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作者

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  • 2 篇 罗伯特·赫茨儿
  • 2 篇 迪尔克·丹特兹
  • 2 篇 罗伯特·诺瓦克
  • 2 篇 格哈德·纳格尔
  • 2 篇 伊戈尔·穆德里
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  • 2 篇 赖因霍尔德·瓦里希...
  • 2 篇 乌尔里希·兰贝特
  • 2 篇 罗伯特·赫茨尔
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  • 10 篇 中文
检索条件"作者=安德烈亚斯·许贝尔"
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敏感数据处理装置及方法
敏感数据处理装置及方法
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作者： 安德烈亚斯·许贝尔 格哈德·纳格尔 罗伯特·诺瓦克 伊戈尔·穆德里 奥地利贡波尔茨基兴
本发明涉及一种处理敏感数据的装置，该装置包括用于形成一个第一可信区的至少一个第一集成电路以及用于形成一个第二可信区的至少一个第二集成电路；其中该第一集成电路包括至少一个被适配成用于处理敏感数据的安全处理单元；该第二集... 详细信息
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敏感数据处理装置及方法
敏感数据处理装置及方法
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作者： 安德烈亚斯·许贝尔 格哈德·纳格尔 罗伯特·诺瓦克 伊戈尔·穆德里 奥地利贡波尔茨基兴
本发明涉及一种处理敏感数据的装置，该装置包括用于形成一个第一可信区的至少一个第一集成电路以及用于形成一个第二可信区的至少一个第二集成电路；其中该第一集成电路包括至少一个被适配成用于处理敏感数据的安全处理单元；该第二集... 详细信息
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搅拌车
搅拌车
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作者： 安德烈亚斯·许贝尔 马丁·维蒂希 德国巴特舒森瑞德
本发明涉及一种带有供水系统和用于产生供水系统中所需水压的水泵以及其他耗能装置的搅拌车，其中，水泵和/或至少一个其他负载由电机驱动。
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校平半导体晶圆的方法及装置，及平坦度改进的半导体晶圆
校平半导体晶圆的方法及装置，及平坦度改进的半导体晶圆
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作者： 特蕾西娅·鲍尔 罗伯特·赫茨儿 安德烈亚斯·许贝尔 赖因霍尔德·瓦利希 德国慕尼黑
本发明涉及一种用于校平半导体晶圆的方法，包括下列步骤：a)描述该半导体晶圆特征的参数的与位置相关的测量，以便在该半导体晶圆的整个表面上确定该参数的与位置相关的值，b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下，对该半导体... 详细信息
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硅绝缘体晶片及其制造方法
硅绝缘体晶片及其制造方法
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作者： 罗伯特·赫茨尔 迪尔克·丹茨 安德烈亚斯·许贝尔 乌尔里希·兰贝特 赖因霍尔德·瓦里希 联邦德国慕尼黑
本发明涉及一种硅绝缘体晶片，该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5%且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种... 详细信息
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半导体衬底及其制造工艺
半导体衬底及其制造工艺
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作者： 迪尔克·丹特兹 安德烈亚斯·许贝尔 赖因霍尔德·沃利施 布里安·默菲 德国慕尼黑
本发明涉及一种制造半导体衬底的工艺，该半导体衬底包括载体晶圆(2)和该载体晶圆(2)一侧上的单晶体半导体材料层(8)，该工艺包括依照顺序给出的下列步骤：在由所述单晶体半导体材料制成的施主晶圆(1)的表面产生含有凹穴(3)的层；将含... 详细信息
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具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
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作者： 迪尔克·丹茨 安德烈亚斯·许贝尔 布里安·墨非 赖因霍尔德·沃里克 德国慕尼黑
本发明涉及半导体晶片,其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200 纳米且不含小洞缺陷的半导体层,以及位于所述半导体层之下且与其邻 接的由电绝缘材料组成的邻接层。本发明还涉及热处理半导体晶片的方 法,该半导体晶片具有半导体层以及位...
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校平半导体晶圆的方法及装置,及平坦度改进的半导体晶圆
校平半导体晶圆的方法及装置,及平坦度改进的半导体晶圆
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作者： 特蕾西娅·鲍尔 罗伯特·赫茨儿 安德烈亚斯·许贝尔 赖因霍尔德·瓦利希 德国慕尼黑
本发明涉及一种用于校平半导体晶圆的方法,包括下列步骤： a)描述该半导体晶圆特征的参数的与位置相关的测量,以便在 该半导体晶圆的整个表面上确定该参数的与位置相关的值, b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下,对该半导 体...
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半导体衬底及其制造工艺
半导体衬底及其制造工艺
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作者： 迪尔克·丹特兹 安德烈亚斯·许贝尔 赖因霍尔德·沃利施 布里安·默菲 德国慕尼黑
本发明涉及一种制造半导体衬底的工艺,该半导体衬底包括载体 晶圆(2)和该载体晶圆(2)一侧上的单晶体半导体材料层(8),该 工艺包括依照顺序给出的下列步骤：在由所述单晶体半导体材料制成 的施主晶圆(1)的表面产生含有凹穴(3)的层；将含...
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硅绝缘体晶片及其制造方法
硅绝缘体晶片及其制造方法
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作者： 罗伯特·赫茨尔 迪尔克·丹茨 安德烈亚斯·许贝尔 乌尔里希·兰贝特 赖因霍尔德·瓦里希 联邦德国慕尼黑
本发明涉及一种硅绝缘体晶片,该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5％且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种...
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