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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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37 篇 专利

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11 篇 南京大学
3 篇 复旦大学
2 篇 苏州科技大学
2 篇 中国科学院合肥物...
2 篇 广东瑞谷光网通信...
2 篇 清华大学
2 篇 北京大学
2 篇 华为技术有限公司
2 篇 厦门大学
2 篇 中国电子科技南湖...
1 篇 华中科技大学
1 篇 厦门半导体工业技...
1 篇 加特兰微电子科技...
1 篇 电子科技大学
1 篇 北京航空航天大学
1 篇 浙江大学
1 篇 北京工业大学
1 篇 湖北冠音泰科技有...

作者

9 篇 王宇宣
9 篇 潘红兵
5 篇 梅正宇
4 篇 彭成磊
2 篇 赵毅
2 篇 叶力
2 篇 吴永杰
2 篇 李忠贤
2 篇 龚帅楠
2 篇 康俊勇
2 篇 江坤
2 篇 吴天泽
2 篇 王一鸣
2 篇 孟钢
2 篇 王凯
2 篇 周江鹏
2 篇 张卫
2 篇 安梦瑜
2 篇 孙清清
2 篇 吴雅苹

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37 篇 中文

检索条件"主题词=一体器件"

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一种高耐久存算一体器件及其制备方法

一种高耐久存算一体器件及其制备方法

引用

作者：王天宇孟佳琳陈琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明公开一种高耐久存算一体器件及其制备方法。该器件包括：衬底；底层电极，形成在衬底上，沿第一方向排列；Hf基掺杂薄膜/四(乙基甲基氨基)锆薄膜叠层，包括两周期以上循环，形成在底层电极上，其中，四(乙基甲基氨基)锆薄膜用于... 详细信息

标准号: CN117729776A

本发明公开一种高耐久存算一体器件及其制备方法。该器件包括：衬底；底层电极，形成在衬底上，沿第一方向排列；Hf基掺杂薄膜/四(乙基甲基氨基)锆薄膜叠层，包括两周期以上循环，形成在底层电极上，其中，四(乙基甲基氨基)锆薄膜用于实现对Hf基掺杂薄膜的锆元素掺杂，对Hf基掺杂薄膜形成夹持效果，诱导整体薄膜产生反铁电特性；顶层电极，形成在Hf基掺杂薄膜/四(乙基甲基氨基)锆薄膜叠层上，沿第二方向排列，与底层电极呈垂直交叠；以顶层电极作为神经形态器件的前端，以底层电极作为神经形态器件的后端，在顶层电极施加脉冲激励，在底层电极捕捉电流，用以读取器件的权重状态，实现连续可调的反铁电存算一体权重调控功能。

关键词：底层电极掺杂顶层电极甲基氨基锆薄膜乙基薄膜方向排列神经形态衬底叠层权重反铁电特性薄膜形成调控功能读取器件连续可调脉冲激励一体器件整体薄膜反铁电锆元素夹持交叠制备诱导垂直捕捉施加

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一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法

一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法

引用

作者：陈琳刘雍凯王天宇孟佳琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括：Si/SiO2衬底，其中，SiO2层形成有凹槽；底电极，形成在所述SiO2层的凹槽中，其顶部高出所述SiO2层的表面；铁电栅介质层，其为HfLaO铁电薄膜，形成在所述衬底... 详细信息

标准号: CN117727797A

本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括：Si/SiO₂衬底，其中，SiO₂层形成有凹槽；底电极，形成在所述SiO₂层的凹槽中，其顶部高出所述SiO₂层的表面；铁电栅介质层，其为HfLaO铁电薄膜，形成在所述衬底上，覆盖所述底电极；沟道层，其为ITO薄膜，形成在所述HfLaO铁电薄膜上；源电极和漏电极，形成在所述ITO薄膜两侧。该器件具有高速和低功耗的优点，有望成为新一代人工突触的有力竞争者，在未来类脑芯片中得到应用。

