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检索条件"机构=飞思卡尔中国半导体"
278 条 记 录,以下是71-80 订阅
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飞思卡尔CMOS宽带硅调谐器简化机顶盒设计——助厂商更快进入家庭娱乐市场
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半导体技术 2006年 第4期31卷 319-320页
作者: 卡尔半导体(中国)有限公司 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
随着技术进步,数字电视以其高质量的音视频效果、低廉的价格以及频率资源节省和提供增值服务等优点越来越受到各个国家的青睐,各国将数字电视内容列入明确的议事日程,数字电视产业以及数字电视芯片产业更是"千树万树梨花开".... 详细信息
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飞思卡尔推出用于汽车电池监控的智能传感器
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半导体技术 2011年 第6期36卷 492-493页
作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
在当今的汽车中,日益增加的电力负荷对电池提出了挑战。由电气系统引起的汽车故障通常可以追溯到铅酸电池,一般可以通过了解电池的准确状态加以避免。电池必须能够提供足够的能量以启动发动机并作为一个备份的电源来支持混合动力汽车... 详细信息
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飞思卡尔推出QorIQ通信平台——首款八核微处理器行业最高标准
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半导体技术 2009年 第2期34卷 197-198页
作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
飞思卡尔半导体推出QorIQ P4080多核处理器,一个旨在为嵌入式多核空间中的性能、功效和编程性设定新标准的非常先进的八核通信处理器.
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LQFP塑封电路第二焊线区分层影响因素分析
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电镀与精饰 2012年 第7期34卷 25-30页
作者: 王津生 叶德洪 高伟 陈泉 郭会会 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 天津300385
讨论了在薄型四方扁平封装技术在封装形式中影响塑封胶材料和第二焊线区之间的分层因素,从封装工艺控制,封装材料的使用及框架设计等诸多影响因素中进行了分析实验。结果显示,虽然封装过程中的工艺参数会影响第二焊线区的分层,但通过选... 详细信息
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面向消费电子 飞思卡尔发布模拟产品路线图
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半导体技术 2007年 第12期32卷 1098-1099页
作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 飞思卡尔将半导体(中国)有限公司
日前来自市场调研公司Databeans的调查报告指出,模拟市场在2006年的销售额达到了370亿美元,而且每年以12%的复合增长率增长.Databeans公司预测,全球模拟市场的总交易额在2007年将达到390亿美元,与2006年相比增长5%,该公司同时预测2008... 详细信息
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飞思卡尔系统基础芯片简化并帮助保护汽车网络
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半导体技术 2009年 第9期34卷 935-936页
作者: 飞思卡尔半导体技术(中国)有限公司 飞思卡尔半导体技术(中国)有限公司
LIN(local interconnect network)是基于通用异步收发器(UART)的串行通信协议作为一种低成本的串行通讯网络,用于实现汽车中的分布式电子系统控制,LIN为现有汽车网络(例如CAN总线)提供辅助功能,LIN网络为电机、开关、传感器和灯的连接... 详细信息
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锡镀层锡须生长的快速评估计算方法
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电镀与精饰 2010年 第4期32卷 5-7,10页
作者: 叶德洪 王津生 纪翊 傅细如 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 天津300381
通过锡须指数的计算及对高低温循环实验条件下锡须生长情况的观察与测量,建立了锡须指数与锡须生长长度之间的关系,使得可以在高低温实验结果出来之前就能借助锡须指数来评估锡须生长的风险,从而使实时评估控制镀锡电镀生产线变为可能。
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飞思卡尔帮助运营商完成下一代通信的平滑过渡
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半导体技术 2009年 第8期34卷 822-823页
作者: 飞思卡半导体技术(中国)有限公司 飞思卡尔半导体技术(中国)有限公司
在当前3G的建设过程中,未来网络向LTE的演进能力也为运营商所看重.因此,是否具备向LTE平滑过渡的能力,也是考验芯片供应商的重要指标之一.在中国,按照中国移动的策略,在TD-SCDMA正式投入运营两年之后,就可能全面升级到TDD-LTE.为此,中... 详细信息
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屏蔽板补偿作用改进引线框架镀层厚度均匀性
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电镀与精饰 2014年 第7期36卷 30-32,36页
作者: 王津生 叶德洪 孙德义 张学雷 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 天津300385
基于统计学理论建立了镀层厚度均匀性评估的方法并分析了电镀工艺中对其产生影响的因素。最终发现,通过调整电镀槽中屏蔽板的上下位置,使引线框架形成上薄下厚和上厚下薄的两种分布的镀层厚度,这两种镀层厚度叠加在一起改善镀层整体的... 详细信息
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电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响
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电镀与精饰 2013年 第10期35卷 27-31页
作者: 叶德洪 王津生 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 天津300385
IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解... 详细信息
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