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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

200 篇 专利

馆藏范围

200 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

30 篇 电子科技大学
16 篇 西安电子科技大学
7 篇 南京邮电大学
5 篇 浙江大学
4 篇 太原理工大学
4 篇 深圳方正微电子有...
4 篇 重庆邮电大学
4 篇 浙江英特来光电科...
4 篇 北京大学
4 篇 南京航空航天大学
4 篇 上海大学
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华南师范大学
3 篇 复旦大学
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 江南大学
3 篇 杭州电子科技大学
3 篇 南通大学
3 篇 湘潭大学
2 篇 武汉火石光电有限...

作者

16 篇 张波
10 篇 李泽宏
8 篇 张金平
8 篇 杨银堂
8 篇 刘竞秀
8 篇 段宝兴
7 篇 郝跃
6 篇 任敏
6 篇 董自明
5 篇 张进成
5 篇 王颖
4 篇 陈万军
4 篇 陈新蕾
4 篇 黄义
4 篇 童祎
4 篇 欧锋
4 篇 魏翔
4 篇 顾长青
4 篇 张粮
4 篇 郭宇锋

语言

200 篇 中文

检索条件"主题词=传统器件"

共 200 条记录，以下是191-200 订阅

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详细简洁

排序：

一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法

一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法

引用

作者：朱江 113200 辽宁省抚顺市新宾满族自治县残疾人联合会

本发明公开了一种沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，在器件中没有第二传导类型半导体材料，通过沟槽结构减缓器件反向偏压时在肖特基边缘电场的集中，简化了器件的制造流程；同时杜绝了传统器件在正向导... 详细信息

标准号: CN103579371A

本发明公开了一种沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，在器件中没有第二传导类型半导体材料，通过沟槽结构减缓器件反向偏压时在肖特基边缘电场的集中，简化了器件的制造流程；同时杜绝了传统器件在正向导电时第二传导类型半导体材料向漂移区少子的注入，提高了器件高频特性。

关键词：传导类型半导体沟槽结构漂移半导体器件肖特基器件边缘电场传统器件反向偏压高频特性沟槽终端导电特基正向终端减缓

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LDMOS器件及其制造方法

LDMOS器件及其制造方法

引用

作者：钱文生 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本申请公开了一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，在所述漂移区中紧邻漏端分布有第一导电类型的漂移区埋层；从漏端到沟道的方向上所述漂移区埋层的深度递减，以使得LDMOS器件工作时漂... 详细信息

标准号: CN103633136A

本申请公开了一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，在所述漂移区中紧邻漏端分布有第一导电类型的漂移区埋层；从漏端到沟道的方向上所述漂移区埋层的深度递减，以使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽；所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。本申请还公开了所述LDMOS器件的制造方法。本申请的LDMOS器件可同时获得高击穿电压和低导通电阻，器件特性比传统器件有很大的提高。

关键词：漂移导电类型沟道传统器件击穿电压器件特性上表面电阻耗尽

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用于光谱测定应用的光电池器件和方法

用于光谱测定应用的光电池器件和方法

引用

作者： T.考奇德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

本发明涉及用于光谱测定应用的光电池器件和方法。实施例涉及光电池器件。在实施例中，光电池器件包括具有不同光学厚度且其下方有光电二极管的透射层的阵列。透射层可以包括两种不同材料，例如氮化物和氧化物，这两种不同材料以类似镶... 详细信息

标准号: CN103378107A

本发明涉及用于光谱测定应用的光电池器件和方法。实施例涉及光电池器件。在实施例中，光电池器件包括具有不同光学厚度且其下方有光电二极管的透射层的阵列。透射层可以包括两种不同材料，例如氮化物和氧化物，这两种不同材料以类似镶嵌的方式、利用不同的成比例的区域密度来覆盖每个二极管。实施例提供了相比于传统器件的优势，这些优势包括：它们可以被集成至标准CMOS工艺中，并因此在生产上更简单且更便宜。

关键词：光电池器件透射光电二极管二极管标准CMOS 传统器件光谱测定光学厚度区域密度被集成成比例氮化物氧化物镶嵌

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一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器

一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器

引用

作者：李元勋左林陈振威张怀武苏桦滕林黄树峰沈健康建宏李广新 610054 四川省成都市建设北路二段四号

本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两... 详细信息

标准号: CN103414447A

本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90^O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。

关键词：滤波器陶瓷基板限幅低温共烧陶瓷金属外壳传输线带通滤波器二极管正极二极管负极传统器件创新设计电路结构多层陶瓷封装工艺微波接收接地微带线过孔基板内嵌有源封装电路金属转移

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MOS器件寿命预计方法及系统

MOS器件寿命预计方法及系统

引用

作者：王群勇阳辉钟征宇陈冬梅白桦刘燕芳吴文章陈宇 100089 北京市海淀区紫竹院路69号兵器大厦708室

本发明公开了一种MOS器件寿命预计方法，包括步骤：分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；... 详细信息

