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Electromigration modeling for design rule development in microelectronic interconnects

AIP Conference Proceedings 1999年第1期491卷 51-61页

作者： Robert J. Gleixner William K. Meyer William D. Nix 1Logic Technology Development Intel Corporation Hillsboro Oregon 97124-5503 2Department of Electrical and Computer Engineering Oregon Graduate Institute Portland Oregon 97291 3Department of Materials Science and Engineering Stanford University Stanford California 94305-2205

The use of a physically-based electromigration model as a means of validating design rules in aluminum-based microelectronic interconnects is presented. This model consider the migration of atoms through the line when driven by an applied current and mechanical stress gradients. The model is then applied to a specific interconnect geometry common to CMOS logic circuits. Here the saturation resistance in the interconnect is shown to agree well with experimental observations. The value of the effective charge (Z*) in this material is found to be −8.8. These results demonstrate the usefulness of electromigration modeling as a means of developing interconnect design rules.

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