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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

157 篇 专利

馆藏范围

157 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 长春理工大学
6 篇 北京大学
5 篇 华中科技大学
4 篇 中国地质大学
3 篇 成都皓瀚完井岩电...
3 篇 浙江大学
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 西安和其光电科技...
2 篇 致晶科技有限公司
2 篇 华润矽威科技有限...
2 篇 北京科技大学
2 篇 潍坊华光光电子有...
2 篇 东服企业股份有限...
2 篇 合肥硅臻芯片技术...
2 篇 中航高科智能测控...
2 篇 上海北车永电电子...
2 篇 芯冠半导体有限公...
2 篇 天津大学
2 篇 华能新能源股份有...
2 篇 上海电机学院

作者

4 篇 乔忠良
4 篇 刘国军
4 篇 芦鹏
4 篇 高欣
4 篇 薄报学
4 篇 王玉霞
4 篇 张斯玉
4 篇 李梅
4 篇 李占国
3 篇 陈一健
3 篇 张伦平
3 篇 孙雷
3 篇 王晓华
3 篇 唐吉龙
3 篇 王柯景
3 篇 曲轶
3 篇 方铉
3 篇 楚学影
3 篇 李金华
3 篇 房丹

语言

157 篇 中文

检索条件"主题词=传统半导体"

共 157 条记录，以下是41-50 订阅

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一种半导体晶体管

一种半导体晶体管

引用

作者：刘志强龙立王来营邹春平刘盛想 523000 广东省东莞市南城街道黄金路1号东莞天安数码城B2栋404

本实用新型涉及半导体晶体管技术领域，具体为一种半导体晶体管，包括安装盘，所述安装盘的上表面固定安装有晶体管本体，所述安装盘的下表面固定安装有支脚，所述支脚的外表面套设有套盘，所述套盘靠近安装盘的一侧固定安装有插塞，所... 详细信息

标准号: CN216120269U

本实用新型涉及半导体晶体管技术领域，具体为一种半导体晶体管，包括安装盘，所述安装盘的上表面固定安装有晶体管本体，所述安装盘的下表面固定安装有支脚，所述支脚的外表面套设有套盘，所述套盘靠近安装盘的一侧固定安装有插塞，所述安装盘的下表面开设有插孔，所述插塞插设在插孔的内部，所述套盘的下表面固定安装有加固套，所述加固套套设在支脚的外表面。本实用新型，通过设置该套盘、插塞、插孔以及加固套等相关结构，可以在传统半导体晶体管的基础之上，对半导体晶体管的根部增加了一圈加固套，以此来增加整个支脚根部的连接固定效果，进而可以有效地避免晶体管支脚出现变形折弯的情况出现，确保该半导体晶体管后续的正常安装。

关键词：安装盘支脚半导体晶体管套盘加固套下表面插孔插塞本实用新型晶体管传统半导体晶体管本体连接固定外表面套上表面有效地折弯变形

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一种带有真空基座的半导体光源结构

一种带有真空基座的半导体光源结构

引用

作者：周恩兰 201700 上海市青浦区胜利路2号4幢一层C区147室

本实用新型公开了一种带有真空基座的半导体光源结构，其特征在于:所述芯片基座内腔呈真空状。其将传统意义上的芯片基座真空化、变形化、拉伸化，形成一种新型半导体光源结构，将灯具和光源一次成型，拉伸后的芯片基座完全能够满足灯... 详细信息

标准号: CN202205808U

本实用新型公开了一种带有真空基座的半导体光源结构，其特征在于:所述芯片基座内腔呈真空状。其将传统意义上的芯片基座真空化、变形化、拉伸化，形成一种新型半导体光源结构，将灯具和光源一次成型，拉伸后的芯片基座完全能够满足灯具的散热率，将灯具简化至极限，省去了传统半导体灯具中必须的金属外壳、内部光源安装支架、导热管、外部散热装置、灯体支架等部件，大大降低了灯具的制造成本和维护成本，有效提高了产品的市场竞争力，相比现有技术而言具有突出的实质性创新特点和显著进步。

关键词：灯具芯片基座拉伸外部散热装置半导体光源传统半导体市场竞争力新型半导体安装支架传统意义创新特点灯体支架光源结构金属外壳内部光源维护成本一次成型真空基座变形化导热管散热率实质性真空化内腔光源

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一种半导体激光器

一种半导体激光器

引用

作者：不公告发明人 714000 陕西省渭南市高新区利君首座10号2单元

一种半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；第一AlGaN层，第二AlGaN层，所述第一和第二AlGaN层的总厚度为2-3微米，并且所述第一AlGaN层具有高于所述第二AlGaN... 详细信息

