检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

62 篇 专利

馆藏范围

62 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

40 篇 台湾积体电路制造...
3 篇 联发科技股份有限...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 立积电子股份有限...
2 篇 上海意昕医疗科技...
2 篇 南亚科技股份有限...
2 篇 采钰科技股份有限...
1 篇 马涅蒂马雷利制造...
1 篇 立锜科技股份有限...
1 篇 无锡芯光互连技术...
1 篇 数字技术公司
1 篇 长鑫存储技术有限...
1 篇 无锡舒玛天科新能...

作者

11 篇 陈宪伟
9 篇 余振华
6 篇 陈洁
6 篇 陈明发
4 篇 陈英儒
3 篇 杨庆荣
3 篇 叶德强
2 篇 黄伟立
2 篇 苏国辉
2 篇 陈毅修
2 篇 陈启平
2 篇 徐鸿文
2 篇 苏安治
2 篇 亚历山大卡尔尼斯...
2 篇 李明翰
2 篇 张永昌
2 篇 陈肇和
2 篇 郑光茗
2 篇 陈威宇
2 篇 卓秀英

语言

62 篇 中文

检索条件"主题词=内连结构"

共 62 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

半导体装置的内连结构与其形成方法

半导体装置的内连结构与其形成方法

引用

作者：郭子骏何建新李明翰中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。... 详细信息

标准号: CN109216262B

本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第一导电材料层，且二个导电材料层之间没有阻障。介层窗底部缺少阻障可减少内连结构的接触阻抗。

关键词：导电材料层介层窗内连结构重叠区域沟渠半导体装置接触阻抗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路封装、形成集成电路封装的方法及内连结构

集成电路封装、形成集成电路封装的方法及内连结构

引用

作者：陈洁余振华叶德强陈宪伟陈英儒中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

本揭露实施例涉及一种集成电路封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构。本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通... 详细信息

标准号: CN108155166B

本揭露实施例涉及一种集成电路封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构。本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。

关键词：集成电路封装导通孔布线区顶盖区中间区集成电路管芯布线结构导电结构周边边缘内连结构区域重叠耦合到配置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置的内连结构及其制造方法

半导体装置的内连结构及其制造方法

引用

作者：请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明提供了一种半导体装置的内连结构及其制造方法，在形成内连层的过程中形成第一介质层于基底结构上并覆盖第一层互连线，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，... 详细信息

标准号: CN107895711B

本发明提供了一种半导体装置的内连结构及其制造方法，在形成内连层的过程中形成第一介质层于基底结构上并覆盖第一层互连线，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，使第一介质层中形成有一第一空气隙在间隔区域中，并且第一空气隙封闭在第一介质层中；打开第一空气隙以形成多条开槽在第一层互连线之间，并扩大开槽的空间尺寸；形成第二介质层于第一介质层上，并且第二介质层遮盖开槽的上槽口，以封闭开槽而形成一第二空气隙，第二空气隙所封闭的空间较第一空气隙所封闭的空间更大，由此能够在相邻的互连线之间形成一尺寸较大的空气隙，从而实现互连线之间有效、可靠隔离。

关键词：介质层空气隙互连线第一层开槽封闭间隔区域侧壁半导体装置基底结构内连结构上槽口条开槽附着填充填满遮盖隔离生长覆盖制造

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置的内连结构

半导体装置的内连结构

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本实用新型提供了一种半导体装置的内连结构，至少一层内连层形成于衬底上，内连层包括：多根形成于衬底上的第一层互连线及覆盖第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根第一层互连线之间界定出一间隔区域，第一介质层附着在... 详细信息

标准号: CN207818568U

本实用新型提供了一种半导体装置的内连结构，至少一层内连层形成于衬底上，内连层包括：多根形成于衬底上的第一层互连线及覆盖第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根第一层互连线之间界定出一间隔区域，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，使第一介质层和第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在间隔区域中，并且第二介质层形成于第一介质层上，使空气隙封闭在第一介质层和第二介质层中，由此能够在相邻的互连线之间形成一尺寸较大的空气隙，从而实现互连线之间有效、可靠隔离。

关键词：介质层互连线第一层间隔区域空气隙侧壁衬底半导体装置本实用新型内连结构附着界定填满填充隔离封闭生长覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

充电枪钻与钻夹头连接的内连结构

充电枪钻与钻夹头连接的内连结构

引用

作者：陈肇和 315000 浙江省宁波市联丰路民丰街28弄27号602室

一种能用于钻夹头等多种附件快速安装或拆卸的充电枪钻与钻夹头连接的内连结构，枪钻主体内包括，电机、齿轮箱、电池包、导线及开关；枪钻主体前部的主轴前端面制有“十”字缺口，并在主轴外经上还制有定位槽帮助钻夹头在主轴上定位锁... 详细信息

