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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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446 篇 专利
85 篇 期刊文献
28 篇 学位论文
1 篇 成果

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560 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

99 篇 工学
- 56 篇 计算机科学与技术...
- 20 篇 电子科学与技术（可...
- 19 篇 材料科学与工程（可...
- 12 篇 信息与通信工程
- 6 篇 软件工程
- 4 篇 光学工程
- 4 篇 仪器科学与技术
- 3 篇 网络空间安全
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 电气工程
- 2 篇 化学工程与技术
- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 建筑学
- 1 篇 航空宇航科学与技...
9 篇 管理学
- 5 篇 管理科学与工程(可...
- 4 篇 工商管理
- 1 篇 图书情报与档案管...
7 篇 理学
- 2 篇 物理学
- 2 篇 化学
- 2 篇 系统科学
- 1 篇 地球物理学
6 篇 经济学
- 6 篇 应用经济学
3 篇 法学
- 2 篇 政治学
- 1 篇 法学
2 篇 军事学
- 2 篇 军队指挥学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 历史学
- 1 篇 中国史
1 篇 艺术学
- 1 篇 设计学（可授艺术学...

主题

114 篇 动态随机存储器
12 篇 dram
5 篇 灵敏放大器
4 篇 漏电流
4 篇 集成电路
3 篇 钛酸锶钡
3 篇 低功耗
3 篇 晶体管
3 篇 超大规模集成电路
3 篇 浮栅
3 篇 内存芯片
3 篇 专用集成电路
3 篇 钛酸锶钡薄膜
3 篇 静态随机存储器
3 篇 非易失性存储器
3 篇 国家重点实验室
2 篇 非挥发性存储器
2 篇 逻辑工艺
2 篇 嵌入式存储器
2 篇 半导体

机构

37 篇 复旦大学
35 篇 长鑫存储技术有限...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 清华大学
15 篇 上海华力微电子有...
13 篇 中芯国际集成电路...
13 篇 华为技术有限公司
11 篇 西安紫光国芯半导...
9 篇 苏州浪潮智能科技...
9 篇 深圳市晶存科技有...
8 篇 华中科技大学
7 篇 中国科学院上海微...
7 篇 西安电子科技大学
6 篇 福建省晋华集成电...
6 篇 联华电子股份有限...
6 篇 真芯半导体有限责...
5 篇 南京汉隆科技有限...
5 篇 中兴通讯股份有限...
5 篇 西北工业大学
4 篇 中国科学院半导体...

作者

25 篇 林殷茵
11 篇 俞柳江
10 篇 孟超
9 篇 熊保玉
9 篇 程宽
8 篇 陈岚
8 篇 刘理天
8 篇 董存霖
8 篇 罗亚烽
8 篇 韩学光
8 篇 冯婷婷
8 篇 谢丹
8 篇 任天令
7 篇 刘孜
7 篇 李慧
7 篇 薛晓勇
6 篇 王曦
6 篇 陈静
6 篇 段会福
6 篇 郝晓冉

语言

560 篇 中文

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自锁式动态随机存储器

自锁式动态随机存储器

引用

作者：李永飞 620000 四川省眉山市东坡区城区岷月路2号岷南御景B-6-5

本实用新型公开了一种自锁式动态随机存储器，包括控制单元和动态存储单元，控制单元包括输入端和输出端，输出端包括逻辑输出端和第一开关管，逻辑输出端与地址译码器连接，地址译码器还与总线连接，供电单元通过第一开关管和动态存储... 详细信息

标准号: CN216250001U

本实用新型公开了一种自锁式动态随机存储器，包括控制单元和动态存储单元，控制单元包括输入端和输出端，输出端包括逻辑输出端和第一开关管，逻辑输出端与地址译码器连接，地址译码器还与总线连接，供电单元通过第一开关管和动态存储单元连接，第一开关管源极还与电源连接。动态存储单元包括存储电容，存储电容一端连接第三开关管的源极并接地，另一端分别与第二开关管的漏极、第三开关管的栅极和第四开关管的一端连接，第四开关管另一端与总线连接，第二开关管的源极与第一开关管的漏极连接，第二开关管的栅极与第三开关管的漏极连接。本实用新型提供的自锁式动态随机存储器读写速度只与时钟频率和存储电容容量有关，不受外部影响。

关键词：开关管第一开关动态存储单元存储电容漏极源极动态随机存储器本实用新型地址译码器逻辑输出端一端连接总线连接输出端自锁式电源连接供电单元时钟频率外部影响接地输入端读写

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一种动态随机存储器的封装结构

一种动态随机存储器的封装结构

引用

作者：岳宗莲阮建军 518109 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区民清路光辉科技园厂房2栋5层505