标准号: CN203674553U

一种半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；第一AlGaN层，第二AlGaN层，所述第一和第二AlGaN层的总厚度为2-3微米，并且所述第一AlGaN层具有高于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度以及大于所述第二AlGaN层的厚度；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；以及厚度为110-120纳米的P型GaN层，所述P型GaN层具有低于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度。该半导体激光器不仅比传统半导体激光器能发出频率更为单一的激光，而且发射出的激光远场图具有更小光斑。

关键词：半导体激光器掺杂浓度光波导层传统半导体电子阻挡层激光远场激光器蓝宝石光斑包覆层缓冲层大于层级衬底有源激光发射

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半导体激光器用恒流驱动电路

半导体激光器用恒流驱动电路

引用

作者：李建荣薛亚平 225000 江苏省扬州市邗江区华扬西路199号扬州工业职业技术学院

本实用新型公开了一种半导体激光器用恒流驱动电路，属于电力电子技术领域，解决了传统半导体激光器驱动电流不稳定、电路设计复杂、成本高的问题。主要包括电压基准单元、误差放大单元、调整电路单元以及取样电路单元，本实用新型电路... 详细信息

标准号: CN207651796U

本实用新型公开了一种半导体激光器用恒流驱动电路，属于电力电子技术领域，解决了传统半导体激光器驱动电流不稳定、电路设计复杂、成本高的问题。主要包括电压基准单元、误差放大单元、调整电路单元以及取样电路单元，本实用新型电路设计简单，基于电压负反馈原理，不存在多触发脉冲现象，实现对半导体激光器注入电流和输出光强的控制，能够提供高稳定度的驱动电流，性能可靠、体积小、制造成本低，具有很高的实用价值，应用广泛，可广泛应用于半导体激光器技术领域。

关键词：半导体激光器本实用新型电路设计电力电子技术领域激光器驱动电流电压基准单元调整电路单元恒流驱动电路取样电路单元误差放大单元传统半导体电压负反馈触发脉冲高稳定度驱动电流输出光强制造成本注入电流体积小应用

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一种半导体电路基板清洗系统

一种半导体电路基板清洗系统

引用

作者：冯宇翔黄浩 528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一

本实用新型公开了一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗... 详细信息

标准号: CN217069906U

本实用新型公开了一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置；密闭腔体的顶部设有密封盖板，密封盖板设于双层冷凝装置的上方，密封盖板的板面设有若干自动入口，若干自动入口分别对应下方各装置，自动入口设有红外感应装置，每两个自动入口之间的上方设有可移动的机械手。本方案解决了传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。

关键词：超声波粗洗密闭腔体密封盖板浸泡粗洗装置冷凝装置清洗系统蒸馏回收精洗半导体电路基板红外感应装置蒸馏回收装置本实用新型传统半导体方案解决封装器件精洗装置清洗效果依次设置机械手可移动密闭腔密封性上区域板面体内

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一种半导体测试机连接线

一种半导体测试机连接线

引用

作者：刘静陈伟 215000 江苏省苏州市工业园区唯亭双泾街59号

本实用新型属于半导体相关技术领域，具体涉及一种半导体测试机连接线，包括安装板，所述安装板顶部的左侧栓接有半导体测试机本体，所述半导体测试机本体右侧的底部从前至后均依次连通有连接头，所述连接头的内腔活动连接有连接线，所... 详细信息

标准号: CN214174550U

本实用新型属于半导体相关技术领域，具体涉及一种半导体测试机连接线，包括安装板，所述安装板顶部的左侧栓接有半导体测试机本体，所述半导体测试机本体右侧的底部从前至后均依次连通有连接头，所述连接头的内腔活动连接有连接线，所述半导体测试机本体右侧的底部栓接有固定板，所述固定板的顶部栓接有固定卡座，所述固定卡座的正面和背面均栓接有支撑板。本实用新型通过移动板、第一弹簧、活动柱、活动板、连接柱、移动卡座和限位座的配合，可对连接线进行整齐排列，防止连接线在使用时发生缠绕，影响连接线的正常使用，同时防止连接线发生破损，延长了连接线的使用寿命，解决了传统半导体测试机连接线排序不整齐的问题。

关键词：连接线半导体测试栓接机本体本实用新型固定卡座安装板固定板连接头传统半导体活动连接有从前至后使用寿命依次连通整齐排列测试机活动板活动柱连接柱限位座移动板支撑板弹簧卡座内腔排序半导体背面缠绕破损整齐移动配合

