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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

837 篇 专利

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837 篇 电子文献
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日期分布

机构

189 篇 台湾积体电路制造...
110 篇 中芯国际集成电路...
29 篇 长鑫存储技术有限...
27 篇 中国科学院微电子...
22 篇 上海华虹宏力半导...
17 篇 芯恩集成电路有限...
15 篇 北京超弦存储器研...
13 篇 国际商业机器公司
11 篇 华虹半导体有限公...
11 篇 上海华虹nec电子有...
10 篇 半导体元件工业有...
10 篇 长江存储科技有限...
9 篇 上海集成电路研发...
8 篇 asm ip控股有限公...
7 篇 上海新微技术研发...
7 篇 睿力集成电路有限...
7 篇 英诺赛科半导体有...
7 篇 上海芯元基半导体...
7 篇 飞思卡尔半导体公...
6 篇 上海华力微电子有...

作者

28 篇 张哲诚
18 篇 钟汇才
18 篇 梁擎擎
18 篇 赵超
16 篇 王桂磊
14 篇 陈威廷
14 篇 王祥升
12 篇 林以唐
12 篇 刘又诚
11 篇 肖德元
11 篇 刘金华
10 篇 肖胜安
10 篇 韩秋华
10 篇 赵杰
10 篇 万幸仁
9 篇 张海洋
9 篇 黄海涛
9 篇 林志翰
9 篇 王志豪
8 篇 吕祯祥

语言

837 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件结构"

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半导体器件结构

半导体器件结构

引用

作者：岳盛楠刘张李 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：从信号输入端开始依次为第一级多叉指MOS管结构到第M级多叉指MOS管结构，将位于前列的若干多叉指MOS管结构作为第一类多叉指MOS管结构，其余多叉指MOS管结构作为第二类多叉指MOS管结构；第一氧... 详细信息

标准号: CN118099157A

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：从信号输入端开始依次为第一级多叉指MOS管结构到第M级多叉指MOS管结构，将位于前列的若干多叉指MOS管结构作为第一类多叉指MOS管结构，其余多叉指MOS管结构作为第二类多叉指MOS管结构；第一氧化层，位于所有多叉指MOS管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，金属线之间露出第一氧化层，每个多叉指MOS管结构均对应两根金属线，源极和漏极通过接触孔和金属线连通，所有多叉指MOS管结构中，第一类多叉指MOS管结构的金属线的间距小于第二类多叉指MOS管结构的金属线的间距。本发明降低了位于前列级数多叉指MOS管的偏压。

关键词：叉指金属线氧化层第一金属层半导体器件结构信号输入端第一级接触孔漏极源极连通

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半导体器件结构的结构和形成方法

半导体器件结构的结构和形成方法

引用

作者：巫柏奇张家玮张国辉赵益承中国台湾新竹

提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧... 详细信息

标准号: CN112490291A

提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。

关键词：半导体器件结构覆盖元件栅极堆叠侧壁间隔元件衬底半导体

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：蔡雅怡萧圣议古淑瑗陈嘉仁林子敬林日泽林益安中国台湾新竹市

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。描述了一种半导体器件结构以及形成这种结构的方法。该结构包括设置在半导体衬底之上的鳍，并且所述鳍具有第一宽度。该结构还包括设置在鳍周围的隔离区域，设置在鳍和隔离区域之上的栅极电极，... 详细信息

标准号: CN116799067A

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。描述了一种半导体器件结构以及形成这种结构的方法。该结构包括设置在半导体衬底之上的鳍，并且所述鳍具有第一宽度。该结构还包括设置在鳍周围的隔离区域，设置在鳍和隔离区域之上的栅极电极，以及设置在栅极电极中的填充材料。填充材料与半导体衬底的一部分的顶表面接触，顶表面具有包括基本平坦截面的至少一部分，并且顶表面的该部分具有显著大于第一宽度的第二宽度。

关键词：顶表面半导体器件结构隔离区域填充材料栅极电极衬底半导体平坦

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半导体器件结构及其制备方法

半导体器件结构及其制备方法

引用

作者：杨俊莫丽仪黄秀洪罗幸君杨文敏 511458 广东省广州市南沙区环市大道南33号

本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触... 详细信息

标准号: CN117766401A

本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层内形成埋氧层，再于沟槽的侧壁形成栅氧化层，由于埋氧层的存在，解决了因半导体器件结构沟槽底部角落处电场聚集，导致在半导体器件结构导通期间栅氧化层承受了巨大的电场被击穿的问题，进而提高了半导体器件结构的可靠性。

关键词：半导体器件结构埋氧层栅氧化层外延层侧壁衬底制备表面形成导通期间电场聚集电场角落处击穿申请暴露

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半导体器件结构中多晶硅材料填充及3D NAND存储器制备方法

半导体器件结构中多晶硅材料填充及3D NAND存储器制备方法

引用

作者：刘佳张天翼章诗 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明提供一种半导体器件结构中多晶硅插塞材料的填充方法及3D NAND存储器的制备方法，在衬底的阵列区的堆叠结构中形成沟道结构之后，在堆叠结构的侧壁以及位于外围区域的衬底的表面形成保护层，该保护层具有相对多晶硅足够高的刻蚀... 详细信息

