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检索条件"作者=斯特凡·伯格伦德"
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竖直半导体器件及其制造方法
竖直半导体器件及其制造方法
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作者： 斯特凡·伯格伦德 蒂姆·伯切尔 斯特芬·霍兰 裴晟佑 德特雷夫·欧尔格施勒格尔 荷兰奈梅亨
本公开的各方面总体涉及竖直半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括基板和布置在基板上的外延层，外延层包括第一导电类型的第一半导体区和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体区，第二半导体... 详细信息
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有减小横向场终止距离的竖直取向半导体器件及相应方法
有减小横向场终止距离的竖直取向半导体器件及相应方法
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作者： 斯特凡·伯格伦德 斯特芬·霍兰 蒂姆·伯切尔 裴晟佑 荷兰奈梅亨
本发明提供一种竖直取向半导体器件和制造该竖直取向半导体器件的方法，该竖直取向半导体器件包括具有第一主表面的半导体主体，该半导体主体包括第一导电类型的第一区、第二导电类型的第二区，其中，所述第二区与所述第一区相邻，使得... 详细信息
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半导体器件结构和制造方法
半导体器件结构和制造方法
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作者： 马丁·罗弗 森克·哈贝尼希特 斯特凡·伯格伦德 裴晟佑 荷兰奈梅亨
本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。半导体器件结构包括半导体衬底，该半导体衬底具有与器件区横向分离的边缘区、布置在半导体衬底上的边缘终端结构，其中该边缘终端结构包括：第一氧化物层，其布置在衬底上以从有源区... 详细信息
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半导体器件
半导体器件
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作者： 斯特凡·伯格伦德 森克·哈贝尼希特 斯特芬·霍兰 提姆·伯切尔 荷兰奈梅亨
一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内... 详细信息
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芯片级封装件
芯片级封装件
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作者： 雷格纳斯·赫尔曼努斯·波尔玛 哈特穆特·宾宁 斯特凡·伯格伦德 汉斯-于尔根·芬克 约翰内斯·乔西斯科·伊珀斯 琼普·斯托克曼斯 沃尔夫冈·施尼特 荷兰奈梅亨
本公开的各方面涉及诸如芯片级封装件的半导体装置。本公开的各方面还涉及一种用于制造这种装置的方法。根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括布置在其侧壁上和半导体装置的半导体裸片的周边部分上的共形涂层。... 详细信息
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半导体装置及其制造方法
半导体装置及其制造方法
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作者： 斯特凡·伯格伦德 斯特芬·霍兰 荷兰奈梅亨
本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。
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半导体装置及其制造方法
半导体装置及其制造方法
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作者： 哈特穆特·宾宁 汉斯-于尔根·芬克 斯特凡·伯格伦德 贾斯廷·YH·谭 韦格尼斯沃瑞·拉马林甘 罗尔夫·格罗恩休斯 琼普·斯托克曼斯 泰吉斯·科尼科涅 荷兰奈梅亨
本公开涉及一种半导体装置，其包括：衬底；凹坑，其位于衬底内；可焊接的/可粘合的重新分布层，其布置在凹坑中；以及管芯。管芯朝下布置，使得管芯的基极接触件和发射极接触件面对半导体装置的底部，并且使得管芯的集电极接触件面对... 详细信息
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半导体装置及其制造方法
半导体装置及其制造方法
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作者： 哈特穆特·宾宁 汉斯-于尔根·芬克 斯特凡·伯格伦德 韦格尼斯沃瑞·拉马林甘 贾斯廷·YH·谭 罗尔夫·格罗恩休斯 琼普·斯托克曼斯 泰吉斯·科尼科涅 荷兰奈梅亨
本公开涉及一种半导体装置，包括前侧和后侧、四个侧壁、前侧上的第一焊接/粘合连接件和后侧上的第二焊接/粘合连接件。半导体装置作为芯片级封装件连接到印刷电路板或者经由四个侧壁之一连接到半导体封装件内部，使得第一焊接/粘合连... 详细信息
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半导体器件结构和制造方法
半导体器件结构和制造方法
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作者： 马丁·罗弗 森克·哈贝尼希特 斯特凡·伯格伦德 裴晟佑 荷兰奈梅亨
本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。半导体器件结构包括半导体衬底，该半导体衬底具有与器件区横向分离的边缘区、布置在半导体衬底上的边缘终端结构，其中该边缘终端结构包括：第一氧化物层，其布置在衬底上以从有源区... 详细信息
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电梯设备的控制装置
电梯设备的控制装置
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作者： 安德列·格伦德 斯特凡·施奈德 斯特凡·格斯登美尔 德国杜塞尔多夫
本发明涉及一种用于电梯设备的控制装置，其具有用于由用户将控制命令输入控制装置的输入装置(100)，其中该输入装置(100)具有至少一个可以由用户操纵的第一输入元件(112a‑112f、114、116)，其特征在于，通过以第一可预定方式操纵输入元... 详细信息
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