本实用新型涉及存储器技术领域，具体是一种动态随机存储器的封装结构，包括上密封盖和下密封盖，所述上密封盖顶部内壁安装有第二导热板，且下密封盖底部内壁安装有第一导热板，第一导热板和第二导热板相互远离的一端外壁均安装有等距... 详细信息

标准号: CN216084852U

本实用新型涉及存储器技术领域，具体是一种动态随机存储器的封装结构，包括上密封盖和下密封盖，所述上密封盖顶部内壁安装有第二导热板，且下密封盖底部内壁安装有第一导热板，第一导热板和第二导热板相互远离的一端外壁均安装有等距离分布的散热片，上密封盖和下密封盖的内部设置有存储芯片，下密封盖底部四个拐角均设置有支撑杆，所述存储芯片两侧外壁均安装有连接块，且连接块顶部外壁两端均开设有与支撑杆相匹配的限位槽，本实用新型通过设置在下密封盖上的支撑杆，将存储芯片通过连接块上的限位槽插入到支撑杆上，然后上密封盖上的密封筒插入到支撑杆上，起到了限位的功能，并实现了快速对存储芯片的快速固定。

关键词：支撑杆存储芯片上密封盖下密封盖导热板本实用新型限位槽存储器技术领域动态随机存储器等距离分布底部内壁顶部内壁顶部外壁封装结构快速固定两侧外壁内部设置拐角密封盖密封筒散热片外壁限位匹配

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一种具有SOI结构的漏电过程自控的动态随机存储器单元

一种具有SOI结构的漏电过程自控的动态随机存储器单元

引用

作者：刘文剑刘张英喆刘长勇 334000 江西省上饶市万年县汪家乡大山村14号

本实用新型涉及一种具有SOI（Silicon on Insulator，绝缘体上硅）结构的漏电过程自控的动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括阵列访问晶体管，存储电容，以及隔绝它们的绝缘层。存储电容的底电极... 详细信息

标准号: CN209183545U

本实用新型涉及一种具有SOI（Silicon on Insulator，绝缘体上硅）结构的漏电过程自控的动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括阵列访问晶体管，存储电容，以及隔绝它们的绝缘层。存储电容的底电极扩展至阵列访问晶体管沟道下方，并穿过绝缘层与晶体管的源极相连。与现有技术相比，本实用新型利用了扩展式电容控制晶体管沟道，能实现该存储电容在关态漏电过程中，对亚阈值漏电通道的自我控制，进一步减小了漏电流，从而提升了存储电容上电荷的保持时间。

关键词：存储电容绝缘层本实用新型晶体管沟道漏电晶体管动态随机存储器绝缘体上硅电容控制漏电通道电荷底电极扩展式漏电流自控关态减小源极访问穿过

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一种具有动态随机存储器的照明装置

一种具有动态随机存储器的照明装置

引用

作者：鲍鹏凯朱言家 518102 广东省深圳市宝安区西乡街道桃花源科技创新园蚝业分园A栋厂房4层A

本实用新型公开了一种具有动态随机存储器的照明装置，包括支撑架，所述支撑架的内侧外表面设置有转动辊，所述转动辊的前端外表面设置有照明灯，所述照明灯与转动辊之间设置有连接片，所述连接片的前端外表面设置有限位螺丝，所述支撑... 详细信息

标准号: CN208997896U

本实用新型公开了一种具有动态随机存储器的照明装置，包括支撑架，所述支撑架的内侧外表面设置有转动辊，所述转动辊的前端外表面设置有照明灯，所述照明灯与转动辊之间设置有连接片，所述连接片的前端外表面设置有限位螺丝，所述支撑架的一侧外表面设置有连接轴。本实用新型所述的一种具有动态随机存储器的照明装置，通过设置有动态随机存储器，可以对使用者输入的指令进行短期存储，在一段时间内无需重复输入相同指令，功能全面，通过设置有支撑圆盘与转动辊，达到灵活调整照明灯照射角度的目的，通过设置有连接片与限位螺丝，便于使用者对装置内部的线路进行检修，带来更好的使用前景。

关键词：转动辊动态随机存储器照明灯连接片支撑架本实用新型前端外表面照明装置指令灵活调整限位螺丝支撑圆盘连接轴螺丝检修照射存储重复

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一种漏电过程自控的凹入式沟道动态随机存储器单元

一种漏电过程自控的凹入式沟道动态随机存储器单元

引用

作者：刘文剑刘张英喆刘长勇 334000 江西省上饶市万年县汪家乡大山村14号

本实用新型涉及一种具有漏电过程自控能力的凹入式沟道（Recessed Channel）动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括凹入式沟道(Recessed Channel)鳍式（Fin）访问晶体管(Access Transistor)，存储... 详细信息

