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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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17 篇 专利

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机构

11 篇 中芯国际集成电路...
4 篇 上海华力集成电路...
1 篇 海光信息技术股份...
1 篇 海光信息技术有限...

作者

5 篇 张海洋
4 篇 张城龙
2 篇 林健
2 篇 洪中山
2 篇 王朝辉
2 篇 洪波
2 篇 何志斌
1 篇 涂武涛
1 篇 张艳
1 篇 张彬
1 篇 平延磊
1 篇 鲍宇
1 篇 邱晶
1 篇 王彦
1 篇 尚飞
1 篇 赵杰
1 篇 宋伟基
1 篇 吴方锐
1 篇 邵群
1 篇 曾以志

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17 篇 中文

检索条件"主题词=伪栅表面"

共 17 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

后栅工艺中伪栅平坦化方法

后栅工艺中伪栅平坦化方法

引用

作者：王朝辉何志斌 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种后栅工艺中伪栅平坦化方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成伪栅材料层，进行光刻定义同时定义出伪栅的形成区域以及栅极内沟槽的形成区域；步骤二、对伪栅材料层进行刻蚀同时形成伪栅和栅极内沟槽；步骤三、在栅... 详细信息

标准号: CN113394087B

本发明公开了一种后栅工艺中伪栅平坦化方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成伪栅材料层，进行光刻定义同时定义出伪栅的形成区域以及栅极内沟槽的形成区域；步骤二、对伪栅材料层进行刻蚀同时形成伪栅和栅极内沟槽；步骤三、在栅极内沟槽的侧面形成研磨阻障层；步骤四、形成第零层层间膜；步骤五、进行化学机械研磨使第零层层间膜和伪栅表面相平以及将伪栅表面暴露，通过研磨阻障层并结合栅极内沟槽的布局实现对各伪栅的研磨负载的调节，化学机械研磨完成后各伪栅的高度均匀。本发明能使不同尺寸的伪栅的研磨负载均匀，伪栅内部的高度均匀性以及各不同尺寸的伪栅的高度均匀性都得到提高，能使器件的性能稳定并且能提高器件的可靠性。

关键词：伪栅研磨内沟槽化学机械研磨高度均匀性伪栅表面材料层阻障层半导体衬底表面后栅工艺平坦化光刻刻蚀侧面暴露

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：王彦涂武涛邱晶 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底、以及位于基底上的若干鳍部结构；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅；在伪栅两侧的衬底内形成源漏外延区；在暴露出的源漏外延区表面形成刻蚀停止层；在衬底上... 详细信息

标准号: CN117476764A

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底、以及位于基底上的若干鳍部结构；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅；在伪栅两侧的衬底内形成源漏外延区；在暴露出的源漏外延区表面形成刻蚀停止层；在衬底上形成位于伪栅表面以及刻蚀停止层表面的层间介质层；去除伪栅，在层间介质层内形成栅极开口；在栅极开口内形成栅极；在相邻鳍部结构之间形成位于栅极和层间介质层内的栅极切割开口，栅极切割开口沿垂直于栅极的延伸方向贯穿栅极。半导体结构及其形成方法改善了栅极的切割工艺窗口，减少了器件结构受到的损伤，提高了器件的可靠性。

关键词：衬底层间介质层鳍部结构伪栅半导体结构刻蚀停止层切割开口栅极开口外延区基底源漏表面形成工艺窗口器件结构伪栅表面去除横跨切割损伤垂直暴露贯穿延伸

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调节栅极高度的方法

调节栅极高度的方法

引用

作者：张艳 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种调节栅极高度的方法，提供半导体基底，在半导体基底上形成有多个伪栅结构，伪栅结构由叠层以及位于叠层侧壁的侧墙组成，之后在伪栅结构上形成刻蚀阻挡层，叠层由自下而上依次堆叠的伪栅多晶硅层、伪栅表面氧化层、伪栅... 详细信息

