纹理复杂度较高的区域作为Mask并生成Mask金字塔,以减小特征点的搜索空间;其次,在极坐标系下建立7区域的圆形描述子,并降低其维度;最后,根据特征点极值类别进行同类匹配,以降低匹配复杂度。实验结果表明,采用Mask的特征搜索方法以损失较小匹配质量为代价,能够有效提升算法的整体速度,结合改进的描述子和极值分类算法可以进一步提升算法速度。采用Mask的特征搜索方法在对匹配效率有较高要求的领域具有潜在的应用价值。

关键词：图像处理图像匹配尺度不变特征变换掩模搜索

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过渡金属Fe、Co掺杂二维CuI的第一性原理计算

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功能材料 2022年第1期53卷 1112-1116页

作者：王一姚登浪宋娟王继红罗子江丁召郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 教育部半导体功率器件可靠性工程中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

基于第一性原理计算,利用OTFG方法计算了本征2D CuI、Fe以及Co掺杂后2D CuI的几何结构以及光电特性。计算结果表明2D CuI的能带结构带隙值为1.61 eV;Co掺杂在2D CuI中引入了两条浅施主能级以及两条深施主能级,从而增加了载流子的浓度;F... 详细信息

基于第一性原理计算,利用OTFG方法计算了本征2D CuI、Fe以及Co掺杂后2D CuI的几何结构以及光电特性。计算结果表明2D CuI的能带结构带隙值为1.61 eV;Co掺杂在2D CuI中引入了两条浅施主能级以及两条深施主能级,从而增加了载流子的浓度;Fe掺杂后引入了2条施主能级,这意味着Fe掺杂不影响2D CuI的导电性;光学性质的计算表明2D CuI的静态介电常数为2.42,Co以及Fe的掺杂使2D CuI体系静介电常数变大,并且提高了2D CuI在可见光范围内的光吸收特性,降低了2D CuI透射系数。

关键词：密度泛函理论 2D CuI 掺杂电子结构光学性质

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GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展

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人工晶体学报 2024年第1期53卷 25-37页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 详细信息

稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。

关键词：稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜多量子阱材料量子点材料 MBE MOVPE

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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究

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人工晶体学报 2024年第8期53卷 1352-1360页

作者：钟琼丽王绪马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 详细信息

近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。

关键词： β-Ga_(2)O_(3)薄膜 Al掺杂磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构光吸收光学带隙

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一种峰值电流模式DC-DC转换器控制电路设计

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 442-449页

作者：余德水杨发顺马奎贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

基于中科渝芯40 V双极型工艺,完成了一种峰值电流模式DC-DC电压转换器控制电路的模块设计、芯片版图设计和流片验证,其通用于升压、降压、反相的场景,并可以实现输出电压可调。电路采用峰值电流模式的PWM控制方式,能够更好的提供瞬态特... 详细信息

基于中科渝芯40 V双极型工艺,完成了一种峰值电流模式DC-DC电压转换器控制电路的模块设计、芯片版图设计和流片验证,其通用于升压、降压、反相的场景,并可以实现输出电压可调。电路采用峰值电流模式的PWM控制方式,能够更好的提供瞬态特性以及重载下的输出性能。芯片集成功率开关管,采用类三角形分布式发射极版图设计,保证足够发射区面积的同时有效降低了基极电阻,减弱了电流集边效应,弥补了发射极去偏置效应,并且不增加额外面积。实测数据表明:外接1 nF的定时电容可产生约32 kHz的振荡频率,功率开关管关态集电极电流低至52 nA,功率管直流电流增益约为131,基准电压温度系数约为0.09 mV/℃,静态电源电流低,约为2.7 mA。

关键词： DC-DC转换器峰值电流模式双极型功率管版图

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多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹

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人工晶体学报 2021年第6期50卷 1131-1137页

作者：王硕杨发顺马奎贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后... 详细信息

硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后续填充的各层材料以及它们之间的界面不平滑,从而严重影响TSV的性能以及三维集成系统的可靠性。高温热氧化时,较高氧气流量可确保硅通孔内部氧气浓度基本均匀,扇贝纹凸起处的二氧化硅生长速率相对较快。交替循环进行高温热氧化和腐蚀二氧化硅,可有效削减硅通孔内壁的扇贝纹。对深宽比为8∶1的硅通孔,经过四次高温热氧化(每次氧化的工艺条件为:1150℃、湿氧氧化10 min)和四次腐蚀二氧化硅后,内壁的扇贝纹起伏最大值从最初的400 nm降到了90 nm。实验结果表明该方法削减扇贝纹的效果十分明显。

关键词：扇贝纹硅通孔 BOSCH刻蚀技术高温热氧化三维集成

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黑磷的特性、制备与应用研究进展

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电子元件与材料 2019年第9期38卷 13-21页

作者：蒋冲李耳士魏节敏郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

黑磷是一种直接带隙半导体材料,它具有特殊的层状结构,可以块状的形式存在,也可以单层的形式(磷烯)存在。黑磷具有载流子迁移率高、带隙宽度可控、理论比容率大、机械性能好等优点,因此在光电子器件、电子器件、储能电池、传感器、量子... 详细信息

