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主题

  • 1 篇 离子注入
  • 1 篇 发光二极管
  • 1 篇 金属有机化学气相...
  • 1 篇 氮化铝

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 陕西省大功率半导...

作者

  • 1 篇 许钪
  • 1 篇 zhang jin-cheng
  • 1 篇 xu kang
  • 1 篇 安瑕
  • 1 篇 杨赫
  • 1 篇 wang hai-tao
  • 1 篇 余森
  • 1 篇 许晟瑞
  • 1 篇 张进成
  • 1 篇 †陶鸿昌
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  • 1 篇 王海涛
  • 1 篇 xu sheng-rui
  • 1 篇 郝跃
  • 1 篇 yang he
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语言

  • 1 篇 中文
检索条件"机构=陕西省大功率半导体照明工程技术中心"
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排序:
离子注入诱导成核外延高质量AlN
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物理学报 2024年 第19期73卷 244-250页
作者: 余森 许晟瑞 †陶鸿昌 王海涛 安瑕 杨赫 许钪 张进成 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室宽禁带半导体国家工程研究中心西安710071 西安电子科技大学广州研究院 广州510555 陕西省大功率半导体照明工程技术中心 西安710071
超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺... 详细信息
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