标准号: CN112466888A

本发明提供一种半导体器件结构中多晶硅插塞材料的填充方法及3D NAND存储器的制备方法，在衬底的阵列区的堆叠结构中形成沟道结构之后，在堆叠结构的侧壁以及位于外围区域的衬底的表面形成保护层，该保护层具有相对多晶硅足够高的刻蚀选择比，例如可以是碳薄膜。然后在沟道结构的顶部形成沟槽并沉积多晶硅。去除多余的多晶硅时，由于保护层与多晶硅的刻蚀选择比足够高，不会刻蚀到堆叠结构以及衬底，不会在堆叠结构和衬底的截面处产生衬底凹槽这样的缺陷，有利于提高器件的性能。灰化处理去除保护层，不会有副产物残留，同时也不会对衬底造成损伤。本发明的3D NAND存储器制备方法同样采用上述方法形成多晶硅插塞，因此同样具有以上有益效果。

关键词：多晶硅衬底堆叠结构保护层刻蚀选择比沟道结构去除制备半导体器件结构表面形成插塞材料灰化处理外围区域副产物截面处碳薄膜阵列区侧壁插塞刻蚀沉积填充损伤残留

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半导体器件结构及其加工方法

半导体器件结构及其加工方法

引用

作者：胡永刚胡永强 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；图案化所述基底，在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽，所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构；各所述沟槽的深... 详细信息

标准号: CN117832073A

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；图案化所述基底，在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽，所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构；各所述沟槽的深宽比均大于1/2，所述第一区域残留的所述基底结构的高宽比大于1/2；淀积目标材料填充各所述沟槽；通过光刻和刻蚀去除所述第一区域残留的所述基底结构；淀积所述目标材料填充所述去除的所述基底结构的位置。本发明能够通过两次淀积厚度较薄的淀积工艺，实现传统工艺所不具备的深度十几至上百微米的小深宽比的深槽填充，工艺较简单，成本较低。

关键词：基底第一区域基底结构淀积填充目标材料残留深宽比去除半导体器件结构传统工艺第一表面淀积工艺高宽比图案化光刻刻蚀深槽延伸加工

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：张正伟沙哈吉·B·摩尔周其雨白岳青中国台湾新竹

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层... 详细信息

标准号: CN116632005A

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相邻的第一掺杂剂区域，其中，第一掺杂剂区域包括具有第一极性的第一掺杂剂。HK介电层也包括与HK介电层和功函金属的第二界面相邻的第二掺杂剂区域，其中，第二掺杂剂区域包括具有与第一极性相反的第二极性的第二掺杂剂。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。

关键词：介电层掺杂剂区域界面层半导体器件结构半导体层功函掺杂剂金属极性相反申请

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半导体器件结构及其制备方法

半导体器件结构及其制备方法

引用

作者：李杰张曌刘玮魏国栋 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面... 详细信息

标准号: CN114420637A

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面；于所述外延层内形成阱区；于所述阱区内形成源区，所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；于所述外延层的上表面形成源极金属层，所述源极金属层与所述源区及所述分裂栅结构相接触。替代传统在相邻沟槽之间设置接触孔的方式，舍去接触孔与沟槽之间的间距，将半导体器件结构的尺寸相较于原具有接触孔的器件尺寸缩小了30％‑50％。

关键词：外延层半导体器件结构栅极结构分裂栅接触孔源区源极金属层上表面栅结构制备尺寸缩小相邻沟槽阱区替代

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半导体器件结构及其加工方法

半导体器件结构及其加工方法

引用

作者：张文文方勇智张花威岑冬煜 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底，基底的第一表面形成有图案化的硬掩膜层；在硬掩膜层上和基底上形成图案化的第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；通过Bosch工艺干法刻蚀基底至预定深度... 详细信息

标准号: CN117658054A

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底，基底的第一表面形成有图案化的硬掩膜层；在硬掩膜层上和基底上形成图案化的第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；通过Bosch工艺干法刻蚀基底至预定深度，形成沟槽，第一刻蚀阻挡层下方的基底形成与所述沟槽相邻的第一柱体；去除第一刻蚀阻挡层；通过Bosch工艺干法刻蚀基底形成腔体，第一柱体被刻蚀成为位于腔体底部的第二柱体，硬掩膜层作为刻蚀的阻挡层；腔体的深度不小于20微米。本发明结合Bosch工艺实现了在20微米以上的深槽中形成小尺寸的柱体，且第二柱体顶部能够保持趋于直角的工整形貌。发明的工艺流程简单，成本低。

关键词：基底刻蚀阻挡层柱体硬掩膜层腔体干法刻蚀图案化刻蚀半导体器件结构形貌第一表面工艺实现柱体顶部工艺流程阻挡层深槽去除加工

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半导体器件结构

半导体器件结构

引用

作者：穆罕默德·T·库杜斯 M·马德浩克卡美国亚利桑那州

本实用新型题为“半导体器件结构”。本实用新型提供的半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和... 详细信息

标准号: CN210040208U

本实用新型题为“半导体器件结构”。本实用新型提供的半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。

关键词：终端沟槽终端结构源区域半导体材料区域半导体器件结构本实用新型肖特基接触电介质层终端区域第一导电层电介质结构导电层电导电结构浮动结构区域设置电隔离源结构延伸

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