关键词：铁电薄膜低功耗底电极衬底一体器件栅介质层沟道层漏电极源电极铁电突触制备芯片覆盖应用

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自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器

自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器

引用

作者：章晓中蒲宇辰卢子尧牟鸿铭李文静叶力 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

本公开的实施例提供了一种自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器。在该自旋逻辑器件中，磁性单元包括沿堆叠方向布置的自旋霍尔效应层和铁磁层。铁磁层的磁化方向沿着堆叠方向。磁性单元包括在第一侧的第一端口、在与第一侧相对... 详细信息

标准号: CN116830198A

本公开的实施例提供了一种自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器。在该自旋逻辑器件中，磁性单元包括沿堆叠方向布置的自旋霍尔效应层和铁磁层。铁磁层的磁化方向沿着堆叠方向。磁性单元包括在第一侧的第一端口、在与第一侧相对的第二侧的第二端口以及位于第一端口与第二端口之间并且在第三侧的第三端口。第一负微分电阻耦接在第一端口与第三端口之间。第二负微分电阻耦接在第二端口与第三端口之间。该自旋逻辑器件可以在第一负微分电阻和/或第二负微分电阻两端产生显著不同的输出电压，以识别不同的逻辑输出。通过这种方式，可以实现电压型自旋逻辑器件，从而降低器件功耗，提高器件性能。

关键词：自旋负微分电阻逻辑器件磁性单元堆叠方向铁磁层耦接磁化方向霍尔效应降低器件逻辑输出器件性能输出电压一体器件半加器电压型全加器功耗

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一种室温多铁半导体存算一体器件

一种室温多铁半导体存算一体器件

引用

作者：彭波张鑫豪 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于多铁存储技术领域，具体涉及一种室温多铁半导体存算一体器件。本发明利用多铁半导体材料，利用场效应晶体管逻辑，在实现高速、低功耗、低成本和室温下正常工作的应用条件下，从运算和存储功能均基于单相多铁半导体材料制成... 详细信息

标准号: CN115768126A

本发明属于多铁存储技术领域，具体涉及一种室温多铁半导体存算一体器件。本发明利用多铁半导体材料，利用场效应晶体管逻辑，在实现高速、低功耗、低成本和室温下正常工作的应用条件下，从运算和存储功能均基于单相多铁半导体材料制成。本发明的室温多铁半导体存算一体器件通过：施加栅极电压，形成连通沟道，实现多铁半导体运算器的开关功能；同时通过栅极电压控制铁磁极化，实现多铁半导体非易失磁存储功能，进而从根本上解决存储和运算之间得“存储墙”难题。

关键词：半导体半导体材料一体器件存储场效应晶体管存储技术领域栅极电压控制存储功能开关功能应用条件栅极电压磁存储低成本低功耗非易失和运算铁磁极运算器沟道连通运算施加

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自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器

自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器

引用

作者：李文静叶力向清懿 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

本公开的实施例提供了一种自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器。在该自旋逻辑器件中，磁性单元包括沿第一方向堆叠的自旋霍尔效应层和铁磁层。磁性单元包括在第一侧的第一端口、在沿第二方向与第一侧相对的第二侧的第二端口以... 详细信息

标准号: CN117321688A

本公开的实施例提供了一种自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器。在该自旋逻辑器件中，磁性单元包括沿第一方向堆叠的自旋霍尔效应层和铁磁层。磁性单元包括在第一侧的第一端口、在沿第二方向与第一侧相对的第二侧的第二端口以及位于第一端口与第二端口之间并且在上方的第三端口。第一负微分电阻耦接在第一端口与第三端口之间。第二负微分电阻耦接在第二端口与第三端口之间。该自旋逻辑器件可以在第一负微分电阻和/或第二负微分电阻两端产生显著不同的输出电压，以识别不同的逻辑输出。通过这种方式，可以实现电压型自旋逻辑器件，从而降低器件功耗，提高器件性能。此外，该自旋逻辑器件不需要磁场来辅助磁矩翻转，容易集成。

