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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

59 篇 专利

馆藏范围

59 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

26 篇 海力士半导体有限...
21 篇 爱思开海力士有限...
5 篇 三星电子株式会社
3 篇 百度在线网络技术...
2 篇 韩英线材
2 篇 cj第一制糖株式会...

作者

54 篇 崔殷硕
8 篇 刘泫升
8 篇 吴政锡
6 篇 朴景焕
5 篇 金延泰
5 篇 朴基寿
5 篇 林世润
4 篇 金世埈
4 篇 金南经
4 篇 安正烈
3 篇 国智
3 篇 李双龙
3 篇 李东奂
3 篇 李起洪
3 篇 殷硕
3 篇 李昌润
3 篇 崔自鑫
3 篇 叶超
3 篇 刘林
2 篇 金容漯

语言

59 篇 中文

检索条件"作者=崔殷硕"

共 59 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

半导体存储器装置

半导体存储器装置

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道

一种半导体存储器装置包括：源极接合结构，其包括彼此接合的第一源极层和第二源极层；第一存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第一源极层；以及第二存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第二源极层。源极接合结构包括... 详细信息

标准号: CN118159027A

一种半导体存储器装置包括：源极接合结构，其包括彼此接合的第一源极层和第二源极层；第一存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第一源极层；以及第二存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第二源极层。源极接合结构包括半导体接合区域和金属接合区域中的至少一个。

关键词：接合结构源极层源极半导体存储器装置存储器单元阵列单元阵列结构第二存储器彼此接合接合区域金属接合半导体

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非易失性存储器件及其制造方法

非易失性存储器件及其制造方法

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道利川市

一种具有多晶硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)结构的非易失性存储器及其制造方法，其中电荷捕获层在水平方向上被物理分隔。朝向源极和漏极捕获电荷的电荷捕获层被物理分离。这基本上可以防止两侧的电荷相互移动。因此，尽管单元尺...

标准号: CN101097965

一种具有多晶硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)结构的非易失性存储器及其制造方法，其中电荷捕获层在水平方向上被物理分隔。朝向源极和漏极捕获电荷的电荷捕获层被物理分离。这基本上可以防止两侧的电荷相互移动。因此，尽管单元尺寸减小，还是可以防止两侧电荷之间的干扰。

关键词：

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半导体存储器装置及其制造方法

半导体存储器装置及其制造方法

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道

一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：基板的单元区域，该单元区域包括第一层叠结构和层叠在第一层叠结构上的第二层叠结构；以及基板的接触区域。第一层叠结构包括在垂直方向上延伸的至少一个下部单元插塞图案... 详细信息

标准号: CN116600566A

一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：基板的单元区域，该单元区域包括第一层叠结构和层叠在第一层叠结构上的第二层叠结构；以及基板的接触区域。第一层叠结构包括在垂直方向上延伸的至少一个下部单元插塞图案和下部狭缝图案。第二层叠结构包括在垂直方向上延伸并且直接接触至少一个下部单元插塞图案的上表面的至少一个上部单元插塞图案和在垂直方向上延伸并且直接接触下部狭缝图案的上表面的上部狭缝图案。上部狭缝图案的与下部狭缝图案的上表面接触的下表面比下部狭缝图案的上表面具有更低的关键尺寸。

关键词：狭缝图案层叠结构上表面插塞半导体存储器装置单元区域下部单元图案基板延伸接触区域上部单元下表面制造

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冷镦用塑性加工金属材料的非磷被膜处理方法

冷镦用塑性加工金属材料的非磷被膜处理方法

引用

作者：崔殷硕韩国忠清北道忠州市忠州山团5路66

本发明涉及作为被膜处理剂使用由特殊成分组成的非磷酸盐处理液，由此，形成适合于冷镦用塑性加工的润滑被膜并当进行淬火(Quenching)和/或回火(Tempering)等的工序处理时，因磷酸盐被膜的影响，防止碳化物附着于金属材料的表面，去除... 详细信息

标准号: CN107250432B

本发明涉及作为被膜处理剂使用由特殊成分组成的非磷酸盐处理液，由此，形成适合于冷镦用塑性加工的润滑被膜并当进行淬火(Quenching)和/或回火(Tempering)等的工序处理时，因磷酸盐被膜的影响，防止碳化物附着于金属材料的表面，去除沉淀现象，并可谋求亲环境的冷镦用塑性加工用金属材料的非磷被膜处理方法。

关键词：被膜金属材料塑性加工冷镦磷酸盐处理沉淀现象工序处理润滑被膜磷酸盐处理剂碳化物淬火非磷附着回火去除

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半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道

本公开涉及一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：半导体基板，其包括存储器单元区和接触区；第一层叠结构，其位于半导体基板上；第二层叠结构，其设置在半导... 详细信息

标准号: CN117082863A

本公开涉及一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：半导体基板，其包括存储器单元区和接触区；第一层叠结构，其位于半导体基板上；第二层叠结构，其设置在半导体基板和第一层叠结构之间；多个单元插塞，其在与半导体基板的顶表面交叉的垂直方向上延伸，并且布置在存储器单元区中的第一层叠结构和第二层叠结构中；以及多个支撑件，其在垂直方向上延伸并且布置在接触区中的第一层叠结构中，其中，第二层叠结构布置在与多个支撑件不同的高度中。

关键词：层叠结构半导体存储器装置半导体基板存储器单元区接触区支撑件顶表面延伸插塞制造

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快闪存储器件的制造方法

快闪存储器件的制造方法

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道利川市

本发明公开了一种制造快闪存储器件的方法。该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底。在有源区中形成隧道绝缘层和第一导电层,并在场区中形成隔离结构。该方法包括沿第一导电层和隔离结构的表面形成介电层,沿介电层的表面形成盖...

