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Two-dimensional Epitaxial Growth of Strained InGaAs on GaAs (001)

MRS Online Proceedings Library 2021年第1期737卷 403-408页

作者： Hong Wen Zhiming Wang G.J. Salamo MRSEC and Microelectronics-Photonics Program University of Arkansas Fayetteville USA

Molecular beam epitaxy growth of lattice mismatched In0.53Ga0.47As / GaAs(100) system is studied by in situ scanning tunneling microscope (STM) and reflection high energy electron diffraction. InGaAs layers with a thickness ranging up to 250 nm do not exhibit a smooth surface when grown under In-rich conditions. RHEED and STM confirm the well-ordered (4×2) reconstruction and mono-layer steps associated with this unique planar growth mode. Large STM scans reveal a characteristic morphology of rectangular shaped islands distributed on large flat terraces which are typically more than 300 nm width but only mono-layer steps.

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Two-dimensional epitaxial growth of strained InGaAs on GaAs (001)

Two-dimensional epitaxial growth of strained InGaAs on GaAs ...

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Quantum Confined Semiconductor Nanostructures

作者： Wen, Hong Wang, Zhiming Salamo, G.J. MRSEC Microelectronics-Photonics Program University of Arkansas Fayetteville AR 72701 United States

Molecular beam epitaxy growth of lattice mismatched In0.53Ga0.47As/GaAs(100) system is studied by in situ scanning tunneling microscope (STM) and reflection high energy electron diffraction. InGaAs layers with a thickness ranging up to 250 nm do not exhibit a smooth surface when grown under In-rich conditions. RHEED and STM confirm the well-ordered (4×2) reconstruction and mono-layer steps associated with this unique planar growth mode. Large STM scans reveal a characteristic morphology of rectangular shaped islands distributed on large flat terraces which are typically more than 300 nm width but only monolayer steps.

关键词： Semiconducting indium gallium arsenide

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