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高图形结构晶圆的临时键合方法、加工方法、结构及芯片
高图形结构晶圆的临时键合方法、加工方法、结构及芯片
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作者： 杨浩军 闫未霞 彭挺 袁秀凯 孙锦洋 610299 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号
本发明公开了一种高图形结构晶圆的临时键合方法、加工方法及结构，属于半导体制造技术领域，方法包括：在完成正面工艺制程、表面具有高图形结构的晶圆上多次涂覆键合胶，和/或，在用于临时键合的载板上多次涂覆键合胶，多次键合胶涂... 详细信息
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光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备
光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备
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作者： 陈庆煌 柯思羽 刘志成 王见明 250000 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备，涉及半导体制造技术领域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，而后根据得到的基础掩膜图案... 详细信息
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三维存储器及其制造方法
三维存储器及其制造方法
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作者： 李思晢 华文宇 肖莉红 赵祥辉 张帜 张富山 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底之上，包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的栅极和层间绝缘层，并具有位于端部的若干层台阶；所述栅极具... 详细信息
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一种半导体处理设备
一种半导体处理设备
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作者： 郭东 110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种包含射频系统的半导体处理设备。本发明提供了一种半导体处理设备，至少包括反应腔室、射频接收极、射频发射极：所述射频接收极，设置在反应腔室内的上方；所述射频发射极，设置在... 详细信息
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一种用于反应磁控溅射的反应气体控制系统及调试方法
一种用于反应磁控溅射的反应气体控制系统及调试方法
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作者： 许磊 宋永辉 刘超 姜颖 214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
本发明公开了一种用于反应磁控溅射的反应气体控制系统及调试方法，属于半导体制造技术领域。用于反应磁控溅射的反应气体控制系统，包括多管路气体流量控制系统和反应气体分流器；多管路气体流量控制系统包括管路和n级阀门，反应气体... 详细信息
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单晶生长方法及装置
单晶生长方法及装置
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作者： 潘浩 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
本发明提供了一种单晶生长方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶生长方法，应用于单晶生长装置，所述单晶生长装置包括：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室... 详细信息
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一种发光二极管及发光装置
一种发光二极管及发光装置
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作者： 胡鹏杰 柯韦帆 周理评 刘胜男 刘佳玉 徐长江 侯文英 郭桓卲 彭钰仁 362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括外延结构、第二焊盘电极、第一焊盘电极，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，所述第二焊盘电极的表面具有打线区... 详细信息
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外延生长方法及装置、计算机程序产品
外延生长方法及装置、计算机程序产品
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作者： 孙毅 请求不公布姓名 韩喜盈 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
本发明提供了一种外延生长方法及装置、计算机程序产品，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长系统，包括：对样品晶圆进行测试，获得所述样品晶圆的外延层的厚度测量值和/或电阻率测量值；根据所述厚度测量值和/或所... 详细信息
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一种图像传感器的制作方法
一种图像传感器的制作方法
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作者： 陶磊 刘文彬 吴冠毅 周宗典 230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
本发明提出了一种图像传感器的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一衬底，包括器件区和非器件区；在衬底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖器件区并延伸至部分非器件区上；在非器件区的衬底上形成台阶；在衬底上形... 详细信息
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半导体温控设备及温控方法
半导体温控设备及温控方法
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作者： 常鑫 曹小康 董春辉 何茂栋 芮守祯 冯涛 李文博 张伟 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河二街8号院14楼A座
本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体温控设备及温控方法，包括依次设置的高温级制冷系统、中温级制冷系统和低温级制冷系统；高温级制冷系统和中温级制冷系统的至少其中一个设置有回热器组件，低温级制冷系统设置有经济器，... 详细信息
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