标准号: CN102567560A

本发明公开了一种MOS器件寿命预计方法，包括步骤：分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；选择应力施加方式，对器件进行基于参数退化寿命试验并获取可靠性试验数据；分析上述可靠性试验数据，建立基于参数退化的寿命预计计算模型；根据上述寿命预计计算模型获取器件的寿命预计结果。利用该方法解决新技术条件下传统器件寿命预测方法准确性和可操作性的问题，减少试验样品数量，降低试验费用，提高预计试验结果的准确性。

关键词：宏观参数失效机理退化可靠性试验数据计算模型对器件寿命预测方法可靠性模拟传统器件试验费用试验样品寿命试验退化模型分析新技术仿真试验

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样本容器和过滤设备

样本容器和过滤设备

引用

作者：杰弗里·凯恩托马斯·泰勒克里斯托弗·M·卡蒂内拉瑞安·尼尔·彼得·霍尔美国新罕布什尔州

描述了一种样本容器和过滤设备，该样本容器和过滤设备包括可密封的样本容器和构造成与真空基座接界的表面。当表面与真空基座接界时，样本容器的一部分开口，从而提供真空源拉拽样本通过那里的路径。在示例性实施例中，样本容器的可开... 详细信息

标准号: CN201978760U

描述了一种样本容器和过滤设备，该样本容器和过滤设备包括可密封的样本容器和构造成与真空基座接界的表面。当表面与真空基座接界时，样本容器的一部分开口，从而提供真空源拉拽样本通过那里的路径。在示例性实施例中，样本容器的可开口部分包括致动阀。用于利用该样本容器和过滤设备的方法显著地降低了样本污染的可能性，并且相对于传统器件和程序，在样本测试程序期间提供更加一致的和可靠的测试结果，并且显著地减少了用于测试程序的准备和测试步骤的数目。

关键词：样本容器过滤设备真空基座开口测试步骤测试程序传统器件样本测试样本污染构造成致动密封样本

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一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法

一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法

引用

作者：张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩 710071 陕西省西安市太白路2号

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离... 详细信息

标准号: CN101252100B

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。

关键词：隔离介质异质结构有源薄膜微电子技术领域选择性外延生长大功率器件选择性刻蚀蓝宝石材料生长衬底表面传统器件隔离方法隔离工艺介质薄膜绝缘隔离设计掩膜介质膜外延层生长衬底淀积多晶损伤隔离露出

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一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法

一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法

引用

作者：吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应力过渡层上形成应力完全弛豫的底部InGaAs子... 详细信息

标准号: CN101901854A

本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应力过渡层上形成应力完全弛豫的底部InGaAs子电池，将InGaAs子电池粘接在具有散热性的轻质基板上，采用氢氟酸腐蚀掉牺牲层，Ge或GaAs衬底自然剥离得到InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池。本发明采用低价格、低密度、散热性好的新基板取代了传统器件制备所牺牲掉的昂贵的Ge或GaAs衬底，实现Ge或GaAs衬底的多次重复利用，大大降低了太阳能电池的生产成本。

关键词：衬底电池薄膜太阳能电池过渡层散热性基板太阳能电池传统器件多次重复外延生长完全弛豫制备方法氢氟酸牺牲层轻质粘接生产成本底部顶部剥离腐蚀生长中部牺牲

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紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法

紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法

引用

作者：林志浪张峰王永进曹共柏陈志君 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过... 详细信息

标准号: CN1252501C

本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。

关键词：波导波导分支器件结构全反射镜全反射结构及制作方法反应离子刻蚀各向异性湿法绝缘层上的硅全反射镜凹槽传输方向传统器件结构长度全反射角入射角度低损耗小尺寸干涉分束腐蚀大于连接

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高速数据流的捕获及评估

高速数据流的捕获及评估

引用

作者：艾伦J·赖斯美国马萨诸塞州

本发明涉及使用传统器件测试仪捕获并评估高速数据流的技术，它包括一个连接到被测试器件(DUT)的高速锁存比较器。该器件测试仪激励DUT产生高速串行数据流，并在相对于串行数据流的预定时刻选通锁存比较器。该锁存比较器采样串行数据流... 详细信息

标准号: CN1185500C

本发明涉及使用传统器件测试仪捕获并评估高速数据流的技术，它包括一个连接到被测试器件(DUT)的高速锁存比较器。该器件测试仪激励DUT产生高速串行数据流，并在相对于串行数据流的预定时刻选通锁存比较器。该锁存比较器采样串行数据流的数字状态，并保持该采样状态。该器件测试仪读出并存储该保持状态。该测试仪以此方式在多个位置上对串行数据流进行采样，并在每个位置上进行多次采样。该测试仪对每个位置上获得的采样求平均值，以提供串行数据流对时间的概率函数。由该概率函数可推导出串行数据流的重要定时特征，如跳动、码元间干扰及“闭眼”。

关键词：串行数据流采样比较器测试仪锁存器件测试仪概率函数高速数据流采样状态测试器件传统器件定时特征数字状态码元捕获存储连接干扰评估

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