检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2020年第10期49卷 1819-1824页

作者：李耳士黄延彬郭祥王一罗子江李志宏蒋冲丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

为探究Al液滴在GaAs表面的熟化行为,利用液滴外延法在GaAs衬底表面制备Al液滴。在零As压环境下,通过控制退火时间有效控制Al液滴的生长、成核。结合热力学原理和晶体生长理论对样品形貌变化现象进行物理解释,构建出液滴形貌变化过程中... 详细信息

为探究Al液滴在GaAs表面的熟化行为,利用液滴外延法在GaAs衬底表面制备Al液滴。在零As压环境下,通过控制退火时间有效控制Al液滴的生长、成核。结合热力学原理和晶体生长理论对样品形貌变化现象进行物理解释,构建出液滴形貌变化过程中熟化、刻蚀和扩散行为的基本模型。理论计算表明,液滴在熟化行为达到退火239 s的平衡点后,被向下刻蚀和向外扩散两个行为同时消耗。

关键词：铝液滴熟化形貌液滴外延

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基于40 nm CMOS工艺的电荷泵锁相环设计

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智能计算机与应用 2021年第8期11卷 92-96,102页

作者：路哲马奎唐重林杨发顺梁蓓贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 牛芯半导体(深圳)有限公司上海第一分公司上海201210

本文基于SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~200 MHz,输出频率范围2.4~4 GHz的电荷泵锁相环(CPPLL)。介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡... 详细信息

本文基于SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~200 MHz,输出频率范围2.4~4 GHz的电荷泵锁相环(CPPLL)。介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化。版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1 MHz、锁定时间为1μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300μm。

关键词：锁相环相位噪声抖动鉴频鉴相器低通滤波器压控振荡

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In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

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人工晶体学报 2020年第12期49卷 2268-2273页

作者：王一丁召魏节敏杨晨罗子江王继红郭祥贵州大学大数据与信息工程院贵阳550025 教育部半导体功率器件可靠性工程中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML),以研究In的成核机... 详细信息

近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML),以研究In的成核机制和表面扩散。实验发现,随着In沉积量的增加,液滴尺寸(包括直径、高度)明显增大。不仅如此,在相同的衬底温度下,沉积量越大,液滴密度越大。利用经典成核理论,计算了GaAs(001)表面In液滴形成的临界厚度为0.57 ML,计算的结果与已报道的实验一致。从In原子在表面的迁移和扩散,以及衬底中Ga和液滴中的In之间的原子互混原理解释了In液滴形成和形貌演化的机理。实验中得到的In液滴临界厚度以及In液滴在GaAs(001)上成核机理,可以为制备InAs量子点提供实验指导。

关键词： InAs量子点 In沉积量液滴外延临界厚度成核机理光电特性

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等离子体鞘套局部电磁传输通道法

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电子技术应用 2021年第8期47卷 7-10,19页

作者：杨鑫贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025

根据RAM-C高超音速飞行试验数据,给出一种鞘套反演建模法,能够以一维实验数据,构建三维局部电磁传输通道。在此基础上,采用非均匀介质射线跟踪法,研究鞘套对L和S波段部分频点的能量传输干扰。研究发现,在所关注频段,鞘套显示出一些新的... 详细信息

根据RAM-C高超音速飞行试验数据,给出一种鞘套反演建模法,能够以一维实验数据,构建三维局部电磁传输通道。在此基础上,采用非均匀介质射线跟踪法,研究鞘套对L和S波段部分频点的能量传输干扰。研究发现,在所关注频段,鞘套显示出一些新的影响特征,例如传输汇集效应,电磁能量在局域具有沿特定方向传输的现象。该研究结果可进一步促进对电波在鞘套中传播行为的理解,也为相关问题研究提供了一种更贴近实际物理背景的建模方法。

关键词：实验数据电磁建模电波传播

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基于机器视觉的麻核桃分类算法设计

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科学技术与工程 2020年第8期20卷 3122-3127页

作者：王阳丁召唐泽恬曾瑞敏王昱皓钟岷哲杨晨贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

麻核桃的分类有助于产品销售,传统分类方式仅限于人工操作。为实现麻核桃的自动化分类,设计一种麻核桃分类算法,该算法通过构建核桃像素概率分布模型实现。根据核桃不同视图,利用同类核桃构建像素概率分布模型以及惩戒模型。利用矩阵乘... 详细信息

麻核桃的分类有助于产品销售,传统分类方式仅限于人工操作。为实现麻核桃的自动化分类,设计一种麻核桃分类算法,该算法通过构建核桃像素概率分布模型实现。根据核桃不同视图,利用同类核桃构建像素概率分布模型以及惩戒模型。利用矩阵乘积方式将待测核桃样本与两个模型分别进行对比,并将计算结果作为测试样本种类归属的判据,并以此对核桃进行分类。利用3000个核桃样本,建立一个包含9000张图片的数据集,对算法的性能进行评估。经过测试,在3次交叉测试实验中,该算法取得了97.36%的识别率。实验结果表明,在麻核桃分类识别中,该方法具有较好的应用前景。

关键词：麻核桃分类机器视觉概率分布

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大功率IGBT器件内部载流子控制方法综述

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电子技术应用 2020年第6期46卷 21-27页

作者：邹密马奎贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025

绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要。已经报道的许多载流子控制方法都侧重于发射极(或阴极)、集电极(或阳极)和漂移区的设计。重点介绍了当... 详细信息

绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要。已经报道的许多载流子控制方法都侧重于发射极(或阴极)、集电极(或阳极)和漂移区的设计。重点介绍了当前和未来几代IGBT的载流子控制方法。回顾发射极、集电极和漂移区的设计如何影响正向压降和关断能量损耗之间的权衡。最后,总结展望未来大功率IGBT器件内部载流子控制方法的发展趋势。

