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Phase formation analysis of Sn-rich bonding layer by x-ray absorption spectroscopy

AIP Conference Proceedings 2018年第1期2008卷

作者： Chupong Pakpum Kanokwan Kanchiang 1Program in Applied Physics Faculty of Science Maejo University Chiang Mai 50290 Thailand

This work aims to investigate the phase formation of SnAu binary system which is Sn-rich bonding layer of total thickness in order of about 2 μm. Stack of metals layer prepared on silicon were prepared by evaporation technique that compose of Ti/Pt/Au on one side of silicon surface and Ti/Pt/Sn/Au on another side of silicon surface. Both silicon surface was bonded under vacuum pressure with annealing temperature 320°C and 57.5 g bonding force for 30 minutes. A mixing of δ-AuSn, ε−AuSn2 and η-AuSn4 are detected by energy-dispersive x-ray (EDX) micro-analyzer and x-ray absorption spectroscopy (XAS).

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