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一种高密度半导体引线框架

一种高密度半导体引线框架

引用

作者：杨春林王勇 330800 江西省宜春市高安市新世纪工业园通城大道26号

本实用新型公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠... 详细信息

标准号: CN213958949U

本实用新型公开了一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。本实用新型通过缩短同列和同行两个相邻灯珠框架间距，达到采用传统半导体引线框架同样的尺寸内部能够设置安装1040～1600个灯珠框架，节省了大量成本，大大提高了生产效率；使用时两相邻灯珠之间的间距也就缩短了，提高了LED灯珠光效。

关键词：灯珠边框本实用新型框架中心相邻灯珠引线框架镂空框架区底座高密度半导体传统半导体生产效率同一列光效均布同列外围同行

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一种半导体制冷系统冷端装置和热端装置间的锁紧结构

一种半导体制冷系统冷端装置和热端装置间的锁紧结构

引用

作者：张永彬 264000 山东省烟台市高新区蓝海路1号

本发明公开了一种半导体制冷系统冷端装置和热端装置间的锁紧结构，本结构是在传统半导体制冷系统的热端装置和冷端装置中间增加一套由导热锁紧嵌块和绝热锁紧镶块组成的驳接结构，导热锁紧嵌块和绝热锁紧镶块相互扣合，导热锁紧嵌块直... 详细信息

标准号: CN110940109A

本发明公开了一种半导体制冷系统冷端装置和热端装置间的锁紧结构，本结构是在传统半导体制冷系统的热端装置和冷端装置中间增加一套由导热锁紧嵌块和绝热锁紧镶块组成的驳接结构，导热锁紧嵌块和绝热锁紧镶块相互扣合，导热锁紧嵌块直接与热端装置连接，冷端装置的紧固螺丝与绝热锁紧镶块连接，通过驳接形式实现系统锁紧。本发明通过设置此结构不仅可以有效锁紧半导体制冷片两侧的热端装置和冷端装置，有效的提升半导体制冷片的工作效率、降低系统工作热阻，而且还可以避免传统的直接穿透式锁紧带来的冷热导通消耗问题，易于生产和匹配设计，使用成本低。

关键词：锁紧冷端装置热端装置导热绝热嵌块镶块半导体制冷片驳接半导体制冷系统传统半导体工作效率降低系统紧固螺丝锁紧结构制冷系统穿透式传统的系统锁导通冷热热阻匹配消耗生产

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一种复合含能薄膜半导体桥

一种复合含能薄膜半导体桥

引用

作者：张威邓有杞张良 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层... 详细信息

标准号: CN112254586A

本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面。本发明提供的复合含能薄膜半导体桥，相比于传统的半导体桥，将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层，取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药，更可控、且安全，在能量方面，本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜，更利于能量的转换，点火能力强，同时可实现隔离点火，药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔，在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统，实现智能化。

关键词：复合薄膜层薄膜半导体半导体桥绝热层上表面桥区绝缘层磁控溅射沉积绝缘层上表面传统半导体基底上表面绝缘层表面安保系统磁控溅射点火能力点火通道间隙空腔质量能量电极传统的第一级智能化淀积基底可控空腔涂敷薄膜点火隔离转换安全

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半导体存储器以及位元单元追踪方法

半导体存储器以及位元单元追踪方法

引用

作者：陶昌雄蓝丽娇陆崇基中国台湾新竹市

本发明包括半导体存储器以及位元单元追踪方法。一种半导体存储器的第一区段包括：第一存储器存储组，包括多个以行列排列的第一存储器单元以及配置在第一追踪行的第一追踪单元。第二存储器存储组，包括多个以行列排列的第二存储器单元... 详细信息

标准号: CN102385914A

本发明包括半导体存储器以及位元单元追踪方法。一种半导体存储器的第一区段包括：第一存储器存储组，包括多个以行列排列的第一存储器单元以及配置在第一追踪行的第一追踪单元。第二存储器存储组，包括多个以行列排列的第二存储器单元以及配置在第二追踪行的第二追踪单元。当存取第一以及第二追踪单元时，第一追踪电路耦接至第一以及第二追踪单元以输出第一信号至存储器控制电路；其中上述存储器控制电路根据上述第一信号用以设定存储器时钟脉冲。本发明能使配置在存储器的追踪位元单元可独立追踪，且和传统半导体存储器和追踪方法相比能够产生一个更好的结果。

关键词：追踪存储器存储器控制电路半导体存储器存储器单元存储组存储器时钟脉冲排列传统半导体行列存取电路

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