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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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200 篇 专利

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200 篇 电子文献
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30 篇 电子科技大学
16 篇 西安电子科技大学
7 篇 南京邮电大学
5 篇 浙江大学
4 篇 太原理工大学
4 篇 深圳方正微电子有...
4 篇 重庆邮电大学
4 篇 浙江英特来光电科...
4 篇 北京大学
4 篇 南京航空航天大学
4 篇 上海大学
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华南师范大学
3 篇 复旦大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 江南大学
3 篇 杭州电子科技大学
3 篇 南通大学
3 篇 湘潭大学
2 篇 武汉火石光电有限...

作者

16 篇 张波
10 篇 李泽宏
8 篇 张金平
8 篇 杨银堂
8 篇 刘竞秀
8 篇 段宝兴
7 篇 郝跃
6 篇 任敏
6 篇 董自明
5 篇 张进成
5 篇 王颖
4 篇 陈万军
4 篇 陈新蕾
4 篇 黄义
4 篇 童祎
4 篇 欧锋
4 篇 魏翔
4 篇 顾长青
4 篇 张粮
4 篇 郭宇锋

语言

200 篇 中文

检索条件"主题词=传统器件"

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详细简洁

排序：

超结LDMOS器件以及制造其的方法

超结LDMOS器件以及制造其的方法

引用

作者：莫海锋 215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1楼

本公开涉及微电子技术领域。具体而言，本公开提供了一种超结LDMOS器件，其包括：形成在沟道与N型柱区邻接的部分中的沟道积累区，该沟道积累区的掺杂浓度的范围为5E17/cm3至5E18/cm3，形成了引导所述沟道的表面电子向所述衬底流动的通... 详细信息

标准号: CN117790540A

本公开涉及微电子技术领域。具体而言，本公开提供了一种超结LDMOS器件，其包括：形成在沟道与N型柱区邻接的部分中的沟道积累区，该沟道积累区的掺杂浓度的范围为5E17/cm³至5E18/cm³，形成了引导所述沟道的表面电子向所述衬底流动的通路。当沟道表面形成电子反型层时，沟道积累区能够形成很宽的电子通路，以便引导电子向衬底所在的方向流动，因此，避免了传统器件在栅极靠近漂移区边缘的峰值电场和电流路径重合的情况，继而降低了静态偏置时碰撞电离强度，从而降低了热载流子注入效应。该超结LDMOS器件还可以通过设置场板来平坦化柱区的电场强度。此外，本公开还涉及一种用于制造该超结LDMOS器件的方法。

关键词：沟道超结LDMOS器件衬底积累热载流子注入效应微电子技术领域电子反型层表面电子传统器件电流路径电子通路方向流动峰值电场沟道表面静态偏置碰撞电离漂移区平坦化邻接重合场板柱区掺杂流动制造

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一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法

一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法

引用

作者：魏进刘思航 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源... 详细信息

标准号: CN117497597A

本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源区。相比于传统器件结构和工艺，本发明的平面栅MOSFET器件的P型重掺杂区、P型基区和源区的形成，只需要一次光刻，使用同一个注入掩模，即可完成所有的离子注入工艺，所需要考虑的光刻对准误差更小，次数更低，因此能够具有更窄的P型重掺杂区、P型基区和源区，以缩小器件的元胞宽度，增加器件的沟道密度，降低器件的沟道电阻，而不额外增加器件的JFET电阻。

关键词：源区平面栅离子注入工艺自对准工艺常规离子传统平面传统器件对准误差沟道电阻降低器件刻蚀掩模倾斜离子一次光刻源极沟槽注入掩模碳化硅电阻沟道光刻刻蚀元胞制备

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一种SOT器件及其制备方法

一种SOT器件及其制备方法

引用

作者：吴志明高扬钧许飞雅李煦吴雅苹李书平 215300 江苏省苏州市昆山市高新区玉带北路285号1号楼4层

本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族... 详细信息

标准号: CN118302029A

本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。

关键词：磁隧道结耦合层过渡金属硫族化合物铁磁自由层二维磁化铁磁固定层传统器件多物理场降低器件依次层叠翻转势垒层衬底自旋制备调控轨道

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具有高安全工作区的横向功率器件

具有高安全工作区的横向功率器件

引用

作者：孔谋夫吴焕杰许家玮张丙可黄柯郭嘉欣王彬 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种具有高安全工作区的横向功率器件，属于半导体技术领域。该横向功率器件包括第一导电类型掺杂衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、高电位电极接触区、低电位电极和高电位电极，其特征在于，还包括由n个沟槽型栅电极隔离开... 详细信息