标准号: CN209183544U

本实用新型涉及一种具有漏电过程自控能力的凹入式沟道（Recessed Channel）动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括凹入式沟道(Recessed Channel)鳍式（Fin）访问晶体管(Access Transistor)，存储电容，以及扩展式源极金属。源极接触金属与晶体管的源极接触，并扩展到栅极与沟道之间，同时与存储电容底电极相连，扩展的源极接触金属、源极、存储电容底电极三者连接成为等电势体。与现有技术相比，本实用新型利用了扩展式源极接触金属控制鳍式晶体管的沟道，能实现与源极等电势的存储电容在关态漏电过程中，对亚阈值漏电通道的自我控制，进一步减小了漏电流，从而提升了存储电容上电荷的保持时间。

关键词：源极接触存储电容存储电容底电极凹入式沟道本实用新型漏电等电势扩展式晶体管金属沟道源极动态随机存储器鳍式晶体管漏电通道源极金属自控能力电荷漏电流关态减小鳍式访问

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半导体结构及动态随机存储器

半导体结构及动态随机存储器

引用

作者：冯大伟 230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层... 详细信息

标准号: CN210272358U

本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本实用新型利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。

关键词：栅极绝缘层补偿层绝缘本实用新型上部内侧壁下部内侧壁导电层介电层内侧壁覆盖动态随机存储器半导体结构导电层填满导电层形成沟槽内侧壁埋入式栅极栅极漏电流沟槽区域衬底顶面制备

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动态随机存储单元及动态随机存储器

动态随机存储单元及动态随机存储器

引用

作者：洪根刚 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本实用新型一种动态随机存储单元及动态随机存储器，动态随机存储单元包括：晶体管、第一二极管和第二二极管；晶体管的栅极与地址译码器的字线电连接，晶体管的漏极与地址译码器的位线电连接；位线与电源电压连接；第一二极管正负与第... 详细信息

标准号: CN207441245U

本实用新型一种动态随机存储单元及动态随机存储器，动态随机存储单元包括：晶体管、第一二极管和第二二极管；晶体管的栅极与地址译码器的字线电连接，晶体管的漏极与地址译码器的位线电连接；位线与电源电压连接；第一二极管正负与第二二极管正负极依次连接；第一节点为第一二极管和第二二极管的一侧连接线与晶体管的源极连接节点；第二节点为第一二极管和第二二极管的另一侧连接线与一节点电压连接节点；动态随机存储器包括地址译码器和动态随机存储单元。本实用新型动态随机存储单元减少自身功耗，提高了动态随机存储器的数据传输性能。

关键词：二极管随机存储单元晶体管动态随机存储器地址译码器连接线本实用新型位线电源电压连接数据传输性能节点电压连接节点依次连接源极连接电连接正负极字线电功耗漏极

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移位寄存器电路和动态随机存储器

移位寄存器电路和动态随机存储器

引用

作者：范习安 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本实用新型公开了一种移位寄存器电路和动态随机存储器，涉及集成电路技术领域。该移位寄存器电路应用于DDR4 SDRAM读取路径中，包括：级联的8个D触发器；或门，或门的第一输入端接收输入信号，或门的输出端与8个D触发器中的第1个D触发... 详细信息

标准号: CN208834747U

本实用新型公开了一种移位寄存器电路和动态随机存储器，涉及集成电路技术领域。该移位寄存器电路应用于DDR4 SDRAM读取路径中，包括：级联的8个D触发器；或门，或门的第一输入端接收输入信号，或门的输出端与8个D触发器中的第1个D触发器的输入端连接；控制单元，至少分别与所述8个D触发器中的第i个D触发器、第8个D触发器以及或门的第二输入端连接；其中，i∈[1,7]且为正整数；其中，控制单元基于一控制信号控制移位寄存器电路的移位长度。本公开可以基于DDR4 SDRAM读取路径的不同场景控制读取路径内移位寄存器的移位长度。

关键词：或门移位寄存器电路读取输入端连接移位动态随机存储器集成电路技术接收输入信号本实用新型移位寄存器场景控制控制信号输出端输入端正整数级联应用

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DDR2大容量动态随机存储器(DRAM)芯片

DDR2大容量动态随机存储器(DRAM)芯片

引用

作者：高传贵,任奇伟,付永朝,高旭东,邢广军,余作明,于晓,潘立阳,刘昭麟,石振东山东华芯半导体有限公司

存储器芯片是各种电子产品中非常重要的高端通用核心器件,是电子信息产业的重大战略性和基础性产品。几乎所有电子产品都要用到存储器芯片产品,因此,存储器称为电子工业的“粮食”。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)作为与CPU紧密... 详细信息

