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Simple parameter extraction method for non-ideal Schottky barrier diodes
为非理想的 Schottky 障碍二极管的简单参数抽取方法作者机构：ENSEG LPCS F-38016 Grenoble France Univ Thessaloniki Dept Phys Thessalonika 54006 Greece
出 版 物：《ELECTRONICS LETTERS》 (电子学快报)
年 卷 期：1998年第34卷第12期
页 面：1268-1269页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：electric resistance saturation current Schottky diodes leakage resistance series resistance parameter extraction method nonideal Schottky barrier diodes ideality factor semiconductor device testing leakage currents current-voltage characteristics
摘 要：Simple. on-site parameter extraction methods are proposed;the ideality factor, series resistance, leakage resistance and saturation current are determined from the current-voltage characteristics of a Shottky barrier diode.
