检索结果-内蒙古大学图书馆

世界电子元器件 1998年第8期 27-31页

作者：卫欣

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接... 详细信息

关键词：动态随机存储器存储器 DRAM

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动态随机存储器的故障溯源

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软件和集成电路 2020年第4期 60-63页

作者： Tae Yeon Oh 泛林集团

多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主... 详细信息

多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D R A M设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为D R A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。

关键词：动态随机存储器寄生电容 DRAM 工艺变化漏电流动态随机存取存储器结构异常器件设计

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动态随机存储器中基于混合策略的节能算法

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微型电脑应用 2014年第5期30卷 1-5页

作者：刘颖黄喜军黄民庆谢开贵河海大学机电工程学院重庆大学电气工程学院

动态随机存储器(DRAMs)是手持式设备的重要组件。由于需要进行刷新,因此,即使设备处于待机状态,存储器也会消耗大量能量。提出了一种基于纠错码和冗余策略的混合算法(HEAR)以降低待机状态下DRAMs的刷新功率。HEAR电路由BCH码模块和错位... 详细信息

动态随机存储器(DRAMs)是手持式设备的重要组件。由于需要进行刷新,因此,即使设备处于待机状态,存储器也会消耗大量能量。提出了一种基于纠错码和冗余策略的混合算法(HEAR)以降低待机状态下DRAMs的刷新功率。HEAR电路由BCH码模块和错位修复(EBR)模块构成,以提高纠错能力,尽量降低ECC技术的负面效应,进而有效延长刷新周期,显著降低刷新功耗。分析结果表明,HEAR策略可使待机状态下的2GbDDAM存储器节约能耗40-70%。奇偶校验数据的面积成本和HEAR策略的ECC电路分别只有单独使用ECC策略的63%和53%。

关键词：动态随机存储器待机 BCH码刷新纠错功耗

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动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统

动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统

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作者：吴君张学渊朱光伟 215028 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期9楼A3–A6

本实用新型公开了一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，包括上电电路、第一上电驱动器以及第二上电驱动器，所述的上电电路产生多个上电信号，包括第一上电信号，第二上电信号和第三上电信号，所述的第一上电驱动器将第一电压信号... 详细信息

标准号: CN209657807U

本实用新型公开了一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，包括上电电路、第一上电驱动器以及第二上电驱动器，所述的上电电路产生多个上电信号，包括第一上电信号，第二上电信号和第三上电信号，所述的第一上电驱动器将第一电压信号驱动到晶体管的阱端，作为一个或多个上电信号，所述的第二上电驱动器将第二电压信号发送到晶体管的漏极，作为一个或多个上电信号，其中所述的第一上电信号大于第二上电信号。通过上述，本实用新型提供的动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，确保第一电压信号在任何时候都等于或大于第二电压信号(包括在各自存储器的上电、待机、激活使用、断电等情况下)，以防止晶体管的闩锁效应。

关键词：上电信号晶体管驱动器上电电压信号动态随机存储器本实用新型上电电路预防系统闩锁存储器闩锁效应待机漏极断电激活驱动

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新型动态随机存储器设计与ZnO纳米线/Si异质结研究

新型动态随机存储器设计与ZnO纳米线/Si异质结研究

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作者：曹成伟复旦大学

学位级别：硕士

本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随机存储器设计”的主题展开。传统的动态随机存取存储器(DRAM)单元由一个存储电容器和一个起开关作用的... 详细信息

本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随机存储器设计”的主题展开。传统的动态随机存取存储器(DRAM)单元由一个存储电容器和一个起开关作用的晶体管构成。随着器件尺寸的缩小,单元储存电容却不能过分降低,DRAM面临成本升高,性能变差的问题。我们根据省去DRAM单元中外部存储电容的思路,设计了一种基于隧穿场效应晶体管的新型DRAM单元。通过二维工艺以及器件模拟对新型DRAM单元进行了功能验证,研究了它的各种操作下的电流情况、读写速度、浮栅内的电势变化情况、干扰以及保持特性。通过在存储器单元结构中引进隧穿场效应晶体管,我们可以获得最快达到2ns的写入速度。同时该器件的操作电压相对较低。通过工艺流程以及器件结构优化,我们可以实现超过107的读取电流窗口。此外,器件的工艺和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)单元是相兼容的,更利于器件的集成应用。第二部分主要围绕“ZnO纳米线/Si异质结的制备及特性研究”的主题展开。近年来随着制备技术的进步,准一维结构的ZnO纳米结构表现出了优异的载流子迁移率性能。如果要将ZnO纳米结构应用到具体工艺生产中去,那么对于在Si衬底上Zn0纳米结构的生长方法以及特性研究就具有重要意义。本文中,我们首先研究了不同在Si衬底上生长ZnO籽品层的方法：裹液-覆盖法及原子层淀积法。在淀积了Zn0籽晶层之后,再通过水热法来生长Zn0的纳米线阵列。通过分析不同条件生长的籽晶层以及相对应生长的纳米线阵列的SEM和XRD结果,我们对不同的生长方法进行了比较。此外,我们还研究了籽晶层退火对纳米线性能的影响,发现在非晶籽晶层上生长的ZnO纳米线具有更好的取向性。通过对不同温度下的电流-电压测试结果进行分析,我们研究了n-Zn0纳米线/p-Si异质结结构的电学特性。通过对籽晶层工艺的优化以及其它工艺参数的良好控制,我们得到的异质结器件具有较高的电流开关比,在303K时可以达到2519。同时该异质结结构具有良好的击穿特性,反向击穿电压达到-33.5V。通过对测试结果进行参数提取并与同类型器件进行比较,说明该器件具有较高的载流子注入效率。

