检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2024年第2期54卷 323-329页

作者：张续莹刘漾彭祖国徐德凯伍江雄魏亚峰陈超王聪温显超王健安俞宙电磁空间安全全国重点实验室成都610000 重庆吉芯科技有限公司技集团公司重庆400060

设计并实现了超高速数据采集及分析平台,由FPGA数据采集激励板卡、测试分析软件和PC机构成,该系统用于JESD204C接口协议的模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的测试分析。从元器件选型、PCB设计与仿真、激励和软件测试三个方面进行平台... 详细信息

设计并实现了超高速数据采集及分析平台,由FPGA数据采集激励板卡、测试分析软件和PC机构成,该系统用于JESD204C接口协议的模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的测试分析。从元器件选型、PCB设计与仿真、激励和软件测试三个方面进行平台的搭建,以保证平台能够在JESD204C协议的传输速率下稳定运行。基于该平台对一款6 GSPS双通道16位ADC和12 GSPS四通道16位DAC芯片进行动态性能测试,测试结果显示,ADC的SNR为56.3 dBFS,DAC的SFDR为65.5 dBFS,性能指标与手册值接近,表明该数据采集平台的功能与性能得到验证,可推广至JESD204C接口协议的其他芯片的测试,具备一定的通用性。

关键词：采集激励板卡 JESD204C 模数转换器数模转换器测试与应用

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硅基MEMS梁-复合膜-岛压阻式压力传感器设计研究

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压电与声光 2024年第1期46卷 118-123页

作者：江浩黄晶袁宇鹏李春洋苗晋威李光贤中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置... 详细信息

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置。将梁-复合膜-岛结构与传统结构的输出进行仿真对比,由仿真结果可知,梁-复合膜-岛结构在0~60 kPa压力范围内灵敏度较相关结构提升7%以上,较E型结构提升2倍,非线性度为0.029%FSS,满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求,可支撑医疗领域相关应用研究。

关键词：压阻式压力传感器压敏电阻高灵敏度微压

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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究

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压电与声光 2024年第3期46卷 296-299页

作者：徐阳司美菊吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 详细信息

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。

关键词：干法刻蚀刻蚀速率横向激励机电耦合系数薄膜体声波谐振器

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低温度敏感度谐振式压力传感器设计与仿真

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压电与声光 2024年第2期46卷 202-206页

作者：李光贤黄晶袁宇鹏杨靖李春洋张祖伟龙帅中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa... 详细信息

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa内传感器灵敏度可达21.146 Hz/kPa,-50~125℃内零点温度漂移低至0.2 Hz/℃。与全硅结构相比,灵敏度温度漂移由339×10^(-6)/℃降低至14.1×10^(-6)/℃,可适应工作温度范围较高的环境。

关键词：谐振式压力传感器温度漂移温度灵敏度漂移温度补偿

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微生物聚焦的微流控芯片研究

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压电与声光 2025年第1期47卷 75-80页

作者：袁宇鹏蒋卓雅李顺波龙帅李小飞中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 重庆大学光电工程学院重庆401331

针对流式细胞仪中聚焦细菌、酵母菌等小直径微生物困难的问题,开展微生物聚焦的微流控芯片研究。在传统直通道的基础上设计新型方形通道,建立方形通道微流控芯片的有限元模型,通过流体与运动轨迹的有限元仿真实现对通道宽度、长度等结... 详细信息

针对流式细胞仪中聚焦细菌、酵母菌等小直径微生物困难的问题,开展微生物聚焦的微流控芯片研究。在传统直通道的基础上设计新型方形通道,建立方形通道微流控芯片的有限元模型,通过流体与运动轨迹的有限元仿真实现对通道宽度、长度等结构参数的优化设计。通道宽度为20μm、单位长度为80μm时,粒子仿真运动范围为通道的63%。提出了基于硅基衬底的微流控芯片制备方法,制备出方形通道微流控芯片实物。搭建了流式细胞仪原理样机,对方形通道微流控芯片进行了验证实验。实验结果表明,通道总长度约为2.16 cm,酵母菌实际运动范围为70%,表明微流控芯片可达到聚焦酵母菌的设计要求。

