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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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289 篇 专利

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机构

17 篇 上海华力微电子有...
14 篇 中国科学院微电子...
13 篇 福建省晋华集成电...
12 篇 长鑫存储技术有限...
10 篇 淮安澳洋顺昌光电...
9 篇 大连理工大学
9 篇 中国电子科技集团...
8 篇 中芯国际集成电路...
8 篇 长江存储科技有限...
8 篇 度亘激光技术有限...
6 篇 西安电子科技大学
5 篇 华中科技大学
5 篇 无锡华润上华科技...
5 篇 清华大学
5 篇 中山大学
5 篇 武汉新芯集成电路...
4 篇 株洲中车时代半导...
4 篇 上海华虹宏力半导...
4 篇 广东省半导体产业...
4 篇 国家纳米科学中心

作者

11 篇 黄秋铭
9 篇 梁红伟
9 篇 夏晓川
8 篇 芦玲
8 篇 祝光辉
6 篇 冯志红
6 篇 宋旭波
6 篇 惠利省
6 篇 杨国文
6 篇 于良成
6 篇 陈亮
5 篇 李俊峰
5 篇 吕腾飞
5 篇 刘扬
5 篇 胡胜
4 篇 高晓红
4 篇 王超
4 篇 王元刚
4 篇 周幸叶
4 篇 赵卫东

语言

289 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件制备"

共 289 条记录，以下是41-50 订阅

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详细简洁

排序：

一种半导体器件制备方法

一种半导体器件制备方法

引用

作者：李亭亭贺晓彬熊文娟王晓磊李俊峰杨涛罗军 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开一种半导体器件制备方法，涉及半导体器件技术领域，以克服现有的图案掩膜层残留，导致的半导体器件的良率降低的技术问题。半导体器件制备方法包括提供一衬底，在衬底的一表面形成氧化层；在氧化层的表面覆盖图案掩膜层；对... 详细信息

标准号: CN118299260A

本发明公开一种半导体器件制备方法，涉及半导体器件技术领域，以克服现有的图案掩膜层残留，导致的半导体器件的良率降低的技术问题。半导体器件制备方法包括提供一衬底，在衬底的一表面形成氧化层；在氧化层的表面覆盖图案掩膜层；对氧化层进行湿法刻蚀；对图案掩膜层进行干法刻蚀，以去除图案掩膜层；对氧化层进行清洗；对氧化层进行干法刻蚀，以去除残留的图案掩膜层，得到半导体器件。另外，半导体器件制备方法还可以包括提供一衬底，在衬底的一表面形成氧化层；在氧化层的表面覆盖图案掩膜层；对氧化层进行湿法刻蚀，以使氧化层形成预设图案层；对图案掩膜层进行干燥；对图案掩膜层进行干法刻蚀，以去除图案掩膜层，得到半导体器件。

关键词：图案掩膜氧化层衬底半导体器件制备半导体器件干法刻蚀去除表面覆盖表面形成湿法刻蚀半导体器件技术残留预设图案层良率清洗

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半导体器件及半导体器件制备方法

半导体器件及半导体器件制备方法

引用

作者：祁金伟 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10号楼1楼

本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底；至少两层超级结结构层，设于衬底一侧，超级结结构层包括交替排列、且延伸方向相同的P型条状埋区和N型条状埋区，且相邻超级结结构层内的P型条状埋区的延伸... 详细信息

标准号: CN116741807A

本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底；至少两层超级结结构层，设于衬底一侧，超级结结构层包括交替排列、且延伸方向相同的P型条状埋区和N型条状埋区，且相邻超级结结构层内的P型条状埋区的延伸方向不同；N型埋层，设于相邻超级结结构层之间。通过增加纵向超级结结构层，从而提高了整个器件的耐压性能，实现超高压超结IGBT，且通过设置N型埋层，可阻止空穴的流出，N型埋层的下方出现空穴的积累，当空穴的数量大于电子的数量时，该区域将不能保持电荷平衡，则发射极注入更多的电子流至该区域，载流子的浓度局部增多，实现导通压降的减小。

关键词：超级结结构空穴半导体器件衬底载流子半导体器件制备导通压降电荷平衡交替排列耐压性能超高压发射极延伸超结减小两层流出积累申请

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一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法

一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法

引用

作者：史敬元金智张大勇麻芃彭松昂 100083 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，该方法包括：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；配制BCB溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶液旋涂在衬底... 详细信息

标准号: CN103456607B

本发明公开了一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，该方法包括：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；配制BCB溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶液旋涂在衬底表面；在N₂或者惰性气体的保护下，将表面旋涂BCB溶液后的衬底加热至200℃～400℃，使苯并环丁烯单体发生交联反应生成苯并环丁烯聚合体，从而在衬底表面形成BCB有机膜层。本发明解决了由于原有衬底表面极性散射、粗糙起伏、杂质吸附等原因而造成的石墨烯器件性能退化等问题，BCB有机膜层既钝化、修饰了原有衬底表面，同时自身不会引起石墨烯的载流子迁移率退化。