关键词：自旋逻辑器件负微分电阻磁性单元耦接霍尔效应降低器件逻辑输出器件性能输出电压一体器件半加器电压型全加器铁磁层翻转磁矩堆叠功耗磁场

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一种基于铋氧硒-钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法

一种基于铋氧硒-钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法

引用

作者：贺明许蕾刘硕刘鋆灵黄如 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种基于铋氧硒‑钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法，该器件包括衬底和栅介质层，位于栅介质层上排布有异质结光传感器阵列，所述异质结光传感器包括上下叠加的钙钛矿吸光层和铋氧硒沟道层，铋氧硒沟道层两侧为源... 详细信息

标准号: CN117096206A

本发明公开了一种基于铋氧硒‑钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法，该器件包括衬底和栅介质层，位于栅介质层上排布有异质结光传感器阵列，所述异质结光传感器包括上下叠加的钙钛矿吸光层和铋氧硒沟道层，铋氧硒沟道层两侧为源漏电极，所述异质结光传感器为typeⅠ型能带结构，在负栅压下，异质结光传感器为pn型能带，在正栅压下，异质结光传感器为nn⁺能带，所述异质结光传感器的栅压依赖的正负光响应对应于神经网络计算中权重，实现感算一体。利用本发明可以实现卷积操作，可实现图片预处理功能和目标检测功能，具有超高光灵敏度，可有效提高弱光环境（低至0.1μW/cm²）下图像边缘计算功能。

关键词：异质结光传感器栅介质层钙钛矿沟道层光传感器阵列目标检测功能神经网络计算预处理功能光灵敏度计算功能能带结构弱光环境上下叠加图像边缘一体器件源漏电极负栅压光响应吸光层正栅压衬底卷积排布权重栅压制备图片

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面向存算一体器件温漂特性的精度补偿装置及方法

面向存算一体器件温漂特性的精度补偿装置及方法

引用

作者：王宇宣周奕斐梅正宇彭成磊潘红兵 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

本发明提供了一种面向存算一体器件温漂特性的精度补偿装置及方法。该精度补偿装置包括上位机、补偿阵列模块、部分和补偿逻辑模块、温度传感模块、补偿阵列控制模块、ADC阵列和加法树，其中，补偿阵列模块，用于存储针对不同温度范围... 详细信息

标准号: CN116384456A

本发明提供了一种面向存算一体器件温漂特性的精度补偿装置及方法。该精度补偿装置包括上位机、补偿阵列模块、部分和补偿逻辑模块、温度传感模块、补偿阵列控制模块、ADC阵列和加法树，其中，补偿阵列模块，用于存储针对不同温度范围而训练得到的权重值，并对推理结果进行第一次补偿；部分和补偿逻辑模块，用于对加法树的输出结果进行采样和对推理结果进行第二次补偿。本发明可以解决存算一体器件权重随温度漂移而导致的向量矩阵乘法计算结果偏差、神经网络推理精度退化等问题，可适用于不同种类的存算一体器件，具有一定的通用性。

关键词：补偿阵列一体器件补偿逻辑模块精度补偿装置推理结果加法树权重温度传感模块向量矩阵乘法控制模块神经网络输出结果温度漂移上位机采样推理温漂存储退化

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一种基于存算一体器件阵列的自监督学习加速系统及方法

一种基于存算一体器件阵列的自监督学习加速系统及方法

引用

作者：潘红兵娄胜王宇宣 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

本发明公开了一种基于存算一体器件阵列的自监督学习的加速系统及方法。该加速系统包括缓存模块、计算阵列、权重输入模块、辅助电路、控制模块和参数更新模块；缓存模块、计算阵列和参数更新模块依次相连；权重输入模块与计算阵列相连... 详细信息