标准号: CN111933687B

一种具有高安全工作区的横向功率器件，属于半导体技术领域。该横向功率器件包括第一导电类型掺杂衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、高电位电极接触区、低电位电极和高电位电极，其特征在于，还包括由n个沟槽型栅电极隔离开的(n+1)个体区，n≥2，(n+1)个体区位于第二导电类型漂移区之内、且与第一导电类型阱区相邻，(n+1)个体区内设置不同掺杂类型的接触区。本发明提供的一种具有高安全工作区的横向功率器件，相较于传统器件，具有更优秀的饱和特性，具有高安全工作区。

关键词：第一导电类型横向功率器件高安全高电位电极导电类型接触区漂移区阱区半导体技术领域低电位电极饱和特性掺杂类型传统器件沟槽型栅电极衬底掺杂隔离

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一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件

一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件

引用

作者：孙树林潘威康王卓何琼周磊 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于电磁超表面技术领域，具体为一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件。本发明调控器件由几何相位超表面和表面波本征区域拼接组成。超表面区域由具有二重旋转对称人工超构单元组成，通过设计其几何尺寸和旋转方位角度，... 详细信息

标准号: CN116345172A

本发明属于电磁超表面技术领域，具体为一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件。本发明调控器件由几何相位超表面和表面波本征区域拼接组成。超表面区域由具有二重旋转对称人工超构单元组成，通过设计其几何尺寸和旋转方位角度，实现理论设计的辐射相位分布；本征区域是由介质薄膜和金属薄膜组成的双层结构；该器件中心工作频率为12GHz,具有宽频工作特性，并且可以推广到其他频段。当表面波从本征区域传输至超表面区域时，不同位置处的人工微结构作为次波源在近场面内重新构建出具有任意复杂波前分布的表面波，解决了传统器件在近场面内传输调控中存在的大体积、非亚波长、多模式、效率低等难题。

关键词：表面波本征调控器件表面技术传统器件工作频率工作特性几何相位介质薄膜金属薄膜理论设计器件中心区域传输区域拼接双层结构相位分布效率低等旋转对称旋转方位重新构建多模式微结构位置处亚波长频段波面波源近场宽频传输辐射调控

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基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法

基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法

引用

作者：钱益军杨雨梦 201210 上海市浦东新区华夏中路393号

本发明公开了一种基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法。所述混合栅极结构器件由下至上包括：一层底部的硅衬底；一层中间带有空腔的埋氧层；位于埋氧层上表面的沟道层；其中，沟道两侧分别为漏极与源极；位于沟道层之上的π‑GAA‑... 详细信息

标准号: CN116153968A

本发明公开了一种基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法。所述混合栅极结构器件由下至上包括：一层底部的硅衬底；一层中间带有空腔的埋氧层；位于埋氧层上表面的沟道层；其中，沟道两侧分别为漏极与源极；位于沟道层之上的π‑GAA‑π混合栅极结构，由中间的GAA栅极与两侧的π栅极组成；所述GAA栅极通过淀积工艺填满埋氧层中的空腔，以实现沟道全包裹的状态，所述GAA栅极的两侧为完整的埋氧层和非全包裹的π栅极。本发明提供的π‑GAA‑π混合栅极结构可以实现在器件开启时提供良好的背栅可调的特性，同时在器件关断时阻断背栅带来的负面影响，克服了传统器件背栅带来关态特性恶化等不利因素。