标准号: CN101154632

本发明公开了一种制造快闪存储器件的方法。该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底。在有源区中形成隧道绝缘层和第一导电层,并在场区中形成隔离结构。该方法包括沿第一导电层和隔离结构的表面形成介电层,沿介电层的表面形成盖层,和在盖层上形成硬掩模层。该方法还包括实施第一蚀刻过程以蚀刻隔离结构上的盖层和介电层,从而形成孔。该方法还包括实施第二蚀刻过程移除硬掩模层,以在介电层中形成凹槽。此外,该方法包括在其中形成有孔和凹槽的结构上形成第二导电层。

关键词：

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形成金属薄膜的方法

形成金属薄膜的方法

引用

作者：崔殷硕韩国京畿道

本发明公开了一种形成金属薄膜的方法,适用于在沉积原子层时,抑制为防止在反应器内金属前体与反映气体的混合而加大吹清时间所导致的产量的下降。该方法包括的步骤：向承载基板的反应器注入一反应气体；向反应器以脉冲形式注入一金属前...

标准号: CN1483853

本发明公开了一种形成金属薄膜的方法,适用于在沉积原子层时,抑制为防止在反应器内金属前体与反映气体的混合而加大吹清时间所导致的产量的下降。该方法包括的步骤：向承载基板的反应器注入一反应气体；向反应器以脉冲形式注入一金属前体；通过激发脉冲形式的等离子体来活性化反应气体以与反应器中注入的金属前体脉冲交替改变；通过使被活性化的反应气体与金属前体反应,以一原子层的单位沉积一金属薄膜。

关键词：

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冷镦用塑性加工金属材料的非磷被膜处理方法

冷镦用塑性加工金属材料的非磷被膜处理方法

引用

作者：崔殷硕韩国忠清北道忠州市忠州山团5路66

标准号: CN107250432A

关键词：被膜金属材料塑性加工冷镦磷酸盐处理沉淀现象工序处理润滑被膜磷酸盐处理剂碳化物淬火非磷附着回火去除

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具有拼合顶板结构的铁电记忆体装置及其制造方法

具有拼合顶板结构的铁电记忆体装置及其制造方法

引用

作者：崔殷硕廉胜振韩国京畿道

本发明的铁电记忆体装置包含：提供有晶体管元件的半导体基板；形成于半导体基板上的第一内夹绝缘层；储存节点接点,通过穿过第一内夹绝缘层而连接于晶体管的元件上；屏障层,同时与储存节点接点及第一内夹绝缘层接触；下边电极,具有用...

标准号: CN1519940

本发明的铁电记忆体装置包含：提供有晶体管元件的半导体基板；形成于半导体基板上的第一内夹绝缘层；储存节点接点,通过穿过第一内夹绝缘层而连接于晶体管的元件上；屏障层,同时与储存节点接点及第一内夹绝缘层接触；下边电极,具有用于隔离第一内夹绝缘层且形成于屏障层上的空间；胶层,形成于第一内夹绝缘层上且在填充空间时包围下边电极的各横向侧边；第二内夹绝缘层,暴露出下边电极的表面且包围胶层；铁电层,形成于包含第二内夹绝缘层的胶层上；以及上边电极,形成于铁电层上。

关键词：

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与非型快闪存储器件的制造方法

与非型快闪存储器件的制造方法

引用

作者：崔殷硕金南经韩国京畿道

一种制造非易失性存储器件的方法包括在提供在半导体衬底上的隧道电介质层上形成一第一导电层。在该第一导电层上形成一非导电层。蚀刻该非导电层以在第一和第二沟槽之间确定一叠层结构,该叠层结构包括该第一导电层和该非导电层。在...

标准号: CN1893032

一种制造非易失性存储器件的方法包括在提供在半导体衬底上的隧道电介质层上形成一第一导电层。在该第一导电层上形成一非导电层。蚀刻该非导电层以在第一和第二沟槽之间确定一叠层结构,该叠层结构包括该第一导电层和该非导电层。在该叠层结构上和该第一和第二沟槽内形成一第二导电层。蚀刻该第二导电层的上面部分以暴露该叠层结构的非导电层。移除该叠层结构的非导电层以形成具有一开口的三维(3D)浮置栅极, 该浮置栅极包括该第一和第二导电层。通过该3D浮置栅极的开口在该3D浮置栅极内形成一第三导电层以形成一控制栅极。本发明改进了器件的可靠性和操作速度。

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