关键词：衬底表面有机膜层衬底稀释旋涂预处理半导体器件制备苯并环丁烯单体载流子迁移率苯并环丁烯石墨烯器件衬底加热惰性气体干燥处理交联反应性能退化有机溶液杂质吸附聚合体石墨烯匀胶机散射钝化放入碳基修饰配制粗糙清洗退化

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减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法

引用

作者：谭国志王平曾招钦鲍宇 201314 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体... 详细信息

标准号: CN118231331A

本发明提供了一种减少STI填充缺陷的方法及半导体器件制备方法，属于半导体领域。该减少STI填充缺陷的方法包括提供半导体结构，并在所述半导体结构设置多个STI区域；在设置STI区域的半导体结构采用PSZ进行填充；将PSZ填充之后的半导体结构至少进行一次退火处理；将退火处理之后的半导体结构进行HDP填充；对HDP填充之后的半导体结构进行研磨，以使所述半导体结构表面的厚度均匀。本发明通过采用先PSZ填充，再HDP填充的方式，采用CMP工艺进行研磨时，通过增加STI区域填充的密度，减少在不同区域的研磨速率不均匀的问题，从而能够达到晶圆表面形的厚度均匀分布的目的。

关键词：填充半导体结构研磨厚度均匀半导体结构表面半导体器件制备半导体领域晶圆表面区域填充退火处理一次退火不均匀

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半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法

半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法

引用

作者：陈亮 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本申请提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底... 详细信息

标准号: CN116438937A

本申请提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底的表面上设有位于所述间隔区的源极，每一所述栅极包括连接面，每一所述栅极的连接面上设有一个所述第一触点，所述第一触点在所述连接面的正投影呈长条状，且所述第一触点的长度延伸方向与所述栅极长度方向相同；数个所述第二触点设于所述衬底上，且位于所述间隔区内与所述源极连接，所述第二触点与所述第一触点结构相同，且所述第二触点与第一触点并列设置。

关键词：触点衬底半导体器件间隔区半导体器件制备栅极长度方向三维存储器并列设置长度延伸触点结构源极连接栅极间隔长条状连接面正投影源极申请

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一种半导体器件制备方法

一种半导体器件制备方法

引用

作者：赵君超 066000 河北省石家庄市栾城区窦妪镇北赵村平安街1排2号

本发明属于半导体制备技术领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法，包括以下步骤：步骤一：将处理装置与射频匹配器连通；步骤二：使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接；步骤三：使用多根管道向处理装置内通入成膜气体；步... 详细信息

标准号: CN116145108A

本发明属于半导体制备技术领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法，包括以下步骤：步骤一：将处理装置与射频匹配器连通；步骤二：使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接；步骤三：使用多根管道向处理装置内通入成膜气体；步骤四：使用处理装置对成膜气体进行均匀混合，并对成膜气体进行过筛；步骤五：从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内，射频匹配器对成膜气体进行电离；步骤六：经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体，所述处理装置包括处理盒,处理盒内固接有连杆,连杆上转动连接有扇叶,处理盒内固接有滤板,处理盒上转动连接有转杆，能够在对气体进行混合过程中监测设备运行情况，及时发现设备故障。

关键词：成膜气体处理装置处理盒射频匹配器转动连接电离固接半导体器件制备半导体制备多根管道发现设备混合过程监测设备沉积过筛晶圆滤板排出扇叶转杆半导体连通

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晶圆刻蚀方法、半导体器件制备方法以及半导体器件

晶圆刻蚀方法、半导体器件制备方法以及半导体器件

引用

作者：单传海王帅刘文虎张拥华 510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

本申请公开了一种晶圆刻蚀方法、半导体器件制备方法以及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆上沉积顶层介质层后，对晶圆中的第一晶粒的顶层介质层进行刻蚀以形成通孔，在通孔中沉积金属材料以形成金属通孔；其中... 详细信息

标准号: CN117238767A

本申请公开了一种晶圆刻蚀方法、半导体器件制备方法以及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆上沉积顶层介质层后，对晶圆中的第一晶粒的顶层介质层进行刻蚀以形成通孔，在通孔中沉积金属材料以形成金属通孔；其中，第一晶粒为除晶圆标记区以外的晶粒；在晶圆上沉积顶层金属层，通过晶圆边缘曝光方式和金属干法刻蚀方式去除晶圆标记区的顶层金属层；在晶圆上沉积钝化层，通过等离子刻蚀方式在钝化层上刻蚀接线孔。通过上述技术手段，以通过去除晶圆标记区的顶层金属通孔和顶层金属层，解决了现有技术中标记区在进行等离子刻蚀时出现电弧放电现象的问题，避免晶圆标记区被电弧击穿。