标准号: CN110647983B

本发明公开了一种基于存算一体器件阵列的自监督学习的加速系统及方法。该加速系统包括缓存模块、计算阵列、权重输入模块、辅助电路、控制模块和参数更新模块；缓存模块、计算阵列和参数更新模块依次相连；权重输入模块与计算阵列相连接，用于更新计算阵列；控制模块分别与缓存模块、权重输入模块、计算阵列和参数更新模块连接；计算阵列和辅助电路用于完成对自监督神经网络的运算。本发明借助存算一体计算阵列的面积和功耗优势，实现了一种自监督学习的加速系统和方法，相比现有利用图形计算显卡和传统数字电路的处理系统，可以节省大量的能耗和产品体积。

关键词：参数更新模块缓存模块加速系统输入模块权重辅助电路控制模块处理系统传统数字神经网络图形计算一体器件依次相连面积和监督功耗显卡运算能耗电路学习更新

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一种基于光电存算一体器件的多层感知机装置

一种基于光电存算一体器件的多层感知机装置

引用

作者：潘红兵吴迪梅正宇郑沐晗王宇宣 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

本发明提供了一种基于光电存算一体器件的多层感知机装置。该装置包括：普通卷积层模块，用于对输入特征图进行卷积运算并生成输出特征图传输至混合层模块；混合层模块，包括级联的四个混合层模块，每个混合层模块分别包括依次相连的深... 详细信息

标准号: CN115587622A

本发明提供了一种基于光电存算一体器件的多层感知机装置。该装置包括：普通卷积层模块，用于对输入特征图进行卷积运算并生成输出特征图传输至混合层模块；混合层模块，包括级联的四个混合层模块，每个混合层模块分别包括依次相连的深度可分离卷积层子模块、两个全连接层子模块；平均池化及分类输出模块，包括平均池化子模块和分类器子模块，用于将四个混合层模块输出的特征图像按通道进行平均池化操作，然后将平均池化后得到的一维向量进行分类输出操作得到最终分类的预测结果。本发明所实现的神经网络加速器其中间缓存开销更小、与基于光电存算一体器件的计算阵列更适配，而且提升了神经网络中矩阵向量乘运算的效率。

关键词：混合层子模块池化神经网络一体器件卷积分类多层感知矩阵向量卷积运算模块输出输出操作输出模块输出特征输入特征特征图像一维向量依次相连预测结果中间缓存乘运算分类器加速器可分离连接层级联适配传输

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基于光电存算一体器件的transformer神经网络加速装置及方法

基于光电存算一体器件的transformer神经网络加速装置及方法

引用

作者：王宇宣武元辰傅高鸣梅正宇彭成磊潘红兵 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

本发明提供了一种基于光电存算一体器件的transformer神经网络加速装置及其方法。该装置包括：(1)编码模块包括：多头注意力计算子模块，用于对输入向量执行多头注意力计算操作；前馈全连接层子模块，用于执行全连接操作以及线性整流操... 详细信息

标准号: CN116306854A

本发明提供了一种基于光电存算一体器件的transformer神经网络加速装置及其方法。该装置包括：(1)编码模块包括：多头注意力计算子模块，用于对输入向量执行多头注意力计算操作；前馈全连接层子模块，用于执行全连接操作以及线性整流操作；加法单元，用于将上级模块中的输入向量与输出向量相加；归一化子模块，用于对来自加法单元的输入向量执行归一化操作；(2)译码模块包括：多头注意力计算子模块、前馈全连接层子模块、加法单元和归一化子模块；(3)分类预测模块，用于对上级模块输出的一维向量执行全连接操作，并执行分类输出操作。本发明的装置能够加速实现transformer神经网络，还能够极大地降低硬件架构的功耗、面积以及计算延迟。

关键词：加法单元输入向量注意力计算子模块连接操作上级模块神经网络多头连接层子模块前馈分类预测模块归一化操作编码模块计算操作加速装置输出操作输出向量线性整流一体器件一维向量译码模块硬件架构功耗相加延迟输出分类

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