关键词：绝缘栅双极晶体管载流子控制方法器件性能关断损耗导通压降

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基于改进Inception卷积神经网络的手写体数字识别

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计算机应用与软件 2019年第12期36卷 143-149页

作者：余圣新夏成蹊唐泽恬丁召杨晨贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

手写体数字识别风格变化大,而传统手写体数字识别的准确率又严重依赖于人工特征设计,一旦提取的特征不理想,识别效果就会收到非常大的影响。针对手写体识别正确率无法满足高精度的问题,设计一种高精度的手写体数字分类网络。首先使用连... 详细信息

手写体数字识别风格变化大,而传统手写体数字识别的准确率又严重依赖于人工特征设计,一旦提取的特征不理想,识别效果就会收到非常大的影响。针对手写体识别正确率无法满足高精度的问题,设计一种高精度的手写体数字分类网络。首先使用连续非对称卷积提取图像的初步特征同时减少计算所需参数,其次使用深度可分离卷积改进Inception结构,并结合残差网络以防止梯度弥散,最后进行softmax分类。通过MNIST数据集实验,得到99.45%的识别率。为进一步提高网络识别率,在分类层使用支持向量机(SVM)代替传统卷积神经网络(CNN)的全连接层与softmax层,经交叉验证得到99.78%的识别率。结果表明,改进Inception结构能够获得更大的网络宽度,同时SVM对于CNN提取的特征的分类能力也有较好效果。

关键词：手写体数字识别卷积神经网络 Inception结构深度可分离卷积支持向量机

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Ga液滴沉积量对GaAs/GaAs(001)同心量子双环形貌的影响

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原子与分子物理学报 2020年第2期37卷 261-266页

作者：李志宏汤佳伟郭祥王一罗子江马明明黄延彬张振东丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

通过液滴外延法制备了GaAs/GaAs(001)同心量子双环(Concentric Quantum Double Rings,CQDRs),研究了Ga液滴沉积量对CQDRs的影响.研究结果发现:随着Ga液滴沉积量的增加,CQDRs密度降低,内环高度增高,外环高度降低,中心孔洞深度增加.CQDRs... 详细信息

通过液滴外延法制备了GaAs/GaAs(001)同心量子双环(Concentric Quantum Double Rings,CQDRs),研究了Ga液滴沉积量对CQDRs的影响.研究结果发现:随着Ga液滴沉积量的增加,CQDRs密度降低,内环高度增高,外环高度降低,中心孔洞深度增加.CQDRs内环拟合结果表明,Ga液滴沉积量少于0.92ML(Monolayer,ML)时无法成环;外环拟合结果显示,在本实验条件下,形成外环的最小Ga液滴沉积量为3.1ML.拟合结果与实验结果一致,相关研究结果对液滴外延法制备GaAs同心量子双环具有指导意义.

关键词： Ga液滴沉积量同心量子双环液滴外延

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衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响

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原子与分子物理学报 2020年第3期37卷 378-384页

作者：黄延彬马明明郭祥王一罗子江汤佳伟李志宏张振东丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025

本文研究了不同衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响,当300℃≤T≤380℃时,Ga液滴演化成纳米孔(Nanohole)和盘状结构(diffusion halo),纳米结构的尺寸随温度升高而增大.当T≥385℃时,盘状结构消失,形成一定平坦的AlxG... 详细信息

本文研究了不同衬底温度对Ga液滴在Al0.4Ga0.6As表面形成纳米结构的影响,当300℃≤T≤380℃时,Ga液滴演化成纳米孔(Nanohole)和盘状结构(diffusion halo),纳米结构的尺寸随温度升高而增大.当T≥385℃时,盘状结构消失,形成一定平坦的AlxGa1-xAs薄膜,Ga液滴在界面处继续向下刻蚀直至耗尽,形成平均直径为75 nm,平均孔深为5.52 nm的纳米孔.本文还通过盘状结构测出平均扩散长度△R,并拟合出Ga原子在Al0.4Ga0.6As表面的激活能EA=0.78(±0.01)eV和扩散前因子D0=0.15(×4.1±1)10-2 cm2s-1.

关键词：液滴外延纳米孔盘状结构 Al0.4Ga0.6As 激活能

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Ga液滴沉积速率对GaAs/GaAs(001)量子双环形貌的影响

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物理学报 2019年第18期68卷 120-125页

作者：李志宏丁召汤佳伟王一罗子江马明明黄延彬张振东郭祥贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州财经大学信息学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备同心量子双环(concentric quantum double rings,CQDRs),利用原子力显微镜表征其表面形貌,并研究Ga液滴沉积速率对CQDRs的影响.研究结果发现,随着Ga液滴沉积速率的增加,CQDRs的密度增加,内外环半径... 详细信息

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上制备同心量子双环(concentric quantum double rings,CQDRs),利用原子力显微镜表征其表面形貌,并研究Ga液滴沉积速率对CQDRs的影响.研究结果发现,随着Ga液滴沉积速率的增加,CQDRs的密度增加,内外环半径均降低.根据成核理论中最大团簇密度和Ga液滴沉积速率之间的关系拟合出临界成核原子数目为5,表明在Ga液滴形成阶段时稳定的Ga原子晶核至少包含5个Ga原子;根据成核理论和拟合结果绘制成核过程状态转化图以深入理解Ga液滴形成过程.相关研究结果对液滴外延法制备密度可控的GaAs同心量子双环具有一定的指导意义.

关键词：同心量子双环团簇扩散动力学原子力显微镜

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