关键词：晶圆标记区顶层金属层晶粒刻蚀通孔等离子刻蚀顶层介质层沉积去除半导体器件制备半导体制造技术沉积金属材料电弧放电现象半导体器件沉积钝化层电弧击穿顶层金属干法刻蚀技术手段金属通孔晶圆边缘曝光方式钝化层接线孔种晶金属申请

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一种具有高散热性的半导体器件制备方法及半导体器件

一种具有高散热性的半导体器件制备方法及半导体器件

引用

作者：华斌 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇玉杨路299号3号房

本发明提出了一种具有高散热性的半导体器件制备方法，包括以下步骤：S1:制备衬底：在Si衬底表面均匀旋涂金刚石纳米晶粒的旋涂液并烘干，并沉积多晶金刚石薄膜；S2：制备掩膜：在所述多晶金刚石薄膜上沉积SiO2层，通过光刻和刻蚀工艺，... 详细信息

标准号: CN113257675B

本发明提出了一种具有高散热性的半导体器件制备方法，包括以下步骤：S1:制备衬底：在Si衬底表面均匀旋涂金刚石纳米晶粒的旋涂液并烘干，并沉积多晶金刚石薄膜；S2：制备掩膜：在所述多晶金刚石薄膜上沉积SiO₂层，通过光刻和刻蚀工艺，在SiO₂层上形成周期性图形化的SiO₂孔洞；半导体结构包括衬底，所述衬底上排列设置有若干锥形金刚石结构，所述金刚石结构之间设有AlN成核层，所述AlN成核层上设有GaN缓冲层，且所述GaN缓冲层填充于所述金刚石结构之间且在所述金刚石顶部形成平面，本半导体器件在GaN之间埋入了超高导热性能的金刚石材料，使得制备GaN外延结构具有良好的导热能力，为后续基于GaN微波大功率器件的实现奠定基础。

关键词：金刚石结构衬底制备多晶金刚石薄膜成核层沉积半导体器件制备微波大功率器件孔洞半导体结构半导体器件金刚石材料金刚石纳米周期性图形金刚石晶粒衬底表面导热能力导热性能高散热性刻蚀工艺排列设置外延结构旋涂液烘干光刻埋入旋涂掩膜填充

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一种半导体器件制备装置及制备方法

一种半导体器件制备装置及制备方法

引用

作者：张传洋 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开涉及一种半导体器件制备装置及制备方法，该装置包括气体管道、气体优化系统以及反应腔室；气体管道包括多个气体入口管道；所述反应腔室内部自上而下设置有射频匹配器、气体分配盘、晶圆托盘以及气体排出部；多个气体入口连接所... 详细信息

标准号: CN115287630B

本公开涉及一种半导体器件制备装置及制备方法，该装置包括气体管道、气体优化系统以及反应腔室；气体管道包括多个气体入口管道；所述反应腔室内部自上而下设置有射频匹配器、气体分配盘、晶圆托盘以及气体排出部；多个气体入口连接所述气体混合优化系统；气体优化系统设置在所述反应腔室外部；气体混合优化系统包括气体搅拌装置和气体过滤装置。气体搅拌装置实现多路气体的均匀分布，气体过滤装置将均匀分布后的多路气体中携带的颗粒杂质有效去除，气体混合优化系统实现混合后的多路气体在PECVD装置反应腔室中的多方向分布，从而使气体电离后形成的等离子体的均匀分布，有效保证等离子体在晶圆上沉积后形成的薄膜的膜厚均匀性以及更少的颗粒表现。

关键词：优化系统气体混合多路等离子体气体过滤装置气体搅拌装置反应腔室气体管道反应腔半导体器件制备气体入口管道膜厚均匀性气体分配盘气体排出部射频匹配器晶圆托盘颗粒杂质气体电离气体入口多方向室内部室外部晶圆薄膜沉积去除制备携带保证表现

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一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件

一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件

引用

作者：项金娟王晓磊高建峰李亭亭李俊峰赵超王文武 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明提出了一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上，形成后栅凹槽；在后栅凹槽上形成界面氧化层；在界面氧化层上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡... 详细信息

标准号: CN110349915B

本发明提出了一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上，形成后栅凹槽；在后栅凹槽上形成界面氧化层；在界面氧化层上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成功能金属层，其中，功能金属层能够降低等效氧化层厚度；在功能金属层上方形成功函数金属层；形成金属填充层填充后栅凹槽。根据本发明提供的降低EOT的方法，即在栅叠层中，使用降低等效氧化层厚度（EOT）功能的金属层，可以降低栅叠层结构的EOT，为小尺寸器件性能提升提供解决方案。

关键词：功能金属后栅高k栅介质层等效氧化层界面氧化层扩散阻挡层金属层衬底半导体半导体器件制备半导体器件金属填充层小尺寸器件栅叠层结构性能提升栅叠层制备填充成功

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