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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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检索条件"机构=Chai. for Circuit Design and Network Theory"

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排序：

0.5-20-GHz UWB Distributed Combiners and Dividers for Multi-Antenna Transceivers

0.5-20-GHz UWB Distributed Combiners and Dividers for Multi-...

引用

作者： Testa, Paolo Valerio Carta, Corrado Barahona, Marvin Ellinger, Frank Chai. for Circuit Design and Network Theory Technische Universität Dresden Dresden01069 Germany

This paper presents discrete active combiners and dividers for ultra-wideband (UWB) applications. The proposed solution exploits distributed amplifier techniques to perform the combination and division of signals over the band from 0.5 to 20 GHz. Three circuit boards are demonstrated: A 2-to-1 active combiner with 17-dB gain, a 4-to-1 active combiner with 30-dB gain, and a 2-to-1 active divider with 10-dB gain. Standard S-parameter and large-signal measurements have been performed to characterize the presented circuit. Multi-antenna demonstrators have been setup to validate the device functionality in more complex scenarios. In particular combination of wideband and narrowband communications has been demonstrated, as well as the use of the combiners for UWB antenna arrays. The presented 4-to-1 combiner shows the best values in terms of gain and a number of inputs with respect to the state-of-art (SOA), while the performance of the other presented devices is comparable to the SOA despite using SMA connectors in place of on-chip measurements. © 2017 IEEE.

关键词： Timing circuits

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Modeling of fully printed organic field effect transistors for circuit design and simulation 13

Modeling of fully printed organic field effect transistors f...

引用

13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to circuit design, SMACD 2016

作者： Kaveh, Olka Kheradmand-Boroujeni, Bahman Kasemann, Daniel Leo, Karl Ellinger, Frank Chai. for Circuit Design and Network Theory Technische Universität Dresden Dresden01062 Germany Institute for Applied Photo Physics Technische Universität Dresden Dresden01062 Germany Technische Universität Dresden Dresden01062 Germany

ISBN: (纸本)9781509004904

Organic field effect transistors (OFETs) have significantly improved during recent years. However, there is still a lack of complete compact models for these devices, due to different materials, device structures, and manufacturing processes. Previous studies on compact OFET modeling have only considered static I-V characteristics, which are subject to the bias-stress effect. In this study, for the first time, two different large-signal OFET models are optimized to small-signal experimental data, which are less sensitive to the bias-stress effect. Li's and Estrada's models are studied overall I-V regions, from sub-threshold to above-threshold, and from linear to saturation region with unified formulations. It is found that Estrada's model fits better to the trans-conductance, whereas the Li's model fits better to the intrinsic gain. Both models are implemented in ADS circuit simulator, using the Verilog-A programming language. The bootstrapped amplifier is simulated and is compared with measurement data. © 2016 European Union.

关键词： Analog circuits

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