标准号: CN116072529A

本发明提供一种调节栅极高度的方法，提供半导体基底，在半导体基底上形成有多个伪栅结构，伪栅结构由叠层以及位于叠层侧壁的侧墙组成，之后在伪栅结构上形成刻蚀阻挡层，叠层由自下而上依次堆叠的伪栅多晶硅层、伪栅表面氧化层、伪栅硬掩膜氮化层和伪栅硬掩膜氧化层组成；在半导体基底上形成覆盖刻蚀阻挡层的层间介质层，之后研磨层间介质层至刻蚀阻挡层上方；研磨层间介质层至伪栅硬掩膜氮化层的上方，之后获取半导体基底不同区域上剩余伪栅结构的高度；根据半导体基底不同区域上剩余伪栅结构的高度，调节压力研磨使得每个伪栅多晶硅层的高度趋向于预设值。本发明能够使各栅极高度趋向一致，减少因部分位置栅极高度过高导致的缺陷。

关键词：半导体基底伪栅结构伪栅刻蚀阻挡层叠层硬掩膜氮化层多晶硅层介质层研磨层硬掩膜氧化层层间介质层伪栅表面压力研磨氧化层侧壁侧墙堆叠预设覆盖

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后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法

后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法

引用

作者：吴方锐 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法，包括：步骤一、提供有伪栅极结构并完成了第零层层间膜生长工艺的半导体衬底，对第零层层间膜进行平坦化并停止在多晶硅伪栅顶部的第二氮化硅层表面上；步骤二、进行所述第二氮化硅层的... 详细信息

标准号: CN115020236A

本发明公开了一种后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法，包括：步骤一、提供有伪栅极结构并完成了第零层层间膜生长工艺的半导体衬底，对第零层层间膜进行平坦化并停止在多晶硅伪栅顶部的第二氮化硅层表面上；步骤二、进行所述第二氮化硅层的去除工艺，包括：步骤21、进行非选择性的第一次刻蚀，使第二氮化硅层的顶部表面和第零层层间膜的顶部表面同时降低；步骤22、进行选择性的第二次刻蚀，第二次刻蚀停止在多晶硅伪栅顶部的第一氧化层表面上并将剩余的第二氮化硅层完全去除；步骤三、进行以多晶硅伪栅为停止层的化学机械研磨工艺；步骤四、去除多晶硅伪栅。本发明能提高打开多晶硅伪栅表面的化学机械研磨的工艺窗口并减少不同区域的研磨负载。

关键词：多晶硅伪栅氮化硅层去除刻蚀顶部表面化学机械研磨工艺化学机械研磨伪栅极结构氧化层表面非选择性工艺窗口后栅工艺伪栅表面研磨膜生长平坦化停止层衬底半导体

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后栅工艺中伪栅平坦化方法

后栅工艺中伪栅平坦化方法

引用

作者：王朝辉何志斌 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

标准号: CN113394087A

关键词：伪栅研磨内沟槽化学机械研磨高度均匀性伪栅表面材料层阻障层半导体衬底表面后栅工艺平坦化光刻刻蚀侧面暴露

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一种伪栅移除的方法

一种伪栅移除的方法

引用

作者：林健洪波 300450 天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8

本发明提供了一种伪栅移除的方法，能够高效去除伪栅结构并且能够防止在去除伪栅过程中的残余物导致的芯片失效和低良率问题。该方法通过降低伪栅高度进而降低刻蚀槽的深宽比，从而减少由于高深宽比对刻蚀形成的残余物排出的消极影响，... 详细信息

标准号: CN110854023B

本发明提供了一种伪栅移除的方法，能够高效去除伪栅结构并且能够防止在去除伪栅过程中的残余物导致的芯片失效和低良率问题。该方法通过降低伪栅高度进而降低刻蚀槽的深宽比，从而减少由于高深宽比对刻蚀形成的残余物排出的消极影响，实现了对残余物量的抑制。对于可能的残余物，通过氧化处理刻蚀剩余的伪栅表面，从而实现分解和清除聚合物残余物的目的。此外，针对湿法刻蚀过程中的气泡阻碍刻蚀问题，我们通过引入气泡释放剂来释放湿法刻蚀伪栅表面形成的气泡，并通过对腔室的低真空处理，加速气泡的排出。