黑磷是一种直接带隙半导体材料,它具有特殊的层状结构,可以块状的形式存在,也可以单层的形式(磷烯)存在。黑磷具有载流子迁移率高、带隙宽度可控、理论比容率大、机械性能好等优点,因此在光电子器件、电子器件、储能电池、传感器、量子点等领域有光明的应用前景。首先结合近几年的相关研究,详细介绍了黑磷的结构、特性。随后综述了目前黑磷的制备方法及应用情况,并分析了各制备方法的优劣。最后,结合目前的研究状况展望了未来黑磷的研究方向。

关键词：黑磷二维材料综述磷烯制备方法应用进展

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基于改进的Harris和二次归一化互相关的量子图像拼接算法

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激光与光电子学进展 2020年第10期57卷 61-68页

作者：唐泽恬丁召曾瑞敏王阳朱登玮王昱皓钟岷哲杨晨贵州大学大数据与信息工程学院半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025 贵阳朗玛信息技术股份有限公司贵州贵阳550022

针对量子图像拼接时,Harris算法需要人为设置阈值,以及图像局部相似度大导致误匹配率高的问题,提出了基于改进的Harris和二次归一化互相关(NCC)的量子图像拼接算法。在阈值设置方面,基于图像重复度高的事实,通过二值化和阈值下降统计图... 详细信息

针对量子图像拼接时,Harris算法需要人为设置阈值,以及图像局部相似度大导致误匹配率高的问题,提出了基于改进的Harris和二次归一化互相关(NCC)的量子图像拼接算法。在阈值设置方面,基于图像重复度高的事实,通过二值化和阈值下降统计图像子区域的量子点或环的数量以确定Harris阈值,并将其作为全图阈值。在误匹配方面,首先以小窗口进行NCC的匹配,初步筛选角点;然后在此结果上用大窗口进行第二次NCC,以降低误匹配率。实验结果表明:在量子点或环计数方面,该算法具有较好的精度和速度;在阈值设置方面,该算法将角点数量控制在合理的范围内;在匹配阶段,二次NCC的方法将误匹配率降低至4.82%~27.27%。因此,本文算法改善了量子图像拼接的可靠性和时间开销,在量子图像拼接中具有潜在的应用价值。

关键词：图像处理量子图像图像拼接 Harris 归一化互相关量子计数

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基于液滴外延法的Al(In)纳米结构在GaAs(001)的形成机制

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人工晶体学报 2021年第12期50卷 2225-2231页

作者：王一李志宏丁召杨晨罗子江王继红郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 教育部半导体功率器件可靠性工程中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上同时沉积In、Al液滴形成纳米结构,利用原子力显微镜(AFM)对实验样品进行形貌表征,并通过X射线光电子能谱(XPS)与扫描电子显微镜分析In、Al组分比样品表面元素分布。实验结果显示,混合沉积后的表面InAlA... 详细信息

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上同时沉积In、Al液滴形成纳米结构,利用原子力显微镜(AFM)对实验样品进行形貌表征,并通过X射线光电子能谱(XPS)与扫描电子显微镜分析In、Al组分比样品表面元素分布。实验结果显示,混合沉积后的表面InAlAs纳米结构密度随着In组分的降低而降低,而单个纳米结构的尺寸变大。SEM与XPS测试结果证明表面的In并没有因为衬底温度过高而全部偏析。根据实验结果推测,In&Al液滴同时沉积到表面形成InAl混合液滴。当液滴完全晶化后纳米结构中心出现孔洞,而产生这一现象的主要原因是液滴向下刻蚀。

关键词： In&Al混合液滴 GaAs 液滴外延表面扩散分子束外延纳米结构

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分子束外延生长过程中GaAs(001)表面铝液滴的扩散成核过程

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人工晶体学报 2021年第2期50卷 283-289页

作者：蒋冲王一丁召黄延彬罗子江李志宏李耳士郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散成核过程对自组装制备量子点具有重要意义。本文通过分子束外延生长技术研究了GaAs(001)表面金属铝液滴... 详细信息

量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散成核过程对自组装制备量子点具有重要意义。本文通过分子束外延生长技术研究了GaAs(001)表面金属铝液滴的成核过程,发现衬底温度和金属铝沉积速率的变化直接影响了液滴的尺寸、密度以及形状等特征。根据经典成核理论分析GaAs(001)表面金属铝液滴空间分布与几何结构的演化规律,推导得出表面金属铝液滴密度与衬底温度、金属铝沉积速率的关系方程。在此基础上,进一步计算得出液滴形成过程中未成核态、临界成核态、成核态三种亚稳态所包含的最小原子数分别为1个、2个、5个。

关键词：成核生长团簇的扩散动力学 Ⅲ-Ⅴ族半导体分子束外延衬底温度沉积速率铝液滴

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