标准号: 1300340140

存储器芯片是各种电子产品中非常重要的高端通用核心器件,是电子信息产业的重大战略性和基础性产品。几乎所有电子产品都要用到存储器芯片产品,因此,存储器称为电子工业的“粮食”。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)作为与CPU紧密相联的计算机系统两大核心芯片之一,是各类计算机、通讯、高清电视、平板电脑等消费类电子产品、汽车、各种工业仪器乃至国防工业必不可少的核心部件,也是集成电路产业支柱产品之一。2012年全球DRAM内存芯片市场规模达264亿美元,而中国是最大的消费国。所以,拥有具备自主知识产权的DRAM存储器芯片对于我国电子信息产业的安全和稳定意义重大。本成果是由山东华芯半导体有限公司通过自主研发的方式,开发出具有国际先进水平的国产DRAM存储器芯片,芯片采用65nm掩埋字线工艺,兼容国际JEDEC-DDR2标准,支持全部的x4、x8、x16的工作模式,单片容量为1Gbit以上,数据速率达到800Mbps,并提供可配置模式降低功耗,提高性能,同时可用于标准内存模组与寄存型内存模组。在存储单元、供电布局、控制电路、版图设计、可配置增强型功能等方面作出突破型创新,芯片技术达到国际先进水平,打破国外垄断,填补国内空白,与国外同类芯片相比,具有容量大、功耗低、可靠性高的优势,成为国家构建自主可控的国产计算机系统技术体系的重要支撑。本成果技术的创造性与先进性体现在以下几点：(1)采用基于面积优化的高可靠单元阵列设计技术,大大提高产品良率及芯片容量;(2)采用高稳定多电压调整电路布局设计,有效降低功耗,提升产品可靠性;(3)采用高速数据通路和全局控制电路的设计,极大提高数据传输速率及稳定性;(4)采用高性能接口电路设计,大幅提升信号品质,增强产品的兼容性;(5)采用可配置增强型功能设计,全方位支撑国产CPU,提升国产整机性能。本成果既满足了国产CPU对高性能低功耗及特定配置的需求,又遵循国际标准,保持了通用性和兼容性,有力支持了国产CPU产业的自主发展,包括可配置软硬件参考验证,针对国产计算机存储模组产品的测试程序及流程,提升了国产整机竞争力;提高了国产计算机的市场份额,并与国产CPU一起形成安全适用计算机整体解决方案,促进了国产计算机产业的加快发展。本项目已通过国家“核高基”重大专项专家组验收和山东省科技厅科技成果鉴定,成果性能达到国际先进水平。华芯DRAM芯片已广泛应用于PC、服务器、平板电脑、机顶盒、智能电视等领域,实现了对整机产品的技术性能提升,目前累计形成DRAM芯片超过2000万片的市场规模。龙芯2F系列桌面系统、3A系列服务器系统都大规模采用华芯DRAM芯片,“十一五”国家863重大专项--我国首台自主研发的关键行业应用主机——浪潮天梭K1系统中也采用华芯DRAM存储器芯片作为交换单元的主存。国家在《集成电路产业“十二五”发展规划》中已将“动态随机存储器(DRAM)”纳入发展重点。华芯国产DDR2大容量动态随机存储器(DRAM)芯片的成功研发及产业化,打破了中国没有自己的DRAM存储器芯片的局面,为国家信息安全提供了有力保障,大大提升了国家集成电路产业技术和产品的创新能力,是我国集成电路存储器领域技术创新与研发领域的一个重要里程碑,随着项目成果的持续转化,将进一步增强我国集成电路产业核心竞争力,对国家集成电路产业的加快发展也有着十分重要的经济和社会意义。

关键词：动态随机存储器 DRAM 芯片

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一种动态随机存储器的快速译码器

一种动态随机存储器的快速译码器

引用

作者：熊保玉 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

本实用新型涉及一种动态随机存储器的快速译码器，包括预译码器、失效地址比较器、冗余预译码器、正锁存复制电路、冗余列选线驱动器和列选线驱动器，还包括延时单元、正锁存器一和正锁存器二；为了解决现有的译码器列地址CADD和列时钟... 详细信息

标准号: CN205881465U

本实用新型涉及一种动态随机存储器的快速译码器，包括预译码器、失效地址比较器、冗余预译码器、正锁存复制电路、冗余列选线驱动器和列选线驱动器，还包括延时单元、正锁存器一和正锁存器二；为了解决现有的译码器列地址CADD和列时钟CAS之间的建立时间ts_cadd太长的技术问题，在本实用新型中，列地址CADD不需要等待列时钟CAS的上升沿到来，直接进行失效地址比较和预译码。当失效地址命中HIT和预译码YP产生后，再由延时后的延时列时钟CASD，对失效地址命中HIT和预译码YP进行锁存。这样做的好处在于可以利用列地址CADD和列时钟CAS之间的建立时间ts_cadd来进行失效地址比较和预译码，从而减小译码时间。

关键词：失效地址译码列地址驱动器本实用新型预译码器锁存器锁存延时命中译码器动态随机存储器快速译码器复制电路延时单元比较器列选线冗余列上升沿冗余减小选线

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