关键词：刻蚀伪栅湿法刻蚀伪栅表面残余物去除聚合物残余物残余物量残余物排加速气泡气泡释放伪栅结构消极影响芯片失效氧化处理低真空刻蚀槽深宽比比对良率排出腔室移除分解释放引入阻碍

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一种伪栅移除的方法

一种伪栅移除的方法

引用

作者：林健洪波 300450 天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8

标准号: CN110854023A

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半导体器件的形成方法

半导体器件的形成方法

引用

作者：张海洋张城龙 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，且第一伪栅与基底之间形成有第一金属阻挡层；采用N2和NH3对第二金属栅极... 详细信息

标准号: CN105826260B

一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，且第一伪栅与基底之间形成有第一金属阻挡层；采用N₂和NH₃对第二金属栅极表面进行氮化处理，将部分厚度的第二金属栅极转化为金属氮化层；在第三区域基底上、第一伪栅表面、金属氮化层表面、以及层间介质层表面形成初始硬掩膜层；刻蚀初始硬掩膜层，形成位于第三区域基底上的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，在第一区域层间介质层内形成第一开口；形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明避免第二金属栅极被腐蚀的同时，避免第一金属阻挡层被氧化，提高半导体器件电学性能。

关键词：金属栅极硬掩膜层基底第一区域半导体器件层间介质层金属氮化层金属阻挡层第二区域区域基伪栅开口金属栅极表面表面形成氮化处理电学性能伪栅表面刻蚀掩膜腐蚀转化

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半导体器件的形成方法

半导体器件的形成方法

引用

作者：张海洋张城龙 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层；将部分厚度的第二金属栅极... 详细信息

标准号: CN105826177B

一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层；将部分厚度的第二金属栅极转化为氮化金属保护层；在第三区域基底上、第一伪栅表面、氮化金属保护层表面、以及层间介质层表面形成初始氮化镓层；采用干法刻蚀工艺刻蚀初始氮化镓层，形成位于第三区域基底上的氮化镓层；以氮化镓层为掩膜，刻蚀第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口；形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明在半导体器件形成过程中，第二金属栅极始终受到氮化金属保护层的保护，形成的半导体器件的电学性能好。

关键词：氮化镓层第一区域金属栅极半导体器件层间介质层金属保护层氮化第二区域基底区域基刻蚀伪栅开口干法刻蚀工艺表面形成电学性能基底表面伪栅表面掩膜转化

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晶体管的形成方法

晶体管的形成方法

引用

作者：张海洋尚飞 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构，在衬底上形成层间介质层，在层间介质层上覆盖硬掩模层，在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在硬掩... 详细信息

标准号: CN104752226B

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构，在衬底上形成层间介质层，在层间介质层上覆盖硬掩模层，在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在硬掩模层中形成露出伪栅的开口，去除光刻掩模层，以硬掩模层为掩模，采用脉冲等离子体刻蚀去除所述伪栅，在去除伪栅所形成的开口中形成金属栅极。在去除伪栅之前，先去除硬掩模层上方的光刻掩模层，使得伪栅结构上方只存在硬掩模层，在对伪栅结构中的伪栅进行干法刻蚀的过程中，伪栅表面的污染物较少，采用较低刻蚀强度的脉冲等离子体刻蚀即可将伪栅去除干净，避免了较高的刻蚀强度对层间介质层的损伤。

关键词：硬掩模层伪栅去除光刻掩模刻蚀伪栅结构脉冲等离子体介质层衬底开口层间介质层衬底表面干法刻蚀金属栅极图形转移伪栅表面晶体管对层掩模污染物损伤覆盖

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