标准号: CN201880954U

一种能用于钻夹头等多种附件快速安装或拆卸的充电枪钻与钻夹头连接的内连结构，枪钻主体内包括，电机、齿轮箱、电池包、导线及开关；枪钻主体前部的主轴前端面制有“十”字缺口，并在主轴外经上还制有定位槽帮助钻夹头在主轴上定位锁定，并由“十”字缺口带动钻夹头转动工作，本实用新型结构使钻夹头等附件的安装，拆卸快捷、提高工作效益。

关键词：钻夹头枪钻拆卸导线及开关多种附件工作效益快速安装内连结构齿轮箱电池包定位槽前端面前部转动充电电机连接

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

交流枪钻与钻夹头连接的内连结构

交流枪钻与钻夹头连接的内连结构

引用

作者：陈肇和 315000 浙江省宁波市联丰路民丰街28弄27号602室

一种能用于钻夹头等附件的快速安装或拆卸的交流枪钻与钻夹头连接的内连结构，枪钻主体内包括，电机、齿轮箱、导线及开关；枪钻主体前部的主轴前端面制有“十”字缺口，并在主轴外经上还制有定位槽帮助钻夹头在主轴上定位锁定，并由“... 详细信息

标准号: CN201880955U

一种能用于钻夹头等附件的快速安装或拆卸的交流枪钻与钻夹头连接的内连结构，枪钻主体内包括，电机、齿轮箱、导线及开关；枪钻主体前部的主轴前端面制有“十”字缺口，并在主轴外经上还制有定位槽帮助钻夹头在主轴上定位锁定，并由“十”字缺口带动钻夹头转动工作，本实用新型结构使钻夹头等附件的安装，拆卸快捷、提高工作效益。

关键词：钻夹头枪钻拆卸导线及开关工作效益快速安装内连结构齿轮箱定位槽前端面前部转动电机连接交流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双镶嵌结构、内连结构及其制造方法

双镶嵌结构、内连结构及其制造方法

引用

作者：卢永诚蔡明兴中国台湾新竹市

本发明关于一种内连结构及其制造方法，上述内连结构包括：基底，其内设置有导电构件；复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该... 详细信息

标准号: CN100403517C

本发明关于一种内连结构及其制造方法，上述内连结构包括：基底，其内设置有导电构件；复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该导电构件。本发明亦关于一种双镶嵌结构。本发明调和了内连结构的整体应力，避免了可能发生于如双镶嵌结构的内连结构内的不良情形，可得到较佳可靠度的内连结构；另外，内连结构的导电物的顶面可通过导电上盖层所包覆以减少蚀刻停止层的使用，因而可确保内连结构的如电致迁移的可靠度表现。另外，不采用有蚀刻停止层的内连结构制造工艺可更为简化且降低其制造成本。

关键词：内连结构导电复合低介电常数蚀刻停止层双镶嵌结构导电构件介电层基底不良情形整体应力电连接包覆电致顶面上盖迁移

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置的内连结构及其制造方法

半导体装置的内连结构及其制造方法

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

标准号: CN107895711A

关键词：介质层空气隙互连线第一层开槽封闭间隔区域侧壁半导体装置基底结构内连结构上槽口条开槽附着填充填满遮盖隔离生长覆盖制造

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置的内连结构

半导体装置的内连结构

引用

作者：郭子骏何建新李明翰中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

标准号: CN109216262A

关键词：导电材料层介层窗内连结构重叠区域沟渠半导体装置接触阻抗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铜内连结构及其制造方法

铜内连结构及其制造方法

引用

作者：黄琦雯苏国辉中国台湾桃园县

本发明公开一种铜内连结构及其制造方法，所述方法包括提供具有导电区域的基板，在基板上形成具有介层开口的绝缘层，介层开口暴露出导电区域。依序通过沉积及回流工艺，在第一绝缘层上形成铜层，且填满介层开口。在铜层上形成掩模层以... 详细信息

标准号: CN103515308A

本发明公开一种铜内连结构及其制造方法，所述方法包括提供具有导电区域的基板，在基板上形成具有介层开口的绝缘层，介层开口暴露出导电区域。依序通过沉积及回流工艺，在第一绝缘层上形成铜层，且填满介层开口。在铜层上形成掩模层以覆盖介层开口，接着对未被掩模层覆盖的铜层进行非等向性氧化。通过湿蚀刻工艺去除掩模层及氧化铜层，以形成位于介层开口的铜插塞及位于铜插塞上的铜接线。本发明因为通过形成铜层后所进行的回流工艺可消除对应于介层开口的铜层内所形成的孔洞，因此可增加铜内连结构的可靠度。再者，通过非电镀工艺形成铜层，铜内连线内的杂质可以减少或消除。因此，可降低铜内连线的电阻，进而增强其电特性。

关键词：介层开口铜层掩模绝缘层导电区域回流工艺内连结构铜内连线基板孔洞电镀工艺湿蚀刻铜插塞氧化铜电阻沉积接线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共7页 << < 1 2 3 4 5 6 7 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：