关键词：微流控芯片聚焦方形通道粒子轨迹仿真

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硅基集成电路的机械应力测试概述

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微电子学 2024年

作者：刘勇谭磊徐侧茗肖添刘登华兰贵明施杨剑刘建李航王淼重庆中科渝芯电子有限公司中国电子科技集团公司第二十四研究所

随着集成电路集成密度越来越高，在制造和封装过程中积累的机械应力对器件电性能产生了显著影响，因此检测应力对改进与优化工艺特别重要。本文系统介绍了利用硅压阻效应测试封装应力的理论与发展状况，探讨了在芯片制造阶段利用压阻效... 详细信息

随着集成电路集成密度越来越高，在制造和封装过程中积累的机械应力对器件电性能产生了显著影响，因此检测应力对改进与优化工艺特别重要。本文系统介绍了利用硅压阻效应测试封装应力的理论与发展状况，探讨了在芯片制造阶段利用压阻效应通过PCM来测试圆片应力的可行性，取得了初步的试验结果。试验表明十元单极传感器的n型压阻系数灵敏度比八元双极的n型压阻系数灵敏度高，十元单极结构用于应力测试的误差可能更大。后续可开展应力测试准确性的评价方法研究。

关键词：机械应力制造封装压阻效应 PCM 圆片

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一种修正相位误差的毫米波有源移相器

一种修正相位误差的毫米波有源移相器

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作者：何飞董吉汪新淙徐茂加王友华付东兵朱璨 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

本申请提供一种修正相位误差的毫米波有源移相器，该有源移相器包括信号转换模块、相位修调模块、差分信号产生模块及移相模块，将射频信号输入信号转换模块生成第一信号和第二信号，通过调整相位修调模块中相位修调单元的接地方式修正...

标准号: CN119834761A

本申请提供一种修正相位误差的毫米波有源移相器，该有源移相器包括信号转换模块、相位修调模块、差分信号产生模块及移相模块，将射频信号输入信号转换模块生成第一信号和第二信号，通过调整相位修调模块中相位修调单元的接地方式修正第一信号与第二信号之间的相位差，得到两路相互正交的修正信号，通过差分信号产生模块将两路修正信号进行信号转换后输入移相模块的输入端，通过移相模块中的尾电流源调整输入信号的幅值，并将幅值相同的两路信号进行矢量合成，得到目标相位的射频信号，完成对输入射频信号的移相。本申请的有源移相器通过调节多个相位微调单元的接地方式，使两路信号能在一定范围进行相位修正，以降低两路信号相位差，提高移相精度。

关键词：

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一种正交下变频混频器

一种正交下变频混频器

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作者：陈传信董吉王友华朱璨付东兵 401334 重庆市沙坪坝区凤凰镇皂角树村临谢家院子组2号2-2室

本申请提供一种正交下变频混频器，该正交下变频混频器包括第一信号输入端口、信号处理模块及混频模块，通过第一信号输入端口将射频信号转换为差分射频信号，通过信号处理模块对初始本振信号进行移相、放大及阻抗匹配，得到两个相位正...

标准号: CN119766153A

本申请提供一种正交下变频混频器，该正交下变频混频器包括第一信号输入端口、信号处理模块及混频模块，通过第一信号输入端口将射频信号转换为差分射频信号，通过信号处理模块对初始本振信号进行移相、放大及阻抗匹配，得到两个相位正交的本振信号，通过混频模块中的伪差分结构对差分射频信号进行放大，并将第一个本振信号和第二个本振信号与放大后的差分射频信号进行混频，得到两个目标中频信号。本申请提供的正交下变频混频器通过伪差分结构对差分射频信号进行放大，降低混频器的噪声系数和功耗，并通过两路本振信号提升混频速度，进一步降低混频器噪声系数。

关键词：

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C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备

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压电与声光 2024年第3期46卷 285-289页

作者：吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家级重点实验室重庆401332 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332

针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 详细信息

针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。

关键词：压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率高集成

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基于位移放大的压电致动器设计与仿真

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压电与声光 2024年第3期46卷 376-380页

作者：王登攀向路王露王浩代里程中国电科芯片技术研究院重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等... 详细信息

压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等性能的影响规律,优化了结构参数,并制作了样品。测试数据表明,位移放大结构实现了5.3倍以上的位移放大;分析了放大结构在高频电压驱动下的瞬态响应,模拟了驱动信号频率对位移输出的影响,结果表明,在周期0.01 s的交变电压驱动下,结构的位移输出未出现失真。

关键词：压电致动器位移放大结构高频驱动

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