关键词：栅极结构埋氧层背栅沟道层全包裹沟道中间带有空腔不利因素传统器件淀积工艺负面影响特性恶化性能退化硅衬底可调的上表面关断关态空腔漏极填满源极

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一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件

一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件

引用

作者：陈伟中黄垚李顺黄元熙黄义贺利军张红升周通 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第... 详细信息

标准号: CN110610986B

本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。

关键词：场限环集电极接触集电极半导体技术领域发射极接触区工作稳定性续流二极管栅极接触区场氧化层传统器件电流导通负阻效应关断损耗金属场板栅氧化层制造成本阻断电压发射极过渡区结终端元胞区导通保证

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一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法

一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法

引用

作者：刘新科林峰李博黄双武宋利军黎晓华 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道10号深圳湾科技生态园10栋B2904

本发明的目的是提供一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的碳掺杂绝缘层的制备方法简洁高效，实用。等离子增强的碳离子注入增加了C的活性和均匀性。由于C进入到氮化镓的能级，从而导致形成了一... 详细信息

标准号: CN114497185B

本发明的目的是提供一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的碳掺杂绝缘层的制备方法简洁高效，实用。等离子增强的碳离子注入增加了C的活性和均匀性。由于C进入到氮化镓的能级，从而导致形成了一层高阻区域，能够有效阻断器件的漏电，使得制备出来的碳掺杂绝缘层的漏电流大幅度下降，极大的提升了器件性能。本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，低漏电流。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能，良品率。

关键词：绝缘层制备碳掺杂漏电流导热性能级器件击穿电压等离子增强低泄漏电流电子迁移率漏电衬底材料传统器件高电阻率高温条件界面性能晶格失配器件性能阻断器件氮化镓均匀性良品率碳离子外延层自支撑

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超势垒功率器件及其制造方法

超势垒功率器件及其制造方法

引用

作者：李明刘国梁赵圣哲李理 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园

本发明供一种超势垒功率器件及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在N型衬底的N型外延层表面形成具有阶梯结构的氧化层，并在N型外延层表面形成第一P型注入区、第一N型注入区，且在第一N型注入区中形成第二P型注入区，在第一P型注入... 详细信息

标准号: CN111192916B

本发明供一种超势垒功率器件及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在N型衬底的N型外延层表面形成具有阶梯结构的氧化层，并在N型外延层表面形成第一P型注入区、第一N型注入区，且在第一N型注入区中形成第二P型注入区，在第一P型注入区形成第二N型注入区；在氧化层表面形成多晶硅层；沉积正面、背面金属层。由此制造方法获得的超势垒功率器件的综合器件性能优于传统结构的器件芯片，并且漏电电流水平要远低于传统器件。

关键词：表面形成功率器件超势垒制造背面金属层氧化层表面传统结构传统器件多晶硅层阶梯结构漏电电流器件芯片器件性能氧化层衬底沉积

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一种半导体器件及其制造方法和电子装置

一种半导体器件及其制造方法和电子装置

引用

作者：马玉莎王新龙 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆的表面具有第一键合层、阻挡件以及位于所述阻挡件顶部的限位件，其中所述阻挡件设置在所述第一键合层外围；第二晶圆，在所述第二晶圆... 详细信息

标准号: CN116495695A

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆的表面具有第一键合层、阻挡件以及位于所述阻挡件顶部的限位件，其中所述阻挡件设置在所述第一键合层外围；第二晶圆，在所述第二晶圆的表面具有与所述第一键合层相对应的第二键合层，并在所述第二晶圆内具有与所述限位件对应的限位槽；所述第一晶圆的所述第一键合层和所述第二晶圆的所述第二键合层彼此共晶键合。与传统器件相比，通过在阻挡件的基础上增加限位件及限位槽，在控制反应量的同时可以控制共晶键合过程中的键合层的滑动，减小了键合偏移，提高了器件可靠性。

关键词：键合层晶圆阻挡件限位件半导体器件共晶键合限位槽器件可靠性传统器件电子装置反应量滑动偏移减小键合外围制造

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