关键词：隧穿晶体管动态随机存储器 ZnO纳米线阵列原子层淀积水热法 n-ZnO/p-Si异质结

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动态随机存储器及其形成方法

动态随机存储器及其形成方法

引用

作者：林曦沈忆华 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种动态随机存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有层间介质层；形成开口，所述开口贯穿层间介质层；在所述开口中形成存储结构，所述存储结构包括第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层... 详细信息

标准号: CN108074871B

一种动态随机存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有层间介质层；形成开口，所述开口贯穿层间介质层；在所述开口中形成存储结构，所述存储结构包括第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。所述方法使得动态随机存储器的形成工艺简化。

关键词：动态随机存储器层间介质层存储介质层第一导电层开口存储结构第二导电层工艺简化基底表面基底贯穿

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动态随机存储器及其制作方法

动态随机存储器及其制作方法

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作者：徐伟中常建光 201203 上海市张江路18号

本发明揭示了一种动态随机存储器及其制作方法，该动态随机存储器包括：位于半导体衬底内的沟槽；晶体管，设置在第一介质层中，其包括位于半导体衬底上的栅极以及位于栅极两侧的半导体衬底中的源极和漏极；沟槽式电容，其包括位于沟槽... 详细信息

标准号: CN102130126A

本发明揭示了一种动态随机存储器及其制作方法，该动态随机存储器包括：位于半导体衬底内的沟槽；晶体管，设置在第一介质层中，其包括位于半导体衬底上的栅极以及位于栅极两侧的半导体衬底中的源极和漏极；沟槽式电容，其包括位于沟槽底部的半导体衬底中的第一极板、位于沟槽内壁的沟槽式电容介电层以及填充沟槽的第二极板；堆叠式电容，设置在第二介质层中，其包括嵌于第二介质层内的第三极板、包围第三极板的堆叠式电容介电层以及包围堆叠式电容介电层的第四极板；其中，沟槽式电容和堆叠式电容与漏极电连接，第一极板与第四极板电连接，第二极板与第三极板电连接。本发明可提高动态随机存储器的电容量，且不会增加芯片的使用面积。

关键词：极板半导体衬底堆叠式动态随机存储器沟槽式电容电连接介质层电容介电层电容漏极沟槽内壁填充沟槽电容量介电层晶体管源极底部芯片两侧

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动态随机存储器的缺陷修复方法及电路

动态随机存储器的缺陷修复方法及电路

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作者：俞大立方晓东黄泽李怀兆 201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

本发明提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法及电路。其中，所述缺陷修复方法包括：记录缺陷所在的地址区域；访问动态随机存储器时，跳过缺陷所在的地址区域；得到一块完整无缺陷的动态随机存储器。本发明的动态随机存储器的缺陷修复... 详细信息

标准号: CN105575441A

本发明提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法及电路。其中，所述缺陷修复方法包括：记录缺陷所在的地址区域；访问动态随机存储器时，跳过缺陷所在的地址区域；得到一块完整无缺陷的动态随机存储器。本发明的动态随机存储器的缺陷修复方法及电路，通过缺陷记录模块记录缺陷所在的地址区域，通过地址映射模块跳过或舍弃缺陷较多的字线、位线或子阵列，因而在应用端看到的是一块容量稍小但完整无缺陷的DRAM。本发明的实现方式简单，并且对于簇集类型的缺陷修复效率较高，从而大大提高DRAM出货的良率，使得一些对良率非常倚重的产品如三维集成电路、大容量DRAM获益。

关键词：动态随机存储器缺陷修复地址区域良率跳过电路地址映射模块三维集成电路模块记录缺陷记录实现方式大容量应用端子阵列出货位线一种字线完整舍弃记录访问

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动态随机存储器及其形成方法

动态随机存储器及其形成方法

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作者：林曦沈忆华 201203 上海市浦东新区张江路18号

标准号: CN108074871A

关键词：动态随机存储器层间介质层存储介质层第一导电层开口存储结构第二导电层工艺简化基底表面基底贯穿

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动态随机存储器及其存取方法

动态随机存储器及其存取方法

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作者：颜硕廷 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层

本发明涉及一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管和一比较器。该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极。该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极。该第二源极与该第一源极... 详细信息

标准号: CN100530424C

本发明涉及一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管和一比较器。该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极。该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极。该第二源极与该第一源极相连接。该第一漏极是待存电压的写入端。该比较器与该第二漏极相连接，其内设定有一参考电流，用来与流过该第二漏极的电流相比较，以定义从该比较器读取的电流的状态。

关键词：漏极薄膜晶体管源极比较器电流动态随机存储器参考电流第一栅极连接电压

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